创飞芯源MOSFET选型表
选型表 - 创飞芯源 提供创飞芯源MOSFET选型，涵盖多种封装选择，有极性P，极性N，极性P/N，Vᴅs从-20V到950V，Vɢs从±8V到±30V
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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Polarity
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Vᴅs(V)
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Vɢs(V)
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Max VGS(th)(V)
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ID(A)@25℃
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PD(W)@25℃
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Max RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V
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Max RDS(ON)(mΩ)@VGS=4.5V
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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Qg(nC)
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Qgd(nC)
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Trr(ns)
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Qrr(nC)
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CFD80P100
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MOSFET
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TO252
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Single
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P
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-100V
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±20V
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-1.8V
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-20A
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65W
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88mΩ
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95mΩ
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4167pF
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118pF
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72pF
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69.4nC
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11.2nC
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36.8ns
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37.9nC
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创飞芯源IGBTs选型表
选型表 - 创飞芯源 创飞芯源提供如下IGBTs的参数选型，Configuration：IGBT with Anti-Parallel Diode，VCE(max) V：600，650和1200，IC(max)(A)25°C A：10~320。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VCE(max) V
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IC(max)(A)25°C A
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IC(max)100°C A
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VCE(sat) (typ) V
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EON(typ)mJ
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EOFF(typ)mJ
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Qg(typ)nC
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VF(typ)V
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Qrr(typ)Nc
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Irm(typ)A
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Switching Frequency KHz
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封装
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CFT8B60M
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IGBTs
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IGBT with Anti-Parallel Diode
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600
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15
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8
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0.97
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0.16
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0.2
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5.2
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1.6
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55
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2.5
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20
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TO220
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创飞芯源MOSFET管选型表
选型表 - 创飞芯源 创飞芯源提供如下MOSFET的参数选型，Polarity：N，P，Vᴅs(V)：-150~950，Vɢs(±V)：8~30。
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产品型号
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品类
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Configuration
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Polarity
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ESD Diode
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Vᴅs(V)
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Vɢs(±V)
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VGS(th)(max V)
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Iᴅ(A)25°C
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Pᴅ(W)25°C
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Rᴅs(ON)(mΩ max) at VGS=10V
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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Qg*(nC)
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Qgd(nC)
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Tᴅ(on)(ns)
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Tᴅ(off)(ns)
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Trr(ns)
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Qrr(nC)
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封装
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CFD260P151
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MOSFET
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Single
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P
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No
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-150
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20
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-4
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-12
|
3
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300
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2114
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608
|
514
|
38.6
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9.4
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30
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241
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34
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32.3
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TO252
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创飞芯源GaN FET驱动Mosfet选型表
选型表 - 创飞芯源 创飞芯源提供以下GaN FET驱动Mosfet的参数选型，Vdss(V)：650和900，Ids(A)：2~50。
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产品型号
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品类
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Vdss(V)
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Ids(A)
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Rds(on)typ (mΩ)
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Rds(on)max (mΩ)
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Vgs(th)
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Qg(typ)
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Trr(ns)
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封装
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CFKQ65GR035
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GaN FET驱动Mosfet
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650
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50
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35
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42
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3.5
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38
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41
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TO247-4L
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创飞芯源750V SiC MOSFET CFD075SC380，适用于光伏逆变器
2026-02-06 - 产品 创飞芯源发布CFD075SC380平面型碳化硅MOSFET，采用750V宽禁带技术，在TO-252封装内实现260mΩ超低导通电阻（18V驱动）与11A电流能力，175°C高温下仍保持325mΩ，显著优于硅基方案。
创飞芯源1200V SiC MOSFET产品CFKQ120SC016，高功率密度赋能5kW+系统
2025-11-14 - 产品 创飞新一代1200V SiC MOSFET产品CFKQ120SC016已实现规模量产。该器件采用TO-247-4L封装，具备16mΩ典型导通电阻与139A连续电流能力，显著提升系统功率密度与效率。
CFN2R3N30 PcbLib & SchLib & IntLib
2026-03-11 00:00:00 - CAD模型库
创飞芯源 - 30V N-CHANNEL MOSFET,30V N沟道MOSFET,CFN2R3N30
创飞芯源两款全新功率MOSFET，以卓越能效简化电源设计
2025-12-11 - 产品 创飞正式发布CFN2R2DN20与CFN4R5DN20两款功率MOSFET，旨在为高效率电源与电池管理系统提供更优解。新品兼具低导通电阻与业界领先的低栅极电荷特性，能显著提升系统效率并简化驱动设计。
超小体积及低内阻CSP MOS厂商创飞芯源授权世强硬创，产品用于BMS系统
2024-04-11 - 签约新闻 产品广泛应用于手机锂电保护、PD充电器、动力BMS 、电动工具、LED电源等领域。
创飞芯源发布1200V SiC MOSFET新品，高功率密度赋能5kW+系统
2025-11-14 - 产品 创飞新一代1200V SiC MOSFET产品CFKQ120SC016已量产，采用TO-247-4L封装，具备16mΩ导通电阻与139A电流能力，损耗降低40%，适用于光伏储能、工业电源及特种设备。
创飞芯源荣获IECQ QC080000有害物质管理体系国际认证
2026-01-16 - 原厂动态 创飞芯源荣获IECQ QC080000有害物质管理体系国际认证，标志着公司在产品有害物质管控领域获得国际权威认可，确保产品符合欧盟RoHS、REACH等环保法规要求。
CFB1R6N40 40V N沟道MOSFET
May 2024 - 数据手册 本资料介绍了CFB1R6N4 0型号的40V N-Channel MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、订购信息和标记信息。资料详细描述了产品的电气和热特性，以及封装信息。
创飞芯源 - MOSFET,CFB1R6N40,DC/DC和AC/DC转换器,有刷电机驱动,OR-ING和冗余电源开关,BLDC电机驱动
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