华联电子光耦合器选型指南
目录- 公司简介 光耦技术路线图 光耦合器量产清单 光耦合器 光耦合器产品可靠性和寿命 生产数字化 光耦质保能力 试验设备和能力
型号- HPC827,HPC962B,HPL6M238,HPL6W137,HPC962A,HPL6W138,HPL6M239,HPL6W139,HPL6M235,HPC3063-MS,HPL6M236,HPL6M237,HSCR-3223,HPC3022,HPC3023,HPL6W135,HPL6N137-
华联电子MOS继电器选型表
提供华联电子MOS继电器、高压光MOS固态继电器、低阻容MOS继电器选型，负载电压：60V~1500V，连续通态电流：0.02A~2A，导通电阻：0.1Ω~100Ω。
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产品型号
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品类
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封装形式
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负载电压(V)
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连续通态电流(A)
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导通电阻(Ω)
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通道数
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工作温度(℃)
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介质耐压(VRMS)
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安规认证
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HSSR-DA01
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MOS继电器
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DIP8/SMD8(9.6x6.4x3.6)
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400V
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0.1A
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25Ω
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2NO*
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﹣40~85℃
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5000Vrms
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VDE、UL、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型>>
华联光敏晶体管输出型光耦选型表
华联光敏晶体管输出型、光敏达林顿晶体管输出型光耦选型，光敏晶体管输出型光耦电流传输比50~600(%)，光敏达林顿晶体管输出型光耦电流传输比500~7500(%)，介质耐压3750VRMS、5000VRMS，产品符号UL、VDE、CQC安规认证，应用于系统与系统之间的电气绝缘隔、电路与电路之间的电气绝缘隔。
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产品型号
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品类
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封装
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通道数
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击穿电压 (V)
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电流传输比 CTR(%)
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工作温度(℃ )
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介质耐压(VRMS)
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安规认证
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HPC817
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光敏晶体管输出型光耦
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DIP4/SMD4(4.5x6.4x3.6)
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1
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>80
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50~600
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﹣55~110℃
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5000Vrms
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UL、VDE、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型>>
华联电子高速光耦选型表
提供华联电子高速光耦选型，传输速率包含1M、10M、15M，共模抑制比>10kV(VCM=1000V)，产品应用于数字逻辑的传输及变换、电源控制及开关、可编程控制器、电路与电路之间、系统与系统之间的电气绝缘隔离与阻抗变换。
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产品型号
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品类
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封装形式
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输出类型
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传输速率(Mbit/s)
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共模抑制比CMR
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工作温度（℃）
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介质耐压 (VRMS)
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安规认证
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HPL6N137
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高速光耦
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DIP8/SMD8 (9.6x6.4x3.6)
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开集(OC)
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10M
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>10kV (VCM=1000V0
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﹣40~85℃
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5000VRMS
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UL、VDE、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型>>
华联电子栅极驱动、IPM驱动光耦选型表
提供华联电子栅极驱动、IPM驱动光耦选型，传输延时H-L/L-H：<200ns，栅极驱动光耦共模抑制比>30kV(VCM=1500V)、工作温度-40~105℃，IPM驱动光耦共模抑制比>20kV(VCM=1000V)、工作温度-40~110℃。
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产品型号
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品类
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封装形式
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输出类型
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传输延时H-L/L-H(ns)
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共模抑制比CMR
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工作温度(℃）
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介质耐压 (VRMS)
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安规认证
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HGD152
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栅极驱动光耦
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SOP5(4.6×3.7×3.35)
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轨至轨
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<200ns
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>30kV(VCM=1500V
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﹣40~105℃
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3750
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UL、VDE、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型>>
华联电子可控硅输出型光耦选型表
提供华联可控硅输出型光耦选型，通态有效电流0.1A~12A,断态峰值电压400V,600V,800V，产品广泛应用于大家电、小家电市场
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产品型号
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品类
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封装形式
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触发类型
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通态有效电流(A)
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断态峰值电压(V)
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工作温度(℃)
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介质耐压(VRMS)
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安规认证
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HSC R-0223
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可控硅输出型光耦
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DIP7/SMD7 (9.6x6.4x3.6)
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非过零
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0.3A
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600V
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﹣30~85℃
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5000VRMS
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UL、VDE、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型>>
HPC817×-×光敏晶体管输出型光耦合器规格书(HPC817×-× Photo-transistor Output Opto-coupler SPECIFICATION)
型号- HPC817×-×,HPC817×-1,HPC817×-2,HPC817×
【选型】国产线性光耦HPC300-2用于数字逻辑的传输与变换，可替换HCNR200
现在越来越多项目上有国产化需求，本文介绍国产华联电子线性光耦HPC300-2，可替换HCNR200，该产品可应用于需要对信号进行高保真隔离采集的场合，如电源设备数字逻辑的传输等。
器件选型 发布时间 : 2021-05-14
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