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MMSZ4678–MMSZ4716 500mW，1.8V-39V表面贴装齐纳二极管
描述- 本资料介绍了台湾半导体公司生产的MMSZ4678至MMSZ4716系列表面贴装齐纳二极管。这些二极管具有恒定电压控制、宽电压范围（1.8V至39V）等特点，适用于通用调节和保护应用，具有小型封装，适用于高密度应用。
型号- MMSZ4699,MMSZ4710,MMSZ4698,MMSZ4679,MMSZ4712,MMSZ4678,MMSZ4711,MMSZ4714,MMSZ4713,MMSZ4716,MMSZ4715,MMSZ4691,MMSZ4690,MMSZ4693,MMSZ4692,MMSZ4695,MMSZ4X
1N5391至1N5399硅整流器
描述- 本资料介绍了台湾半导体公司生产的1N5391至1N5399系列硅整流器的产品特性、电气参数、封装信息以及订购信息。这些整流器具有高效率、低正向压降、高电流能力等特点，适用于各种电子设备。
型号- 1N5391 A0G,1N5391,1N5393,1N5392,1N5395,1N5397,1N5399,1N5398,1N539X,1N5391 A0
广告 发布时间 : 2024-12-10
TUAR4D–TUAR4M 4A，200V-1000V快速恢复表面贴装整流器
描述- 本资料介绍了台湾半导体公司生产的TUAR4D至TUAR4M系列快速恢复表面贴装整流器。这些整流器具有高浪涌电流能力、湿边和玻璃钝化芯片结等特点，适用于DC到DC转换器、开关模式转换器和逆变器等应用。
型号- TUAR4D,TUAR4X,TUAR4G,TUAR4M,TUAR4K,TUAR4J
PLDS3060H-PLDS3080H 30A，600-800V表面贴装整流器
描述- 该资料主要介绍了两款由台湾半导体公司生产的PLDS3060H和PLDS3080H产品。资料详细描述了产品的电气特性、封装尺寸、建议的焊盘布局等信息。
型号- PLDS30XH,PLDS3080H,PLDS3060H
TSM60NE285CH N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了TSM60NE285CH型N-Channel Power MOSFET的特性、电气规格、热性能、特性曲线、封装尺寸等信息。该产品采用最新超级结技术，具有低栅极电荷电容、高栅极噪声免疫等特点，适用于开关应用。
型号- TSM60NE285CH,TSM60NE285CH C5G
TSM8568CV N和P沟道30V（D-S）功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了TSM8568CV这款由台湾半导体公司（Taiwan Semiconductor）生产的元器件。资料中包含了产品的版本信息、电气特性、封装类型以及建议的PCB布局图等详细信息。
型号- TSM8568CV,TSM8568CV RGG
TSM60NE200CIT N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了TSM60NE200CIT型号的N-Channel Power MOSFET产品，包括其技术特性、电气规格、热性能、应用领域和封装尺寸等信息。
型号- TSM60NE200CIT,TSM60NE200CIT C0G
TLD8S10AH–TLD8S43AH 6600W，10V–43V表面贴装瞬态电压抑制器
描述- 该资料介绍了台湾半导体公司生产的TLD8S10AH至TLD8S43AH系列瞬态电压抑制器（TVS）。这些TVS具有单向和双向类型，适用于汽车和工业应用，符合AEC-Q101标准，并满足多种电气和机械规范。
型号- TLD8S10AH,TLD8S33AH,TLD8S11CAH,TLD8S36CAH,TLD8S12AH,TLD8S13CAH,TLD8S11AH,TLD8S30AH,TLD8S28CAH,TLD8S40CAH,TLD8S26CAH,TLD8S18AH,TLD8S17AH,TLD8S18CAH,TLD
TST10102C 10A、100V沟槽式肖特基整流器
描述- 本资料介绍了台湾半导体公司生产的TST10102C型10A、100V trench Schottky整流器。该产品具有优异的高温稳定性、低正向电压、低功耗/高效率、高正向浪涌能力等特点，适用于开关电源（SMPS）、适配器和DC到DC转换器等领域。
型号- TST10102C
TSM60NE048PW N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了台湾半导体公司生产的TSM60NE048PW型号N通道功率MOSFET的特性、电气规格、热性能、特性曲线、封装尺寸等信息。该产品采用最新的超级结技术，具有低栅极电荷电容、高栅极噪声免疫等特点，适用于开关应用和高压电机驱动等工业领域。
型号- TSM60NE048PW C0G,TSM60NE048PW
TSM60NE069PW N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了台湾半导体公司生产的TSM60NE069PW型号N沟道功率MOSFET的特性、电气规格、热性能、特性曲线和封装尺寸。该产品采用最新的超级结技术，具有低栅极电荷电容、高栅极噪声免疫等特性，适用于开关应用和高压电机驱动等领域。
型号- TSM60NE069PW C0G,TSM60NE069PW
TQM84KCX小信号P沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了台湾半导体公司生产的TQM84KCX型小信号P沟道MOSFET的特性。产品符合AEC-Q101标准，具有先进的沟槽式电容器设计，具备2kV(HBM)的ESD保护，符合RoHS标准，且不含卤素。适用于开关电路、高速线路驱动器、高压侧负载开关和继电器驱动器等应用。
型号- TQM84KCX RFG,TQM84KCX
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