【选型】安邦（ANBON）MOSFET/肖特基势垒整流器/小信号肖特基二极管/TVS/ESD二极管选型指南
目录- MOSFETs 表面贴装肖特基势垒整流器 表面贴装小信号肖特基二极管 表面贴装瞬态电压抑制器（TVS） 表面贴装ESD二极管
型号- SMCJ36CA,P4SMA16A,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,SMDJ12A,AS2101W,SMDJ43CA,TSP15U100S,SMBJ51A,RB521M9-30,P6SMB56A,SMF10CA,SMDJ13A,S510L,SMDJ78CA,S510B,SMDJ11A,SMF2
【选型】安邦（ANBON）TVS瞬态电压抑制器选型指南
目录- TVS瞬态电压抑制器工作原理&特点 TVS瞬态电压抑制器电性参数&注意事项 TVS瞬态电压抑制器产品线
型号- P4KE6.8CA,SMBJ5.0A,P4SMA440A,P6SMB,SMBJ,SMAJ6.0CA,SM6S40A,SMDJ440A,5.0SMDJ11A,SMCJ440CA,SM6S,1.5SMC440CA,SMCJ440A,SMAJ5.0CA,SMAJ6.0A,30KP,5.0SMDJ150A
【选型】安邦（ANBON）MOSFET选型指南
目录- MOSFET特点&电性参数&注意事项 AS MOSFET选型表&封装
型号- AON2405,AS50N03GS,AS3422,AG135N10S,AO3407,AT40N20S,AS2101W,AO3401,AO4612,AS05N15AS,AF4N60S,AO3400,AON6576,SI3457CDV,AO4294,BSS123W,SI2343CDS,AS6005S,A
【选型】安邦（ANBON）肖特基势垒二极管选型指南
目录- 肖特基势垒二极管特点&电性参数&注意事项 肖特基势垒二极管产品线
型号- SS520-C,SS520-B,SR5200,SR540,MBR30200FCT,SR1040,SR340,SS520-A,MBR30200CT,MBR1040CT,MBR3040FCT,DSK34,MBR1040CP,SR140,SS24-B,SS24-A,SR2200,DSK320,DSK120
【选型】安邦（ANBON）整流二极管选型指南
目录- 整流二极管特点&电性参数 整流二极管注意事项 AS整流二极管产品线
型号- MB10S,SF21G,MB10F,1N5408G,FR301G,GBPC5010,HER101G,S1A-F,KBPC3510,GBPC3510,FR107G,RL201G,US2J-B,GBPC5010W,GBU1510,KBPC5010,RS1M-A,S3M-C,S3M-B,MUR2060CG
安邦TVS管选型表
提供安邦TVS选型参考：Vrwm(V)：5~440V、Vc(V)：10.3~648V、工作温度范围：-55℃~150℃、湿气敏感性等级：MSL1；产品应用于汽车,仪表仪器,家电,工控,物联网,通讯等领域
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产品型号
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品类
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Package
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UNI/BI Type
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Pppm(W)
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VRWM(V)
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VC(V)@IPP(A)
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工作温度范围（最低）(℃)
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工作温度范围（最高）(℃)
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湿气敏感性等级（MSL）
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1.5SMC100A
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TVS
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SMC
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UNI Type
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1500W
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85.5V
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137V@11.1A
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-55℃
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150℃
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MSL1
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选型表 - 安邦 立即选型>>
安邦MOS选型表
安邦低阻抗、大电流MOS,电压覆盖到20V至200V,N/P沟道可选，最大工作结温150℃
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产品型号
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品类
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Package
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Polarity
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VDS(V)
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VGS(V)
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VGS(th)_Max(V)
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ID(A)
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RDS(on)_Max(mΩ)4.5V
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RDS(on)_Max(mΩ)2.5V
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RDS(on)_Max(mΩ)1.8V
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AS2002E
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MOSFET
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SOT-23
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N
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20V
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±12V
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1V
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0.75A
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380mΩ
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450mΩ
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800mΩ
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选型表 - 安邦 立即选型>>
安邦整流二极管选型表
安邦肖特基整流管的技术选型，含参数范围：(VRRM)：40V~ 200V;(Io):1A~200A;(IFSM):9A~200A;(IR):0.1μA~20μA
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产品型号
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品类
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Package
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VRRM(V)
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VR(V)
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IO(A)
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IFSM(A)
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VF(V) Max.
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VF(V) Max.IF(A)
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IR(μA) Max.
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IR(μA) Max.VR(V)
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B5819WS
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肖特基整流管
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SOD-323
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40
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40
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1
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9
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0.6
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1
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1
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40
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选型表 - 安邦 立即选型>>
安邦ESD二极管选型表
安邦ESD二极管提供以下参数选型：Vrrm(V)：3.3~24V、Vc(V)：12~60V、CJ(pf)：0.25~260pF、工作温度范围：-55℃~150℃
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产品型号
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品类
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Package
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VRRM(V)
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VC(V)@IPP(A)
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CJ(pF)
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工作温度范围（最低）(℃)
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工作温度范围（最高）(℃)
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湿气敏感性等级（MSL）
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AESD0524P
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ESD二极管
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DFN2510
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5V
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12V@1A
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0.9pF
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﹣55℃
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150℃
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MSL1
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选型表 - 安邦 立即选型>>
安邦LV MOSFET选型表
安邦LV MOSFET选型，技术参数范围：Vdss（耐受的最大电压）：-60V~100V，Id（能通过的电流）：-30A~100A，Rds（导通电阻）：3.5mΩ~18000mΩ
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产品型号
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品类
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Package
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Polarity
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VDS (V)
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VGS (V)
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VGS(th)_Max (V)
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ID (A)
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RDS(on)_Max (mΩ) 4.5V
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RDS(on)_Max (mΩ) 2.5V
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RDS(on)_Max (mΩ) 1.8V
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AS2002E
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LV MOSFET
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SOT-23
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N
|
20
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±12
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1
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0.75
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380
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450
|
800
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选型表 - 安邦 立即选型>>
研讨会2024第三代宽禁带半导体(SiC/GaN)新技术研讨会
描述- 7月18日在线直播，带来2000V SiC MOS、激光雷达低压GaN、IGBT、充电桩、服务器电源、汽车三电、机械臂电机、高端伺服应用方案等新技术新产品，点击了解报名。
议题- 业界领先的分立器件制造商——安邦（ANBON） | SiC：SiC MOS，SiC二极管，2000V SiC MOS | GaN：GaN FET，集成驱动GaN模块，低压GaN | IGBT：IGBT单管，IGBT模块 | 国产化数字隔离，驱动 | 车规、工业级产品 | 新能源：光伏，储能，BMS | 汽车：激光雷达，汽车三电，汽车PTC，OBC | 工业：充电桩电源，服务器电源，空气压缩机 | 机器人：机械臂电机，高端伺服 | 国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太（Watech） | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 掌握核心的SiC功率器件设计，独立自主开发世界一流水平的车规级SiC器件公司——NOVUSEM（蓉矽） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 2000V SiC MOS，应用于光伏领域 | 汽车激光雷达的低压GaN方案 | 充电桩、服务器电源、汽车三电应用 | 机械臂电机、高端伺服应用 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | 中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC） | 国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction） | 国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT) |
活动 发布时间 : 2024-06-07
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