平伟实业整流器件选型表
选型表 - 平伟实业 平伟实业提供以下参数选型,Maximum Peak Reverse Voltage(VRRM):600V~1000V；Maximum Average Forward Rectifiers Current(IF(AV)):1.0A~50.0A；Maximum Forward Peak Surge Current @8.3ms(IFSM):30A~450A；Maximum Reverse Current @Ta=25℃(IR):5µA~10µA
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产品型号
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品类
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Maximum Peak Reverse Voltage(VRRM)(V)
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Maximum Average Forward Rectifiers Current(IF(AV))(A)
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Maximum Forward Peak Surge Current @8.3ms(IFSM)(A)
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Maximum Reverse Current @Ta=25℃(IR)(µA)
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Maximum Forward Voltage Rated Current @Ta=25℃(IF)(A)
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Maximum Forward Voltage Rated Current @Ta=25℃(VFM)(V)
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Maximum Reverse Recovery Time(trr)(ns)
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Rating for Fusing(t﹤8.3ms)I2t
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Maximum Junction Temperature(TJ)(℃)
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Package
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TBF06
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整流桥
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600
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1
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30
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5
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1
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1.1
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-
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3.74
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150
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TBF
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平伟实业功率二极管选型表
选型表 - 平伟实业 平伟实业提供肖特基二极管、快恢复二极管、整流二极管选型，包含以下参数：Maximum Peak Reverse Voltage(VRRM):20V~1000V;Maximum Average Forward Rectifiers Current(IO):1.0A~50*2A; Maximum Forward Peak Surge Current @8.3ms(IFSM):30A~500A
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产品型号
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品类
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Maximum Peak Reerse oltage(VRRM)(V)
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Maximum Average Forward Rectifiers Current(IO)(A)
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Maximum Forward Peak Surge Current @8.3ms(IFSM)(A)
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Maximum Reverse Current @Ta=25℃(IR)(µA)
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Maximum Forward Voltage Rated Current @Ta=25℃(IF)(A)
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Maximum Forward Voltage Rated Current @Ta=25℃(VFM)(V)
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Maximum Junction Temperature(TJ)(℃)
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Package
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SB2P45
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肖特基二极管
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45
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2
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50
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200
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2
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0.45
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125
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DO-15
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平伟实业场效应管（MOSFET）选型表
选型表 - 平伟实业 平伟实业提供以下参数的场效应管/MOS管选型，Vds [min V]：-100V~1500V；Id [A] 25℃：-85~300；Vgs(th) [typ V]：-1.8~4.0；Rds(on) [mohm] at Vgs=（10V）typ：0.034~135.0；Rds(on) [mohm] at Vgs=（10V）max：0.040~180.0；Rds(on) [mohm] at Vgs=（4.5V）typ：0.97~110；Rds(on) [mohm] at Vgs=（4.5V）max：1.3~150；Rds(on) [mohm] at Vgs=（2.5V）typ：4.9~7.3；Ciss[pF]：678~15020
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VTH(min)(V)
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VTH(typ)(V)
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VTH(max)(V)
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RDS(on)mΩ(Vgs=10V)typ
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RDS(on)mΩ(Vgs=10V)max
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RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)typ
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RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)max
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RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)typ
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RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)max
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Package
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2406P
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场效应管
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N+P
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NO
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-60
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±20
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-3.8
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-1
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-2
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-3
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62
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80
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75
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110
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-
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-
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SOP8
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平伟实业国内率先推出PDFN5X6双面散热技术，加上CLIP（夹片）工艺，突破功率器件封装极限
2023-09-01 - 原厂动态 平伟实业率先量产双面散热产品，兼顾底部和顶部散热，新的封装技术，把芯片性能发挥到了极致。平伟实业为功率器件散热提供了多种不同选择；为5x6封装和其他尺寸所设计的各种SMD封装技术组合，因此客户能够根据自身需求选择最合适的封装解决方案。
专注功率器件，平伟实业技术改进TOLL和STOLL封装MOSFET，适用于大功率大电流高可靠性等应用场景
2023-09-09 - 产品 平伟实业坚持研发投入，从D2PAK(TO263)到TOLL, 再到STOLL,开发出更优更强的MOSFET产品来满足客户对大功率、大电流、高可靠性等应用场景的需求。
【材料】平伟实业全新一代双面散热产品重磅发布，行业覆盖消费，工规，车规！
2025-01-08 - 产品 平伟实业长期耕耘功率半导体领域，率先成功开发出了国内首个DFN5X6双面散热产品，是国内首家实现在汽车市场大规模生产，掌握这一突破性技术的企业，进一步推动了国产功率器件在高端领域快速增长。
平伟实业董事长李述洲同志荣获第三届“重庆市制造业十大影响力年度人物”称号！
2024-04-17 - 原厂动态 4月14日，第三届重庆市制造业十大影响力年度人物暨2023专精特新中小企业优秀企业家颁奖典礼在渝州宾馆举行，在此次评选中重庆平伟实业股份有限公司董事长兼总经理李述洲同志荣获“第三届重庆市制造业十大影响力年度人物”称号。
平伟实业最新推出第三代低压MOSFET内阻低至0.4mΩ，导通损耗暴降50%！
2025-03-06 - 原厂动态 低压MOSFET是电源管理、消费电子和汽车电子的关键元件。平伟实业采用自研特色SGT工艺，最新推出第三代低压MOSFET，新一代产品在以下方面实现显著提升。
检测报告 编号: CANEC25029991206
2025年12月11日 - 测试报告 本报告为重庆平伟实业股份有限公司提供的半导体器件的检测报告，编号CANEC25029991206，日期为2025年12月11日。报告内容包括样品信息、检测周期、检测要求、检测方法、检测结果等。主要检测项目包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚、邻苯二甲酸酯等，检测结果均符合欧盟RoHS指令2011/65/EU附录II的修正指令(EU) 2015/863的要求。
平伟实业 - 半导体器件,DFN5*6
平伟实业紧跟国际功率先进技术潮流，再次发力功率先进封装顶部散热TCOP10，填补国内技术空白
2024-03-04 - 原厂动态 平伟实业紧跟国际功率先进技术潮流，近三年来不断投入研发资源开发量产DFN铜夹片工艺，DFN5X6双面散热，TOLL/STOLL大功率封装，到现在的TCOP10顶部散热，技术迭代创新，不断突破极限，为国内同行开辟新路线，填补技术空白。
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