方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12
方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型:BVDSS (V):60-850,ID (A):0.02-16,RDSON(Ω) Max.:0.064-1000,提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装,带ESD防护功能。
产品型号
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品类
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VTH (V)
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ID (A)
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RDSON(Ω) Typ.
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Package
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BVDSS (V)
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RDSON(Ω) Max.
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DMZ6005E
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耗尽型MOSFET
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-3.3~- 1.5
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0.02
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500
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SOT-23
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600
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700
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广告 发布时间 : 2024-07-05
方舟微增强型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型参数: 击穿电压(V):-350~350,额定电流(A):-15~102,阈值电压(V):-4.38~5,提供SOT-89/TO-220-3L/SOP-8等多种封装。
产品型号
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品类
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阈值电压(V)
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击穿电压(V)
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导通电阻(Ohm)最大值
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额定电流(A)
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导通电阻(Ohm)典型值
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备注
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封装形式
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FTX30P35G
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增强型MOSFET
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-1~-3
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-350
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30
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-0.2
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18
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P Channel MOS
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SOT-89
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【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势
本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。
技术探讨 发布时间 : 2022-12-29
方舟微耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等,涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。可以选用方舟微DMX1027和DMS4022E耗尽型MOSFET。
应用方案 发布时间 : 2024-01-27
高端AMR传感器供应商微传科技签约世强,丰富平台工业级磁传感器与MEMS运动传感器产品线
2022年5月1日,世强硬创平台与微传智能科技(常州)有限公司(下称“微传科技“)签署合作协议,微传科技授权世强硬创平台代理旗下三轴地磁传感器、磁开关等产品。资料显示,微传科技是一家集自主研发芯片、模块、系统于一体的传感器及物联网解决方案商,开发了多款采用AMR技术研发的磁传感器芯片,已广泛应用于智慧交通控制、智能停车、飞行控制、工业等领域。
公司动态 发布时间 : 2022-06-20
【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1015E/DMX1015E,可用于快充、电流源和电压源
DMZ1015E/DMX1015E是方舟微超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,采用专有超高阈值电压技术开发和制造。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET可以为负载提供稳定的功率,并且可以在不使用齐纳二极管的情况下由内部钳位保护负载,并且降低了电路损耗。
产品 发布时间 : 2022-05-27
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