日银微电子

IMP811、IMP812低功耗监控器

日银微电子  -  低功率监控器,LOW-POWER SUPERVISORS,IMP812Z,IMP811MEUS/T,IMP812R,IMP811JEUS/T,IMP812T,IMP812S,IMP812ZEUS/T,IMP812M,IMP811TEUS/T,IMP812REUS/T,IMP811J,IMP811,IMP812,IMP812LEUS/T,IMP810,IMP,嵌入式控制器,手持式设备,控制器,无线通信系统,智能仪器,电池操作系统,计算机,PDA系统,BATTERY OPERATED SYSTEMS,COMPUTERS,CONTROLLERS,EMBEDDED CONTROLLERS,HANDHELD EQUIPMENT,INTELLIGENT INSTRUMENTS,PDAS,WIRELESS COMMUNICATION SYSTEMS

IMP809、IMP810电源监控器电路

日银微电子  -  电源监控器电路,POWER SUPPLY SUPERVISOR CIRCUITS,IMP810Z,IMP810REUR/T,IMP809ZEUR/T,IMP810T,IMP810S,IMP810R,IMP810L,IMP809TEUR/T,IMP809LEUR/T,IMP810M,IMP809R,IMP809REUR/T,IMP809T,IMP810ZEUR/T,IMP809S,嵌入式控制器,手持式设备,无线通信系统,智能仪器,电池操作系统,PDA系统,BATTERY OPERATED SYSTEMS,EMBEDDED CONTROLLERS,HANDHELD EQUIPMENT,INTELLIGENT INSTRUMENTS,PDAS,WIRELESS COMMUNICATION SYSTEMS

RoHS符合性声明

本文件为Daily Silver Microelectronics Co., Ltd.的RoHS合规性声明，确认其供应给客户的元器件或材料符合欧盟2002/95/EC指令（RoHS指令）的要求。声明中列出了六种有害物质的限制标准，包括PBB或PBDE阻燃剂、镉、六价铬、铅、汞和PVC涂层中的铅。此外，还提供了锡回流温度曲线，以证明产品符合RoHS指令。

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IMP706P/R/S/T/J、IMP708R/S/T/J 3/3.3/4.0V上行监控电路

日银微电子  -  监控电路,CMOS监控电路,CMOS SUPERVISOR CIRCUITS,SUPERVISOR CIRCUITS,IMP706JCUA,IMP706SCSA,IMP708SESA,IMP708SCSA,IMP708TCUA,IMP706P,IMP706SESA,IMP706J,IMP706PEPA,IMP706TCPA,IMP706PCPA,IMP706TEPA,IMP708JCUA,IMP706,IMP708,嵌入式控制器,手持式设备,无线通信系统,智能仪器,电池操作系统,计算机和控制器,CTI应用,PDA系统,BATTERY OPERATED SYSTEMS,COMPUTERS AND CONTROLLERS,CTI APPLICATIONS,EMBEDDED CONTROLLERS,HANDHELD EQUIPMENT,INTELLIGENT INSTRUMENTS,PDAS,WIRELESS COMMUNICATION SYSTEMS

IMP3236三相桥式驱动器

日银微电子  -  3相桥驱动器,高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器, HIGH SPEED POWER MOSFET AND IGBT DRIVERS,3-PHASE BRIDGE DRIVER,HIGH VOLTAGE,IMP3236,IMP3236EPA,IMP3236ENA,IMP3236ESA,3236ESA,3236EPA

IMP690ACPA IMP802MCPA ETC RoHS合格证书

本证书证明Daily Silver Microelectronics Co., Ltd.的所有标准产品，标记日期码为0444及以下，符合欧盟RoHS指令2005/95/EC。产品包括8SOIC、8MSOP、3SOT23、3SOT223、4SOT143和8PDIP封装，所有产品均符合ZVEI通用规范，并可用JEDEC Std. 020C焊接规范进行加工。证书涵盖的具体产品型号列表详尽。

日银微电子  -  监控器,脉宽调制,高压驱动器,EL驱动器,EL DRIVER,HV DRIVER,LDO,PWM,SUPERVISOR,IMP1834AEMA,IMP1812R-10,IMP707ESA,IMP706JCUA,IMP708EPA,IMP692AESA,IMP708SCSA,IMP1816R-5,IMP809TEUR,IMP1812R-15,IMP812MEUS,IMP1811R-5,IMP706CSA,IMP707C

EL灯驱动器：芯片规格

日银微电子  -  单芯电池供电的电致发光灯驱动器,功率高效的EL灯驱动器,单芯电池供电的EL灯驱动器,高压EL灯驱动器,HIGH-VOLTAGE EL LAMP DRIVER,POWER EFFICIENT EL LAMP DRIVER,SINGLE CELL BATTERY POWERED EL LAMP DRIVER,SINGLE CELL BATTERY POWERED ELECTROLUMINESCENT LAMP DRIVER,IMP560/D,IMP560/D1,IMP525/D1,IMP528/D1,IMP803/D1,IMP803SX,IMP527/D1,IMP560,IMP525,IMP527/D,IMP527,IMP525/D,IMP528,IMP803,IMP528/D

IMP803高压EL灯驱动器

日银微电子  -  电致发光（EL）灯驱动器,高压EL灯驱动器,ELECTROLUMINESCENT (EL) LAMP DRIVER,HIGH-VOLTAGE EL LAMP DRIVER,IMP803SX,IMP803/D1,IMP803IMA,IMP803,IMP803LG,传呼机,便携式仪表,安全照明,手持式计算机,手机,玩具,电池供电的显示器,GPS单位,LCD模块,PDA系统,BATTERY-OPERATED DISPLAYS,CELLULAR PHONES,GPS UNITS,HANDHELD COMPUTERS,LCD MODULES,PAGERS,PDAS,PORTABLE INSTRUMENTATION,SAFETY ILLUMINATION,TOYS

工艺C1230 BiCMOS 1.2∝m低TCRP型多晶硅（模拟）

本资料详细介绍了C1230工艺流程的电气特性和物理特性。内容涵盖N沟道和P沟道晶体管的阈值电压、体因子、导电因子等参数，以及扩散和薄膜的电阻率、电容等特性。此外，还提供了NPN双极晶体管的电流增益、早期电压、截止频率等关键参数。物理特性部分则描述了晶圆的起始材料、掺杂层、金属层和接触层等细节。资料特别强调了C1206工艺的BiCMOS 1.2微米技术，具有6.4GHz的截止频率。

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工艺C1231 HV BiCMOS 1.2∝M 30V双金属-双多晶

本资料详细介绍了HV BiCMOS 1.2µm工艺的电气特性，包括高电压和低电压N沟道和P沟道晶体管的阈值电压、开启电压、导通电阻等参数。此外，还提供了电容特性、高压垂直NPN晶体管的β值、早期电压等数据。资料还包含了工艺C1231的物理特性，如掺杂、薄膜特性，以及布局规则。

日银微电子  -  C1231

工艺C3017 CMOS 3∝M 10伏模拟混合模式

本资料详细介绍了C301 7微米CMOS工艺的电学特性、物理特性以及相关参数。内容包括N沟道和P沟道晶体管的阈值电压、体因子、导电因子等电学参数，以及扩散和薄膜的电阻率、结深、栅氧化层厚度等。此外，还提供了电容特性、工艺特性、物理特性等详细信息，包括金属层、多晶硅层、接触和通孔的尺寸和间距。资料还展示了晶体管的电流-电压特性曲线。

日银微电子  -  C3017