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MX66L1G45GMR-08G Product Longevity Program

旺宏电子  -  MX25L5121EOC-20G,MX25L6435EM2R-12G,MX25U1635EM2I-10G,MX25L12845GM2I-08G,MX25L1636EM2I-08G,MX25L3235EM2I-10G,MX25U8033EZUI-12G,MX29GL320EBTI-70G,MX29GL

MX35LFXG24AD 3V、1G位/2G位/4G位串行NAND闪存

旺宏电子  -  闪存,1GB SLC NAND闪存设备,1G位串行NAND闪存,2GB SLC NAND闪存设备,2G位串行NAND闪存,4GB SLC NAND闪存设备,4G位串行NAND闪存,SLC NAND闪存设备,串行NAND闪存,1G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,1GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,2G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,2GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,4G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,4GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,FLASH MEMORY,SERIAL NAND FLASH MEMORY,SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,MX35LFXG24AD,MX35LF1G24AD,MX35LF2G24AD-Z4I,MX35LF4G24AD-Z4I8,MX35LF4G24AD-Z4I,MX35LF2G24AD,MX35LF2G24AD-Z4I8,MX35LF4G24AD-Z4I8X,MX35LF4G24AD,MX35LF1G2,工业,INDUSTRIAL

MX25U1633F 1.8V、16M位[x1/x2/x4]CMOS MxSMIO®（串行多I/O）闪存

旺宏电子  -  16MB位串行NOR闪存,16M位[X1/X2/X4]CMOS MXSMIO®（串行多I/O）闪存,16M-BIT [X1/X2/X4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY,16MB BITS SERIAL NOR FLASH MEMORY,MX25U1633F,MX25U1633FZUI,MX25U1633FM2I,MX25U1633FM1I,MX25U1633FZAI

MX35LF1GE4ABZ4IG 3V、1GB位串行NAND闪存（支持CASN页面）

旺宏电子  -  1GB SLC NAND闪存设备,1GB位串行NAND闪存,1GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,1GB-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,MX35LF1GE4ABZ4IG,MX35LF1GE4ABZ4IGX

产品寿命计划

资料详细列出了多种类型的存储器产品，包括串行NOR、并行NOR和SLC NAND Flash，涵盖了不同的容量、电压、总线宽度、封装类型和引脚数量。产品适用于汽车和工业级应用，并提供了产品的寿命支持信息。资料还包含了产品的生产日期、封装名称、产品编号和长期支持信息。

旺宏电子  -  MX25L5121EOC-20G,MX25L6435EM2R-12G,MX25U1635EM2I-10G,MX25L12845GM2I-08G,MX25L1636EM2I-08G,MX29F800CTMI-70G,MX25L3235EM2I-10G,MX25U8033EZUI-12G,MX29GL3

MX35UFXG24AD 1.8V、1G位/2G位/4G位串行NAND闪存

旺宏电子  -  1GB SLC NAND闪存设备,1G位串行NAND闪存,2GB SLC NAND闪存设备,2G位串行NAND闪存,4GB SLC NAND闪存设备,4G位串行NAND闪存,1G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,1GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,2G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,2GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,4G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,4GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,MX35UF4G24AD-Z4I8,MX35UFXG24AD,MX35UF1G24AD,MX35UF2G24AD-Z4I8,MX35UF4G24AD,MX35UF2G24AD,MX35UF2G24AD-Z4I,MX35UF4G24AD-Z4I,MX35UF1G24AD-Z4I,MX35UF4G24A

MX63UxG 130-Ball MCP SLC NAND FLASH and LPDDR 130-Ball MCP MCP (Multi-Chip Package)

旺宏电子  -  MX63U2GC1GKAXNI00,MX63U2GC1GKAXNI01,MX63UXG,MX63U2GD1GKAXNI01,MX63U1GD12EAXNI00,MX63U1GC12FAXNI00,MX63U2GD1GJAXNI00,MX63U2GD1GJAXNI01,MX63UXGXXX

MX35UFXGE4AD 1.8V 1G位/2G位/4G位串行NAND闪存

旺宏电子  -  1GB SLC NAND闪存设备,1G位串行NAND闪存,2GB SLC NAND闪存设备,2G位串行NAND闪存,4GB SLC NAND闪存设备,4G位串行NAND闪存,1GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,2G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,2GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,4G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,4GB SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,​1G-BIT SERIAL NAND FLASH MEMORY,MX35UFXGE4AD,MX35UF2GE4AD-Z4I,MX35UF1GE4AD,MX35UF2GE4AD-Z4IXX,MX35UF2GE4AD-XDI,MX35UF1GE4AD-Z4I,MX35UF4GE4AD,MX35UF1GE4AD-XDI,MX35UF4GE4AD-XDI,MX35UF2

新兴电子系统中的安全存储器结构

本文探讨了新兴电子系统中安全内存架构的重要性，分析了连接设备增长带来的安全挑战。文章介绍了攻击类型、保护方法、安全标准和框架，如TPM、ARM TrustZone和Secure Boot。此外，还详细介绍了Macronix ArmorFlash等安全闪存设备的功能和特性，以及其在汽车、工业物联网和边缘计算平台等领域的应用案例。

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MX29GL512G/MX68GL1G0G单电压仅3V闪存

旺宏电子  -  单电压仅3V闪存,SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY,MX29GL512GUT2I-11Q,MX29GL512GHT2I-10Q,MX68GL1G0GDT2I-11Q,MX29GL512G,MX68GL1G0GLT2I-10G,MX68GL1G0GDT2I-11G,MX29GL512GUXFI-11Q,MX29GL512GHXFI-10Q,MX68GL