昕感科技碳化硅场效应晶体管选型表
昕感科技提供以下碳化硅场效应晶体管（SiC field effect transistor/SiC FET）的参数选型：BVᴅs(V)：650V to 1700V，RDᴅs(on)(mΩ)：21V to 1000V。
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产品型号
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品类
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BVᴅs(V)
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RDᴅs(on)(mΩ)
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Vɢs(th)(V)(Typ.)
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Continuous Drain Current(A)(max)
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Iᴅss(μA)(Typ.)
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Vsᴅ(V)(Typ.)
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Tᴊ(max)(℃)
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封装
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N1M065030PD2
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碳化硅场效应晶体管
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650
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30
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2.6
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70
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1
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4.2
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175
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TO-247-3
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昕感科技碳化硅肖特基二极管选型表
昕感科技提供以下碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky diode）的参数选型：Tᴊ(max)(℃)：175℃，VR(V)：650V和1200V，Iғ(A)：4A to 40A。
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产品型号
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品类
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Tᴊ(max)(℃)
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Iғsᴍ(A)
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VR(V)
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Vғ(V)
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Iғ(A)
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Iʀ(μA)
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封装
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N2S065004PA2
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碳化硅肖特基二极管
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175
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40
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650
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1.4
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4
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1.5
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TO-220C-2
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广告 发布时间 : 2024-07-05
昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展
2024年7月8号-10号，慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商，将携SiC器件、SiC功率模块，以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-07-05
【元件】昕感科技推出TOLL封装MOSFET N1M065030PL2/60PL2，在储能、光伏等广泛应用
昕感科技TOLL封装系列SiC MOSFET产品N1M065030PL2和N1M065060PL2非常适合客户对大功率、大电流、高可靠性等应用的需求。其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，可在通信电源、光伏、储能、数据中心、电机驱动等领域广泛应用。
产品 发布时间 : 2023-12-12
昕感科技到访福建时代星云科技有限公司，共同推动碳化硅功率器件在锂电池测试、储能和新能源汽车等领域的应用
近日昕感科技创始人王哲一行到访福建时代星云科技有限公司，与时代星云董事长、宁德时代联合创始人黄世霖进行深度交流。期待通过本次访问双方充分发挥各自产业优势，共同推动碳化硅功率器件在锂电池测试、储能和新能源汽车等领域的应用。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-06-28
【元件】昕感科技重推业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET N2M120007PP0
昕感科技面向新能源领域推出重量级SiC MOSFET器件N2M120007PP0，实现业界领先超低导通电阻规格1200V/7mΩ。基于车规级工艺平台，兼容18V栅压驱动，配合TO-247-4L Plus封装。
产品 发布时间 : 2023-12-29
世强硬创获昕感科技授权代理，SiC MOSFET实现超低导通电阻
昕感科技SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）实现业界领先的超低导通电阻1200V/7mΩ，极大减少损耗。
签约新闻 发布时间 : 2024-03-21
无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导，合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午，无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份，深入一线、现场视察，听取民意、汇集民智，不断开创江阴高质量发展新局面。昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化，产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-06-26
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET，采用TO247-4PLUS封装，方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列，于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0，使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低，具备优越的高压阻断特性，方便用户使用和节省成本。
产品 发布时间 : 2024-05-18
Ultra-Low On-Resistance 1200V/7mΩ SiC MOSFET N2M120007PP0 Launched by NEXIC for Renewable Energy Applications
NEXIC has launched a state-of-the-art 1200V SiC MOSFET N2M120007PP0 for renewable energy applications, achieving an industry-leading ultra-low on-resistance of 7mΩ. Based on an automotive-grade manufacturing platform, the new product adopts an advanced device design and is compatible with 18V gate drive voltage.
产品 发布时间 : 2024-01-04
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