派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
选型指南 派恩杰 - SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D0600
派恩杰碳化硅模块选型表
选型表 - 派恩杰 派恩杰提供碳化硅模块选型，涵盖750V和1200V Blocking Voltage，RDS(ON)范围1.5mΩ-110mΩ，Current Rating覆盖20A-600A，Maximum Junction Temperature达150℃-175℃。产品包括Six-pack、Half-Bridge、Single Switch、Four-pack等多种Configuration，封装类型如HPD、IPM-MSOP9、62mm、EASY 1B、SOT-227、HEPACK、ED3、TPAK等。优势特性包括低导通电阻、高电流承载能力及高温稳定性，适用于高性能电源转换和工业驱动应用。
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage
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RDS(ON) @25℃
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Current Rating
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Maximum Junction Temperature
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Configuration
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Package
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PAAC07750CM
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碳化硅模块
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750V
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1.5mΩ
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750A
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175℃
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Six-pack
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HPD
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派恩杰碳化硅二极管(SIC SBD)选型表
选型表 - 派恩杰 派恩杰推出碳化硅二极管(SIC SBD)，覆盖常规电压650-1200V，额定电流2-40A
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Current Rating(A)
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QC(nC)
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IFRM@25℃(A)
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Forward Voltage(VF(type)(V)
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I(FSM)@25℃(A)
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P3D06002E2
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碳化硅二极管
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650V
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2A
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4.72nC
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10A
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1.5V
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18A
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派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
选型表 - 派恩杰 派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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派恩杰在国内率先推出1200V/20mΩ SiC MOSFET，提升电动汽车性价比
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SiC SBD P3D06010G2A 650V SiC Schottky 二极管
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派恩杰 - 碳化硅肖特基二极管,P3D06010G2A,PFC或DC/DC阶段的升压二极管,AC/DC转换器,消费级SMPS
算力中心电压革命：800V如何破解兆瓦级算力的配电困局？
2025-11-21 - 技术探讨 800V直流配电正成为兆瓦级算力中心的能源架构新范式，通过提升电压降低电流与I²R损耗，显著减少铜材使用与散热压力。结合SiC器件与模块化设计，可实现端到端效率提升及功率密度跃迁。派恩杰依托黄兴博士在NC State的学术成果，在高压SiC与SST领域实现技术突破，推动从电网到GPU的高效电力传输落地。
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