“瑶芯微”相关结果约432条,品牌中英文名为瑶芯微(ALKAIDSEMI)

瑶芯微(ALKAIDSEMI)功率器件产品选型指南

目录- 公司简介    功率器件产品命名规则    功率器件产品应用推荐    功率器件产品清单   

型号- AKT4050K,AKS65N1K8FM,AKT3B165GL,AKCK2M080WAMH-A,AKS60N680LMF,AKG10N077GM,AKCK2M040WAMH-A,AKC65D008PAHH,AKG85N050P,AKT4050G,AKBK2A040WHH,AKG10N077GL,AK

选型指南  -  瑶芯微  - 2022/10/14 PDF 中文 下载

瑶芯微IGBT选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下IGBT产品的技术选型,具有IGBT + FRD两种类型,VCES/VF(V)范围:+650~+1200,ICE/IF(A)范围: +40~+100;VCE sat(V)范围:+1.65~+2;Vth(V)范围:+4~+5.8;VF(V)范围:+1.35~+1.9....瑶芯微的IGBT产品具有TO-247PLUS-3L、TO-247-3L等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
Package
Type
VCES/VF(V)
ICE/IF(A)
VCE sat(V)
Vth(V)
VF(V)
AKBK2A075WCHM
IGBT
TO-247PLUS-3L
IGBT + FRD
1200
75
2
5.8
1.7

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微沟槽MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下沟槽MOSFET产品的技术选型,MP Status;N+P沟槽;VDS(V):-40~+100,Vgs(V):10~25,ID(A): -1.6~3....瑶芯微的沟槽MOSFET产品具有SOT-23、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电池管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器等领域。

产品型号
品类
Status
Package
Cfg.
ESD
VDS(V)
Vgs(V)
ID(A)
Vth(V)
Rds-on(mΩ) Typ@10V
Rds-on(mΩ) Max@10V
Rds-on(mΩ) Typ@4.5V
Rds-on(mΩ) Max@4.5V
Rds-on(mΩ) Typ@2.5V
Rds-on(mΩ) Max@2.5V
AKT1A024MBU
沟槽MOSFET
MP
CSP
N
Y
12
10
13
0.95
/
/
1.6
2.4
3.5
5.5

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微分离栅沟槽MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下分离栅沟槽MOSFET产品的技术选型,MP Status、N沟槽,VDS(V)范围:+30~+150,20V-Vgs,ID(A)范围: +11~+203;Vth(V)范围:+1.5~+3.3....瑶芯微的分离栅沟槽MOSFET产品具有TO-263、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电机控制;LED照明; 锂电保护 ; PD快充; 工业电源; 通讯电源等领域。

产品型号
品类
Status
Package
Cfg.
VDS(V)
Vgs(V)
ID(A)
Vth(V)
Rds-on(mΩ) Typ@10V
Rds-on(mΩ) Max@10V
Rds-on(mΩ) Typ@4.5V
Rds-on(mΩ) Max@4.5V
CISS_Typ(pF)
COSS_Typ(pF)
CRSS_Typ(pF)
QG(nC)
AKG3N015GL
分离栅沟槽MOSFET
MP
PDFN5×6-8L
N
30
20
165
1.7
1.3
1.5
2.2
2.8
2874
1151
76
46.5

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微Dual-Channel Low-Voltage MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下Dual-Channel Low-Voltage MOSFET产品的技术选型,ID(A)范围:-25A~+60A;BVdss(V)范围:-30V~+100V;Vgs(±V):+20V;Vth(±V)范围:-1.5V~+2V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ范围:+7.5V~+65V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Typ范围:+8.4V~+95V,瑶芯微的Dual-Channel Low-Voltage MOSFET产品具有N和P两种沟槽,PDFN3.3X3.3Dual、SOP-8 Dual、SOT23-6 Dual等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
N/P
ESD
ID(A)
BVdss(V)
Vgs(±V)
Vth(±V)
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Max
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Max
package
status
AKT3B210GL
Dual-Channel Low-Voltage MOSFET
N
N
22
30
20
1.5
9.5
12
14.5
19
PDFN5X6
MP

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微超级结MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下超级结MOSFET产品的技术选型,MP Status,VDS(V)范围:+600~+650,30V-Vgs,ID(A)范围: +3~+80;Vth(V)范围:+3.3~+4....瑶芯微的超级结MOSFET产品具有TO-200、TO-247、TO-252等多种封装形式可广泛应用于 汽车 、 电动汽车充电站、 充电桩、光伏逆变器 、储能系统等领域。

产品型号
品类
Status
Package
VDS(V)
Vgs(V)
ID(A)
Vth(V)
Rds-on(mΩ) Typ@10V
Rds-on(mΩ) Max@10V
CISS_Typ(pF)
COSS_Typ(pF)
CRSS_Typ(pF)
QG(nC)
AKS60N300WMF
超级结MOSFET
MP
TO-247
600
30
80
3.5
25
30
7699
3091
2.1
200.8

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微Low-Voltage MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下Low-Voltage MOSFET产品的技术选型,ID(A)范围:-110A~+190A;BVdss(V)范围:-100V~+100V;Vgs(±V)范围:+10V~+25V;Vth(±V)范围:-2V~+3V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ范围:+1.55V~+1800V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Typ范围:+1.6V~+2000V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT) 2.5V Typ范围:+2.3V~+157V,瑶芯微的MOSFET产品具有N和P两种沟槽,SOT-23-3L、DFN2*2、PDFN3.3*3.3、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
N/P
ESD
ID(A)
BVdss(V)
Vgs(±V)
Vth(±V)
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Max
Rds-on(mΩ)Typ.(FT) 2.5V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT) 2.5V Max
package
status
AKT1A024MBU
Low-Voltage MOSFET
N
Y
13
12
10
0.95
1.6
2.4
3.5
5.5
CSP
MP

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微High-Voltage MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下High-Voltage MOSFET产品的技术选型,ID(A)范围:+2A~+100A;BVdss(V)范围:+600V~+700V;Vgs(±V):+30V;Vth(±V)范围:+3.3V~+4V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ范围:+17V~+2000V,瑶芯微的High-Voltage MOSFET产品具有TO-247、DFN8*8、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
N/P
ESD
ID(A)
BVdss(V)
Vgs(±V)
Vth(±V)
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Max
package
status
AKS60N220WMF
High-Voltage MOSFET
N
N
100
650
30
3.8
17
22
TO-247
ENG

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微Low-Voltage Advanced MOSFET选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下Low-Voltage Advanced MOSFET产品的技术选型,ID(A)范围:+3A~+400A;BVdss(V)范围:+30V~+200V;Vgs(±V)范围:+20~+25V;Vth(±V)范围:+1.5V~+3.3V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ范围:+0.54V~+70V;Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Typ范围:+0.8V~+100V,瑶芯微的Low-Voltage Advanced MOSFET产品具有PDFN5*6、TO-247、TO-220、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
N/P
ESD
ID(A)
BVdss(V)
Vgs(±V)
Vth(±V)
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)10V Max
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Typ
Rds-on(mΩ)Typ.(FT)4.5V Max
package
status
AKG3N007GL
Low-Voltage Advanced MOSFET
N
N
320
30
20
1.7
0.55
0.7
0.8
1
PDFN5*6
ENG

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯微Fast Recovery Diode选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下Fast Recovery Diode产品的技术选型,V(BR)范围:+650V~+1200V;目标应用电流范围:+8A~+275A;,瑶芯微的Fast Recovery Diode产品具有多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
V(BR)
Die Size(含 S/L) 单位:um X(mm)
Die Size(含 S/L) 单位:um Y(mm)
Die Size(含 S/L) 单位:um S(mm2)
Die Size(含 S/L) 单位:um S/L(mm)
Gross Die
目标应用电流
AK1K2FR5D2
Fast Recovery Diode
1200V
2.33
2.33
5.43
0.08
5274
8

选型表  -  瑶芯微 立即选型

瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

产品    发布时间 : 2024-08-06

LLC谐振变换器详解——谐振变换器衍变

本文利用图解详细介绍LLC谐振变换器。

技术探讨    发布时间 : 2024-11-20

电子商城

查看更多

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥1.3000

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:N-channel SGT MOSFET

价格:¥2.6000

现货: 5,000

品牌:瑶芯微

品类:Power MOSFET

价格:¥2.8500

现货: 5,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

暂无此商品

海量正品紧缺物料,超低价格,限量库存搜索料号

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面