瑶芯微（ALKAIDSEMI）功率器件产品选型指南
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瑶芯微 - HIGH-VOLTAGE MOSFET,SGT,原边开关管 SJ MOSFET,SIC场效应晶体管,次级同步整流 SGT MOSFET,SJMOS,高压MOSFET,SIC MOS,TRENCH FIELD STOP IGBT,IGBT,PFC 升压二极管,TRENCH MOSFET,SIC JBS,双通道低压MOSFET,功率器件,SGT MOSFET,低压先进MOSFET,次级输出 VBUS TRENCH MOSFET,初级开关管 SJ MOSFET,TRENCH,沟槽场截止IGBT,LOW-VOLTAGE ADVANCED MOSFET,FAST RECOVERY DIODE,LOW-VOLTAGE MOSFET,沟槽MOS管,SIC MOSFET,副边输出 VBUS TRENCH MOSFET,硅基MOSFET,低压 MOSFET,低压MOSFET,SI-BASE MOSFET,低压 SGT MOSFET,FRD,副边同步整流 SGT MOSFET,DUAL-CHANNEL LOW-VOLTAGE MOSFET,快恢复二极管,SJ MOSFET,SI MOS,SJ-MOSFET,AKT4050K,AKS65N1K8FM,AKT3B165GL,AKCK2M080WAMH-A,AKS60N680LMF,AKG10N077GM,AKCK2M040WAMH-A,AKC65D008PAHH,AKG85N050P,AKT4050G,AKBK2A040WHH,AKG10N077GL,AK,QC CHARGER,EV CHARGER STATION,电子工具,汽车,EPS,AUTOMOTIVE,COOLING FAN,工业变频,大功率开关电源,E-TOOLS,优化器,超算电源,服务器电源,电动自行车,大功率 AC-DC 转换电源,直流 - 直流转换器,便携式储能,LIGHTING,XEV OBC,PUMP,直流-直流,家电,车载无线充电,开关电源,VBUS,手机,储能系统,电池,消费电子,车载,OPTIMIZER,PV INVERTOR,PORTABLE ENERGY STORAGE,DC-DC,E-BIKE,OBC,QC充电器,CHARGER,PC 电源,QC/PD充电器,ENERGY STORAGE SYSTEM,WIRELESS CHARGER,充电桩,电动汽车充电站,工控,BMS,平板电脑,光伏,新能源,HIGH POWER SMPS,车载逆变,PAD,QC/PD CHARGER,AC-DC 充电器产品,通信电源,TRACTION INVERTOR,光伏逆变器,电池管理
瑶芯微Low-Voltage Advanced MOSFET选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Low-Voltage Advanced MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：+3A~+400A；BVdss(V)范围：+30V~+200V;Vgs(±V)范围：+20~+25V；Vth(±V)范围：+1.5V~+3.3V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+0.54V~+70V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ范围：+0.8V~+100V,瑶芯微的Low-Voltage Advanced MOSFET产品具有PDFN5*6、TO-247、TO-220、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。
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产品型号
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品类
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N/P
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ESD
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ID（A）
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BVdss(V)
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Vgs(±V)
|
Vth(±V)
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Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Max
|
package
|
status
|
|
AKG3N007GL
|
Low-Voltage Advanced MOSFET
|
N
|
N
|
320
|
30
|
20
|
1.7
|
0.55
|
0.7
|
0.8
|
1
|
PDFN5*6
|
ENG
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
广告 发布时间 : 2024-12-26
瑶芯微Fast Recovery Diode选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Fast Recovery Diode产品的技术选型，V(BR)范围：+650V~+1200V；目标应用电流范围：+8A~+275A;，瑶芯微的Fast Recovery Diode产品具有多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。
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产品型号
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品类
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V(BR)
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Die Size（含 S/L) 单位：um X(mm)
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Die Size（含 S/L) 单位：um Y(mm)
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Die Size（含 S/L) 单位：um S(mm2)
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Die Size（含 S/L) 单位：um S/L(mm)
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Gross Die
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目标应用电流
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AK1K2FR5D2
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Fast Recovery Diode
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1200V
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2.33
|
2.33
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5.43
|
0.08
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5274
|
8
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯微High-Voltage MOSFET选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下High-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：+2A~+100A；BVdss(V)范围：+600V~+700V;Vgs(±V)：+30V；Vth(±V)范围：+3.3V~+4V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+17V~+2000V,瑶芯微的High-Voltage MOSFET产品具有TO-247、DFN8*8、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。
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产品型号
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品类
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N/P
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ESD
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ID（A）
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BVdss(V)
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Vgs(±V)
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Vth(±V)
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Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max
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package
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status
|
|
AKS60N220WMF
|
High-Voltage MOSFET
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N
|
N
|
100
|
650
|
30
|
3.8
|
17
|
22
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TO-247
|
ENG
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯微Low-Voltage MOSFET选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Low-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：-110A~+190A；BVdss(V)范围：-100V~+100V;Vgs(±V)范围：+10V~+25V；Vth(±V)范围：-2V~+3V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+1.55V~+1800V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ范围：+1.6V~+2000V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT） 2.5V Typ范围：+2.3V~+157V,瑶芯微的MOSFET产品具有N和P两种沟槽，SOT-23-3L、DFN2*2、PDFN3.3*3.3、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。
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产品型号
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品类
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N/P
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ESD
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ID（A）
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BVdss(V)
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Vgs(±V)
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Vth(±V)
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Max
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT） 2.5V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT） 2.5V Max
|
package
|
status
|
|
AKT1A024MBU
|
Low-Voltage MOSFET
|
N
|
Y
|
13
|
12
|
10
|
0.95
|
1.6
|
2.4
|
3.5
|
5.5
|
CSP
|
MP
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯微超级结MOSFET选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下超级结MOSFET产品的技术选型，MP Status，VDS(V)范围：+600~+650，30V-Vgs，ID(A)范围: +3~+80；Vth(V)范围：+3.3~+4....瑶芯微的超级结MOSFET产品具有TO-200、TO-247、TO-252等多种封装形式可广泛应用于 汽车 、 电动汽车充电站、 充电桩、光伏逆变器 、储能系统等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Package
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VDS(V)
|
Vgs(V)
|
ID(A)
|
Vth(V)
|
Rds-on(mΩ) Typ@10V
|
Rds-on(mΩ) Max@10V
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CISS_Typ(pF)
|
COSS_Typ(pF)
|
CRSS_Typ(pF)
|
QG(nC)
|
|
AKS60N300WMF
|
超级结MOSFET
|
MP
|
TO-247
|
600
|
30
|
80
|
3.5
|
25
|
30
|
7699
|
3091
|
2.1
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200.8
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯微分离栅沟槽MOSFET选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下分离栅沟槽MOSFET产品的技术选型，MP Status、N沟槽，VDS(V)范围：+30~+150，20V-Vgs，ID(A)范围: +11~+203；Vth(V)范围：+1.5~+3.3....瑶芯微的分离栅沟槽MOSFET产品具有TO-263、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电机控制;LED照明; 锂电保护 ; PD快充; 工业电源; 通讯电源等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Package
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Cfg.
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VDS(V)
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Vgs(V)
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ID(A)
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Vth(V)
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Rds-on(mΩ) Typ@10V
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Rds-on(mΩ) Max@10V
|
Rds-on(mΩ) Typ@4.5V
|
Rds-on(mΩ) Max@4.5V
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CISS_Typ(pF)
|
COSS_Typ(pF)
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CRSS_Typ(pF)
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QG(nC)
|
|
AKG3N015GL
|
分离栅沟槽MOSFET
|
MP
|
PDFN5×6-8L
|
N
|
30
|
20
|
165
|
1.7
|
1.3
|
1.5
|
2.2
|
2.8
|
2874
|
1151
|
76
|
46.5
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯微Dual-Channel Low-Voltage MOSFET选型表
瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Dual-Channel Low-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：-25A~+60A；BVdss(V)范围：-30V~+100V;Vgs(±V)：+20V；Vth(±V)范围：-1.5V~+2V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+7.5V~+65V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ范围：+8.4V~+95V,瑶芯微的Dual-Channel Low-Voltage MOSFET产品具有N和P两种沟槽，PDFN3.3X3.3Dual、SOP-8 Dual、SOT23-6 Dual等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。
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产品型号
|
品类
|
N/P
|
ESD
|
ID（A）
|
BVdss(V)
|
Vgs(±V)
|
Vth(±V)
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ
|
Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Max
|
package
|
status
|
|
AKT3B210GL
|
Dual-Channel Low-Voltage MOSFET
|
N
|
N
|
22
|
30
|
20
|
1.5
|
9.5
|
12
|
14.5
|
19
|
PDFN5X6
|
MP
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选型表 - 瑶芯微 立即选型
瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
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LLC谐振变换器详解：RLC回路频域分析
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直流无刷电机驱动电路MOSFET应用
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