真茂佳MOSFET选型表
真茂佳MOSFET，品类为power MOSFET和power speedFET，TO-252/DFN/TOLL等多种封装形式，VDSS Min(V)：-30~150V，VGS(V)：±20V，ID(A) Tc=25℃：-1.8~475A，PD(W) Tc=25℃：6~375W，Ciss(pF)：275~10870pF，Coss(pF)：33~9658pF，Crss(pF)：3.7~854pF，Rg(Ω)：1.2~9Ω，Qg(nC)：7~185nC，Qgs(nC)：1.5~51C，Qgd(nC)：0.9~49nC，Operating Temperature(℃)：-55~175℃
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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VDSS Min(V)
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VGS(V)
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ID(A) Tc=25℃
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PD(W) Tc=25℃
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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Rg(Ω)
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Qg(nC)
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Qgs(nC)
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Qgd(nC)
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Operating Temperature(℃)
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ZMA029P03D
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power MOSFET
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TO-252
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-30V
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±20V
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-120A
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107W
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10870pF
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1082pF
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854pF
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3Ω
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184nC
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37nC
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23nC
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-55~175℃
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选型表 - 真茂佳 立即选型
拆解案例分享 |真茂佳ZMA230P06D汽车级功率MOSFET在比亚迪仰望U8大灯中的应用
在车灯研究院最新一期的拆解推文中，作者对比亚迪豪华车仰望 U8 进行车灯拆解，发现这款车型的交互灯PCBA使用了真茂佳的 ZMA230P06D芯片。真茂佳ZMA230P06D采用先进的Trench工艺，具有简化驱动电路，导通阻抗低，浪涌能力强等特点，在车灯应用里边主要用于高边开关和防反。因此在汽车车灯行业中有着广泛的应用案例。
广告 发布时间 : 2024-12-19
ZM065N02M 20V N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的ZM065N02M型号20V N-Channel Power MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。主要特点包括低导通电阻、快速开关、低热阻，适用于多种应用场景。
型号- ZM065N02M
ZM027N03D 30V N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZM027N03D型号30V N-Channel功率MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术，具有低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关和电池保护应用。
型号- ZM027N03D
ZMDA68410N 40V N沟道功率速度场效应管
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的40V N-Channel Power SpeedFET产品ZMDA68410N。该器件采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。资料涵盖了产品概述、特性、应用、订购信息和绝对最大额定值等内容。
型号- ZMDA68410N
ZM019N03NC 30V N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的ZM019N03NC型号30V N-Channel Power MOSFET。该器件采用先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关和电池保护应用。
型号- ZM019N03NC
ZMSA008N04HNC 40V N沟道功率速度场效应管
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的40V N-Channel Power SpeedFET器件ZMSA008N04HNC。该器件采用先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。其主要特点是低导通电阻、快速开关、低热阻和适用于多种应用。
型号- ZMSA008N04HNC
ZMS008N04NC 40V N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMS008N04NC 40V N-Channel Power MOSFET器件。这款MOSFET结合了先进的沟槽技术，具有低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关和电池保护应用。
型号- ZMS008N04NC
ZM500P02S-20V P沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZM500P02S是一款-20V P-Channel功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低热阻等特点，适用于DC-DC转换器和负载开关等应用。
型号- ZM500P02S
真茂佳荣获“2023汽车芯片50强”，车规中低压功率器件获行业认可
2023年11月28日，由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局指导，由北京经开区管委会主办，盖世汽车承办，国家新能源汽车技术创新中心提供支持的“芯向亦庄”汽车芯片大赛在北京亦庄圆满落幕。深圳真茂佳半导体有限公司做为中低压功率半导体行业内的领军企业参与评选并荣获“2023汽车芯片50强”。
ZMDA68406N 40V N沟道功率速度场效应晶体管
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMDA68406N是一款40V N-Channel Power SpeedFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。产品具有AEC-Q101认证，低RDS(ON)以最小化导通损耗，高GOX可靠性和低热阻。适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用。
型号- ZMDA68406N
ZM025P04HB-40V P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司生产的ZM025P04HB型号的-40V P-Channel功率MOSFET。这款器件结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。它具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热阻性能。
型号- ZM025P04HB
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