聚能创芯（Cohenius）GaN功率器件/外延材料选型指南
描述- 作为第三代半导体，GaN器件得益于材料优势，在速度、效率、耐高温等方面均优于传统硅器件，在功率系统领域具有广泛的应用前景。聚能创芯及其外延材料公司聚能晶源，开展GaN材料与器件产业化工作，以实现GaN材料、器件与应用的国产化供应，为5G通讯、智能终端、大数据、自动驾驶等领域，提供新型功率器件产品与技术解决方案。
型号- CGK65R190C,CGK65R190B,HVA100,HVA650,CGL65R150B,HVP700,HVP300,HFAS200,CGL65R070B,CGL65R190B,HFAS100,HVP650,HVP100,CGK65R400B,HVA700,HFAC200,HFAC100,HVA
纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充，聚能创芯提供GaN功率器件产品和技术解决方案
与Si元器件相比，GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率。11月1日，聚能创芯与世强达成战略合作，授权世强全线代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等产品，相关资料已上线平台。
公司动态 发布时间 : 2021-11-30
1.7亿元！GaN企业聚能创芯微电子完成新一轮增资
赛微电子官微宣布，聚能创芯已完成1.7亿元人民币A轮融资，以专注硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-01-04
聚能创芯参加2023秋季亚洲充电展，展示6英寸、8英寸硅基氮化镓外延片和650V系列氮化镓功率器件产品
2023年春季亚洲充电展在深圳福田会展中心3号馆成功举办，此次展会上，聚能创芯＆聚能晶源联合展示了6英寸、8英寸硅基氮化镓外延片和650V系列氮化镓功率器件产品。其中650V系列氮化镓功率器件均采用小体积PQFN封装，产品具有极低的Qg、无反向恢复电荷、超快的开关速度，相比硅器件显著降低了开关损耗，适用于更高的工作频率，大幅提升应用模块的功率密度并降低系统成本。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-08-30
【应用】聚能创芯增强型氮化镓开关管CGL65R260B助力米家120W磁吸轨道GaN电源设计，有效提升电源能效
米家磁吸轨道GaN电源采用PFC+反激开关电源设计，使用DIODES AL6562A PFC控制器搭配必易微 KP2206 反激控制器，使用两颗聚能创芯CGL65R260B增强型氮化镓开关管分别用于PFC和反激开关电源。输出采用肖特基二极管整流。
应用方案 发布时间 : 2023-04-21
聚能创芯携6英寸、8英寸硅基氮化镓外延片和650V系列氮化镓功率器件产品亮相SEMI-e第五届深圳国际半导体展会
日前，2023年SEMI-e第五届深圳国际半导体技术暨应用展会在深圳宝安国际会展中心成功举办。聚能创芯＆聚能晶源联合展示了6英寸、8英寸硅基氮化镓外延片和650V系列氮化镓功率器件产品。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-05-23
【应用】聚能创芯氮化镓开关管、奥伦德光耦及云矽半导体充电协议芯片成功导入睿量迷你33W氮化镓充电器
睿量迷你33W氮化镓充电器内置的氮化镓开关管来自聚能创芯CGK65R400B，是一颗增强型氮化镓开关管；奥伦德OR1009光耦用于输出电压反馈；输出协议芯片来自富满电子旗下云矽半导体，型号XPD738，用于1C1A双口控制。
应用方案 发布时间 : 2022-10-01
聚能创芯参加2023春季亚洲充电展，联合展示6、8英寸硅基氮化镓外延片和650V系列氮化镓功率器件产品
2023年春季亚洲充电展，聚能创芯副总经理李成受邀参加，以《面向功率应用的GaN材料和器件技术》为主题，介绍贵司在GaN器件和外延材料方面的相关布局，并重点报告在GaN器件高频应用的工作成果。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-03-21
【产品】可超快切换的650V增强型GaN功率晶体管CGL65R150B，无反向恢复损耗
聚能创芯推出的CGL65R150B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性具有高击穿电压和高开关频率。由于RDS(ON)和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，提供比硅功率晶体管更高的效率。
新产品 发布时间 : 2021-11-18
|
|
|
电子商城
