金誉半导体(JINYU SEMICONDUCTOR)场效应管/晶体管/二极管/集成电路选型指南
目录- 公司简介Company profile 场效应管MOSFET 双极型晶体管Bipolar Transistors 数字晶体管Digital Transistors 二极管Diodes 集成电路Integrated Circuit 封装参数Packaging parameters
型号- DTC113ZCA,MM3Z5264B,MM3Z5252B,PTU1N60,MM3Z5240B,PTP80N06,MM1Z5234B,MM1Z5246B,SD103AW,MM1Z5258B,BZX84C22,BZX84C20,MM1Z5V6B,PXT2907A,BZX84C27,MM3Z5265B
金誉半导体(JINYU SEMICONDUCTOR)/迪浦 电源管理芯片和MCU产品选型指南
目录- 公司简介 AC-DC电源管理系列 车充电源管理&DC-DC降压电源管理&DC-DC升压电源管理系列 LDO线性管理&锂电保护系列 锂电二合一&电池充电管理系列 电池充放电管理&MCU产品系列 双极锁存性霍尔开关 低压微功耗HALL开关&快充协议产品系列 MCU部分产品封装
型号- PT8300,PT8261,PT2280,PT2281,DW01A,PT2712,PT2710,PTB153CX,PTM172SX,PT2711,PT4057,HT75XXM,PTB0131XXS-S16B,PT7203,PT3520,PT1812B,PTB152SX,PT1812A,HT75XXH
金誉半导体场效应管MOSFET选型表
金誉半导体提供包括中低压MOSFET(VDSS:20V~150V)和高压MOSFET(VDSS:500V~900V)选型;金誉拥有自主晶圆设计能力,多种外形封装,中低压MOSFET12英寸 、8英寸,高压MOSFET6英寸;中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺,高压MOSFET采用平面工艺;超低内阻的芯片设计。
产品型号
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品类
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VDS
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ID
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工作温度
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等级
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封装形式
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最小包装
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最小订货量
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PT2302A
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场效应管
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20V
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3A
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-55℃~+150℃
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商业级
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SOT-23
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3000
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3000
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金誉半导体LDO线性稳压器选型表
金誉拥有自主晶圆设计能力,线性稳压器采用CMOS技术的低压差线性稳压器,低功耗,输入输出电压差低,温度漂移系数小,最高工作电压范围7~40V,最高工作电流范围0.1A~1.5A。有SOT-23,SOT-89,SOT23-5,TO-220,TO-252,SOT223等封装产品。
产品型号
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品类
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输出电压
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输出电流
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封装形式
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应用等级
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最小包装
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最小订货量
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78L05
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稳压电路
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4.8V-5.2V
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100mA
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SOT89-3L
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商业级
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1000
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1000
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金誉半导体二极管选型表
金誉半导体提供包括开关二极管、稳压二极管和肖特基二极管。涵盖全系列大小功率产品,多种封装,高结温,具备自主设计和供应能力。
产品型号
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品类
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VRRM
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IFM
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结温
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封装形式
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BAT54C
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二极管
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30V
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0.2A
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-55℃~+150℃
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SOT-23
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金誉半导体三极管选型表
金誉半导体提供三极管选型,作为电流控制的半导体器件,按结构分NPN和PNP两种,性能优秀,产品种类完整,封装形式丰富,产品性能一致性好。
产品型号
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品类
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档位
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VCBO
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IC
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工作温度
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封装形式
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应用等级
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最小包装
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最小订货量
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MMBT3904
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三极管
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100-300
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60V
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200mA
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-55℃~+150℃
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SOT-23
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商业级
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3000
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3000
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【产品】导通率高的开关二极管BAV23A/C/S,反向重复峰值电压最大额定值为250V,用于通用开关领域
金誉半导体是一家集半导体研发、封装、检测的高新技术有限公司,其推出的开关二极管具有开关速度快,导通率高等特点。在Ta=25℃时,其反向重复峰值电压的最大额定值为250V;当IR=100μA时,V(BR)的最小值为250V。
产品 发布时间 : 2022-11-23
AMS1117 800MA Bipolar Linear Regulator
型号- AMS1117-3.3,AMS1117-2.5V,AMS1117-5.0V,AMS1117-ADJ,AMS1117-5.0,AMS1117-3.3V,AMS1117-2.85V,AMS1117,AMS1117-1.8V
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