银河微电子选型手册(Galaxy Micro Selection Guide)
型号- 1N4745,1A1,1N4744,FR05-14,U1ZB27,1A2,1N4747,U1ZB28,1A3,1N4746,FR05-12,ZY5.6,1A4,1N4749,ZY5.1,1A5,1N4748,1A6,GVS545BF,1A7,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,U1ZB20,BZW
IGBT 单管&模块
型号- GKU50N65RF5,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM400HF120S4T1M,GKU20N65EH3,GKU40N65EH3,TGKU50N65DH3,GKU25N120ET2,GKU40N120RF5,GKU50N65ET,GKF20N65EH3,GM75
广告 发布时间 : 2024-11-26
银河微电子MOS管选型表
银河微电子提供以下参数的P沟道增强模式MOSFET和N沟道增强模式MOSFET选型，Tᴊ：150℃~175℃，Vᴅss：-150V~40V
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产品型号
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品类
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Tᴊ(℃)
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Vᴅss(V)
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Vɢss(V)
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Vɢs₍ᴛʜ₎ (V)Max.
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Rᴅs₍ᴏɴ₎(mΩ) @ 10VMax.
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BL12P15HB
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P沟道增强模式MOSFET
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150
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-150
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±20
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-4
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350
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选型表 - 银河微电子 立即选型
银河微电子二极管选型表
银河微电子提供以下参数的单相整流桥、功率肖特基二极管、快恢复二极管、小信号开关二极管、小信号肖特基二极管、整流二极管选型，Vғ max：0.35V~6.5V，Iғsᴍ max：0.1A~600A，Iʀ max：0.005uA~3000uA
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产品型号
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品类
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Vʀʀᴍ(V)max
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Iғ max
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Vғ(V)max
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Iғsᴍ(A)max
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Iʀ(uA)max
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tᵣᵣ(ns)max
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1N4150W
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小信号开关二极管
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50
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200mA
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1
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0.5
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0.1
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4
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选型表 - 银河微电子 立即选型
银河微电子场效应管选型表
银河微电子提供以下参数的MOSFET选型，Tᴊ：150℃~175℃，Vᴅss：-60V~1500V，Vɢss：±6V~±30V
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产品型号
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品类
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Tᴊ(℃)
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Vᴅss(V)
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Vɢss(V)
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Vɢs₍ᴛʜ₎ (V)Max.
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Rᴅs₍ᴏɴ₎(mΩ) @ 10VMax.
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Rᴅs₍ᴏɴ₎(mΩ) @ 4.5VMax.
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BL030N04T
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MOSFET
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150
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40
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±20
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2.5
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3
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4.5
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选型表 - 银河微电子 立即选型
银河微电子SiC肖特基二极管选型表
银河微电子提供以下参数的SiC肖特基二极管选型，Vʀʀᴍ max：650V~1200V，Vғ max：1.5V~1.75V
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产品型号
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品类
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Vʀʀᴍ(V)max
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Iғ(A)max
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Vғ(V)max
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Iғsᴍ(A)max
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Iʀ(uA)max
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GSC0465-A
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SiC肖特基二极管
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650
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4
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1.7
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32
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100
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选型表 - 银河微电子 立即选型
银河微电授权世强硬创代理分立器件/整流器件/光电器件等产品
产品应用于家用电器、能源动力、网通、工业自动化、汽车电子、计算机及周边设备等领域。
签约新闻 发布时间 : 2024-10-22
银河微电子携MOSFET、IGBT、光电耦合器等最新产品亮相2024深圳PCIM Asia展
2024年8月28日至30日，在深圳国际会展中心（宝安新馆）隆重举行的PCIM Asia展会已经完美收官。在这三天的盛会中，银河人见证了电力电子领域最前沿的技术，也带来了公司最新的产品和解决方案，并与众多行业专家、客户、供应商伙伴们进行了深入的交流。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-10
1N4001 1N4007 BL GALAXY ELECTRICAL PLASTIC SILICON RECTIFIERS data sheet
型号- 1N4007,1N4001,1N4002,1N4003,1N4004,1N4005,1N4006
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