【选型】高特（GoalTop）ESD防护器件/二极管/整流器选型指南
目录- 公司简介 产品&客户概述 ESD防护器件 极快恢复二极管 低正向肖特基二极管 二极管特点 肖特基二极管 肖特基桥 标准整流器 标准整流器桥 极快恢复二极管 极快恢复整流器桥 高效二极管 超快恢复二极管 瞬态电压抑制器 小信号产品
型号- GESD0502L,FR106W,US2DBF,SMAFJ220A,RS2ABF,US2DF,SMAFJ440CA,FMB10F,US2DB,SMCJ440CA,GBLC03CW,RB521M9-30,FMB2F,MB120F,SMAJ5.0,GT2060CT,GSM24C,SS120F,RS3BB
【选型】高特（GoalTop）ESD防护器件选型指南
目录- ESD防护器件
型号- GESD0502L,LESD3Z5.0C,GESD0801S,GBLC15C,GBLC03C,GESD3B5CM,GSM36,GBLC03CW,GESD3Z3V3BU,GESD0502TL,GESD5Z24,GESD9Z3.3L,GESD0809V,GSD03C,GSD24,GSD20,GBLC15
【选型】高特（GoalTop）极快恢复二极管（Hyper Fast Recovery Diode）选型指南
型号- HDF10G60,HFD10G40Z,HFD10G60Z,HFD10S60D2,HFD10G60,HFD15S60D2,HFD15S60F,HFD08S60,HFD10S60,HFD10G60D,HFD10G60F,HFD06G40Z,HFD08S60F,HFD10G40D,HFD15S60,HFD
高特-齐纳二极管选型表
高特半导体齐纳二极管/稳压二极管选型器，Vz稳定电压涵盖1.95V~78.75V；最小稳压电流IZK(mA)：0.25mA；IZT(mA)：1.7~20mA；ZZK(Ω)动态电阻5Ω~2000Ω。
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产品型号
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品类
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Device
Marking
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Vz@lzT
(Volts)(Min)
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Vz@lzT(Volts)(Nom)
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Vz@lzT(Volts)(Max)最大稳定电压
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IZT(mA)额定电流
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Zzt@lzt
(Ω)
Max
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lzk
(mA)稳压最小电流
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Zzk@lzk
(Ω)
Max动态电阻
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IR@VR
(uA)
Max反向漏电电流，越小越好
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VR
(Volts)
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MM5Z2V0B
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齐纳二极管
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+5
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1.95
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2.0
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2.05
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5
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100
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1
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564
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120
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0.5
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特Schottky Diode选型表
高特提供肖特基二极管、肖特基桥、标准整流二极管、标准整流桥、快速恢复整流二极管、快速恢复整流器桥、高效整流二极管、超快恢复整流二极管选型。肖特基二极管，金属硅结，多数载流子导电，适用于表面安装应用，低功率损耗，高效率，高正向浪涌电流能力，适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。
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产品型号
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品类
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Io(A)
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF(V)
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VF IF(A)
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IR(mA)
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IR VR(V)
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Trr(ns)
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Package
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DS12W
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Schottky Diode
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1
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20
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40
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0.55
|
1
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0.3
|
20
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-
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SOD-123FL
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特二极管选型表
提供高特 肖特基势垒二极管、普通整流器二极管、快恢复整流二极管、超快恢复整流器、超高效整流二极管、开关二极管，等产品，多工作电压段供选择：40/60/200/400/600/800/1000V；提供贴片和直插封装，极低反向恢复时间：trr<25ns，超低反向漏电流;IR<10uA;
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产品型号
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品类
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封装
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IO(A)
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF(V)
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IF(A)
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IR(μA)
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VR(V)
|
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1N5819W
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Schottky Barrier Rectifiers
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SOD-123FL
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1A
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40V
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25A
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0.6V
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1A
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1μA
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40V
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特 PESD选型表
提供高分子聚合物静电抑制器PESD选型，工作电压范围：VDC 5-30V，CJ: 0.05(pF)Typ
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产品型号
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品类
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封装
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VDC Max(V)
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VT Typ.(V)
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VC Typ.(V)
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IL Max.(μA)
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CJ Typ.(pF)
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PESD0201MS05
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PESD
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0201
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5V
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450V
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40V
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0.1μA
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0.05pF
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特ESD Protection Device选型表
高特ESD Protection Device，符合IEC61000-4-2 ESD Contact±8KV, Air ±15KV标准；符合IEC61000-4-4FET 40A, 5/50ns标准；符合IEC61000-4-5 Lightning 24A, 8/20us标准；多工作电压段供选择：2.5V-36V；可提供单路、双路、四路、五路及六路保护产品；超低电容，最低电容达0.2pF；超低反向漏电流，最低反向漏电流1nA；全线采用微型贴片封装外形，最小外形为DFN0603(0.6*0.3*0.3mm)；全线产品符合RoHS、无卤、Reach标准。
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产品型号
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品类
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PPP(W)
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VRWM(V)
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VBR(V)
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VC(V)
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IPP(A)
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IR(uA)
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Cj(pF)
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Package
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GESD0301BU
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ESD Protection Device
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100
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3.3
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4.2
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25
|
4
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0.1
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0.25
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DFN1006
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特低压降肖特基二极管选型表
提供低压降肖特基二极管，多工作电压段供选择：40/60/100V，电流：2A-10A，VF低至0.37V
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产品型号
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品类
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封装
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IO(A)
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VB(V)
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IFSM(A)
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V-Fmax(V)
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I-F(A)
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IR(μA)
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VR(V)
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SSL24F
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低压降肖特基二极管
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SMAF
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2A
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40V
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50A
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0.45V
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2A
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500μA
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40V
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特Hyper Fast Recovery Diode选型表
高特（GoalTop）极快恢复二极管（Hyper Fast Recovery Diode）有如下有点：极低反向恢复时间：trr<35ns；极高结温：Tj=175 ℃ ；超低反向漏电流; IR≤10uA;超低正向电压，最低可达1.4V；多工作电压段供选择：400/600/1200V；可提供贴片和直插封装外形；全线产品符合RoHS、Reach标准。产品主要应用于网络通讯设备、消费类电子产品、安防设备、汽车电子、工业电源、充电桩、表计、LED照明、IOT等领域。
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产品型号
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品类
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IO(A)
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF@IFmax(V)
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VF@IF(A)
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IR@VRRM(uA)
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TRR typ(ns)
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TJ(℃)
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Package
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HFD06G40Z
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Hyper Fast Recovery Diode
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6
|
400
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50
|
1.4
|
6
|
2
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21
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175
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DO-201AD
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特Switching Diode选型表
高特快速开关二极管，开关速度在4~50ns之间，具有高稳定性、体积小、可靠性高和反向漏电流小等特点。广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。
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产品型号
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品类
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Ptot(W)
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VR(V)
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IO(A)
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VF@IF(V)
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VF@IF(mA)
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IR@VR(uA)
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IR@VR(V)
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Trr(ns)
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Package
|
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1N4148W
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Switching Diode
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0.4
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75
|
0.15
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1
|
10
|
5
|
75
|
4
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SOD-123
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选型表 - 高特 立即选型>>
高特Low VF/IR Schottky Rectifier选型表
高特低IR肖特基整流器/低VF肖特基整流器选型表，低VF/IR肖特基整流器，金属硅结，多数载流子导电，适用于表面安装应用，低功率损耗，高效率，高正向浪涌电流能力，适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。
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产品型号
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品类
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IO
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VB
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IFSM
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VFmax(V)
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VFmax(V)@IF(A)
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VFmax(V)
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VFmax(V)@IF(A)
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IR(μA)
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IR(μA) VR(V)
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Package
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SU545B
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Low VF Schottky Rectifier
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5
|
45
|
120
|
0.41
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3
|
0.47
|
5
|
200
|
45
|
SMB
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选型表 - 高特 立即选型>>
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电子商城
服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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