龙夏电子（Long-Tek）MOSFET（成品）选型表
2023/4/17 - 选型指南 龙夏电子 - MOS,N沟道 SGT MOS,N沟道 TRENCH MOS,T-MOS,LM90N03T4,LM90N03T8,LR012N04T10,120N95S3,120N95S2,LR037N10S10,LR072N10SL4,LR055N95S3,LR052N10S2,LM150N03T4,LR016N95S10,80N95S4,LM150N03T8,LR022N10S1,L
龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南
公司简介 技术路线和应用领域介绍 MOSFET/TMBS 产品技术介绍 MOSFET/TMBS 产品列表 品质管理和测试设备介绍
2023/4/17 - 选型指南 龙夏电子 - 消费类电子设备,MOSFET,沟槽型肖特基二极管,中低压 TMBS,SGT MOSFET晶圆,TRENCH MOSFET 晶圆,BMS大电流SGT MOS,光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD,中低压SGT MOS晶圆,沟槽SBD,沟槽型功率MOSFET,SGT MOSFET 晶圆,中低压TMBS,中低压 SGT MOS 晶圆,SBD,TRENCH MOSFET,TMBS晶圆,晶圆,SGT MOSFET,中低压SGT MOS,TMBS 晶圆,莫斯中士,中低压MOSFET,沟槽MOS管,TRENCH MOSFET晶圆,TMBS,SGT MOS,中低压 MOSFET,绝缘栅场效应管,TRENCH MOS,中低压先进功率器件,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,沟槽式MOS,LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D10N45IG,D14N45I,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,L,按摩器材,太阳能组件接线盒,同步整流 PD 快充,BMS锂电保护板,同步整流PD快充,BMS 锂电保护板,电动自行车,动力锂电池,平衡车,电动工具,E-BIKE,电动车,移动智能终端,锂电动力行业,电源
龙夏电子MOSFET选型表
选型表 - 龙夏电子 龙夏电子提供以下参数的MOSFET：Polarity：N,N+P；Configuration：Single，Dual；Package：TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装；VDS(V)：20V~800V；VGS(±V)：12V~30V；ID(A)@25°C：4A~372A；RDS(ON)(mΩ)TYP@10V：0.37mΩ~780mΩ；EAS(mj)：13mj~7482.25mj；Rg(Ω)：0.37Ω~20Ω；Ciss(pF)：6pF~16974pF；Coss(pF)：41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
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产品型号
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品类
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Polarity
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Configuration
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Package
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)@25°C
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EAS(mj)
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LR038N02T9
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MOSFET
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N
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Single
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PDFN3*3
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20V
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12V
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80A
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182.25mj
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龙夏电子SGT MOSFET选型表
选型表 - 龙夏电子 龙夏电子提供如下参数的100V-SGT：BVDSS：100；ID：80-320A；Rontyp：1.55-6.7mΩ；VTH:2.3-3；EAS：462.25-2070.25mj；Rg：0.33-3；Ciss：3647.563-15016；Coss：387.9836-2700；Crss：16.7671-1738
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产品型号
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品类
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状态
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BVDSS(V)
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ID（A）
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Rontyp(mΩ)
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VTH(V)
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EAS(L=0.5mH VD=48V VG=10V)(mj)
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Rg(Ω)
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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LR016N08S10
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MOSFET
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MP
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80
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360
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1.27
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3
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2704
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1.8
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14140
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2259
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61
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【经验】以SGT LR018N10S10为例，说明如何降低导通电阻和寄生电容？
2023-10-08 - 设计经验 为了提高电源系统效率，降低导通损耗，使用低导通电阻沟槽结构功率MOSFET管，内部芯片面积就会增加；芯片面积增加，栅极和漏极面积都会增大，寄生电容Crss、输入电容Ciss和输出电容Coss都会增大，在高频工作时候，功率MOSFET管开关损耗、驱动损耗都会急剧增加。
【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势，导通电阻低至2.35mr
2023-09-27 - 产品 随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V,导通电阻Ron2.35mr.。
LR022N10S10 PcbLib & SchLib & IntLib
2025-07-04 - CAD模型库
龙夏电子 - N-MOSFET TOLL,N-MOSFET 阈值,LR022N10S10
全球有多少座8英寸碳化硅厂？
2024-11-27 - 行业资讯 8英寸碳化硅时代的脚步已无比临近，本文将对全球碳化硅芯片厂以及我国碳化硅产业链企业进行盘点，进一步廓清碳化硅产业未来发展趋势。
SGT电容的组成部分介绍
2023-11-30 - 技术探讨 SGT和普通MOSFET一样，其寄生电容分为三大部分：栅源电容CGS，栅漏电容CGD以及漏源电容CDS（也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss）。栅源电容CGS分为四部分，主要由栅极与源电极之间的电容CGS1，栅极与N+源区之间的电容CGS2，栅极与P型体区之间的电容CGS3，以及栅极与屏蔽栅（与源极共端）之间的电容CGS4。
SGT MOS导通电阻组成部分
2023-10-25 - 技术探讨 SGT属于中低压功率MOSFET器件的一种，其沟道电阻占总导通电阻较大的比例，不过SGT导通过程中包含着更多的寄生电阻，以N型SGT为例，其中RCON代表欧姆接触电阻，RS代表源区电阻，RCH代表沟道电阻，RA代表积累层电阻。
国内实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
2024-11-20 - 行业资讯 松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。
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