CALY Technologies
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KE12LE150B 1200V,1.5OHM,SICCURRENT LIMITING DEVICE WITH EXTENDED SHORT-CIRCUIT CAP ABILITIES
型号- KE12LE150B,KE12LE150,KE12LEB150T20
广告 发布时间 : 2024-12-10
【应用】SiC肖特基二极管用于并网光伏逆变器中，可提供更高的浪涌能力
CALY Technologies提供的增强型的Sic肖特基二极管完美的适用于严苛的光伏应用场合。并网光伏逆变器功能块工作在较高的开关频率下，这样有助于减少尺寸、重量以及所使用的电感、变压器和电感的费用。
3 Reasons Why Using SiC Diodes in Your High Voltage Multiplier
SiC JBS diodes exhibit much lower leakage current as well as a better thermal behavior compared to Si Ultrafast diodes, which make them better suited for Power Applications and High Frequency Applications.
KT12DS10 High-Temperature, 1200V, 10Amp SiC JBS Diode
描述- 本资料介绍了Caly Technologies公司生产的KT12DS10型1200V、10A高温度4H-SiC结屏障肖特基二极管（JBS）。该二极管适用于高频和高功率系统，具有快速开关、正温度系数、高反向电压和宽工作温度范围等特点，适用于电力转换、工业驱动、开关电源、功率因数校正和电压阻挡等领域。
型号- KT12DS10,KT12DS10B,KT12DS10T57
增强浪涌能力碳化硅肖特基二极管可以用于电源转换器
CALY Technologies的增强型SiC肖特基二极管非常适合可再生能源的电源转换器、电机驱动器、服务器和电信电源、医疗设备中的电压倍增器、电池充电器，以及所有需要在高频切换时降低损耗的应用。
Improving Performance of Surge and Lightning Protection Circuits with Current Limiting Devices
Continuing to improve the support to customers adopting Current Limiting Devices (CLD) for their advanced surge and lightning protection solutions, CALY Technologies is proud to announce the release of Application Note AN-00038-17 “Improving Performance of Surge Protection Circuits with Current Limiting Devices.”
较SBD比具有更强浪涌能力及开关性能的增强型SiC肖特基二极管，适合于高频切换时需降低损耗的应用
CALY Technologies设计和商业化的MPS肖特基二极管与sta门板SiC肖特基势垒二极管（SBD）相比，具有更强的浪涌能力以及改善的开关性能。这些性能直接转化为有用的优点，例如降低开关损耗和更优良的表现。
SiC SCHOTTKY KE17DJ10B 1700V,10A SILICON CARBIDE SIC SCHOTTKY DIODE
描述- 本资料介绍了Caly Technologies公司生产的KE17DJ10B型号1700V、10A碳化硅(SiC)肖特基二极管。该产品具有高浪涌电流能力，可在超过175°C的高温下工作，适用于高频和高效率应用，具有极低的待机功耗和开关功耗。
型号- KE17DJ10B,KE17DJ10T47,KE17DJ10
【经验】SiC限流装置（CLD）KE12LS200T的电热LTSpice模型说明
CALY Technologies采用碳化硅（SiC）材料制作出用于雷电保护应用的1.2kV/2 Ohm SiC限流装置（CLD）KE12LS200T，本文描述了SiC CLD电热LTSpice模型，旨在帮助客户设计和部署基于SiC CLD的雷电和电涌保护应用，通过帮助他们将建议的SiC CLD模型集成到LTSpice中以执行设备和系统级仿真。
【产品】最大工作结温超过175°C的SiC肖特基二极管，适合高压高频高效率的电力电子应用
CALY Technologies 碳化硅肖特基二极管可实现低传导、零反向和正向恢复损耗。SiC比硅有更高的击穿场强和热导率。这些特点使SiC肖特基二极管非常适合于高压、高频率和高效率的电力电子应用，性能表现优于硅二极管，从而成为降低尺寸、重量和总成本的关键因素。
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