Central Semiconductor（中央半导体） 贴片式分立半导体选型指南
Part Number Index Small Signal Transistors MOSFETs Bipolar Power Transistors Diodes Protection Devices Rectifiers Thyristors Multi Discrete Modules Package Mechanical Specifications
2020/2/28 - 选型指南 CENTRAL SEMICONDUCTOR - ZENER ARRAY,多离散模块,ESD TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,GENERAL PURPOSE SWITCHES,通用开关,ULTRA LOW LEAKAGE DIODES,开关二极管,双极功率晶体管,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,TVS,双向可控硅,SWITCHING DIODES,HYPER FAST RECOVERY RECTIFIERS,SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIERS,GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS,瞬态电压抑制器,LOW VCE(SAT) BIPOLAR POWER TRANSISTORS,快速恢复整流器,RECTIFIERS,SCHOTTKY RECTIFIERS,SCRS,HIGH VOLTAGE SMALL SIGNAL TRANSISTOR,HIGH VOLTAGE BIPOLAR POWER TRANSISTORS,稳压二极管,TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES,ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS,肖特基二极管,达林顿,ESD保护四线二极管阵列,限流二极管,小信号晶体管,HIGH CURRENT SMALL SIGNAL TRANSISTOR,N-CHANNEL MOSFET,N-CHANNEL MOSFETS,CHOPPER,螺旋电缆,通用放大器,SMALL SIGNAL TRANSISTORS,低泄漏二极管,ESD PROTECTION QUAD LINE DIODE ARRAY,HIGH CURRENT, CURRENT LIMITING DIODES,CURRENT LIMITING DIODES,TVS ARRAY,DARLINGTON,超快恢复整流器,肖特基整流器,一般型整流器,碳化硅（SIC）肖特基整流器,MOSFETS,超低泄漏二极管,DARLINGTON BIPOLAR POWER TRANSISTORS,GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS/SWITCHES,ESD瞬态电压抑制器,GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS/SWITCHES BIPOLAR POWER TRANSISTORS,STABISTOR DIODES,GENERAL PURPOSE RECTIFIERS,ZENER DIODES,TRIACS,RF OSCILLATOR,MULTI DISCRETE MODULES,SUPER FAST RECOVERY RECTIFIERS,射频振荡器,LOW NOISE AMPLIFIERS,SATURATED SWITCHES,SCHOTTKY DIODES,SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY RECTIFIERS,LOW VF SCHOTTKY DIODE,P-CHANNEL MOSFET,BIPOLAR POWER TRANSISTORS,饱和开关,低噪声放大器,P-CHANNEL MOSFETS,LOW VCE(SAT) SMALL SIGNAL TRANSISTOR,DIODES,桥式整流器,EXTREMELY HIGH VOLTAGE BIPOLAR POWER TRANSISTORS,高电流、限流二极管,MOSFETS器件,温度补偿齐纳二极管,LOW LEAKAGE DIODES,BRIDGE RECTIFIERS,FAST RECOVERY RECTIFIERS,DIODE ARRAY,整流管,二极管,CMUT3904,CMDZ10L,CMXZ9V1TO,CMZ5935B,P4SMA16A,CMUT3906,CMPZDC2V7,CMPZDC36V,CMSZ5252B,P6SMB56A,CLL4754A,CMF64A,CMR1U-04FL,CMPD2003,CMDZ10V,CMKBR-6F,CMDZ,军工,航空,医学,NETWORKING,SOLAR,网络,INDUSTRIAL,SMART WEARABLES,照明,MIL,CONSUMER,太阳能,LIGHTING,ALTERNATIVE ENERGY,MEDICAL,消费,AERO,工业,替代能源,智能可穿戴设备
Central Semiconductor（中央半导体）二极管选型指南
Switching Diodes Schottky Diodes Low Leakage Diodes/Ultra Low Leakage Diodes/Stabistor Diodes/Current Limiting Diodes High Current, Current Limiting Diodes Temperature Compensated Zener Diodes Zener Diodes
2020/2/27 - 选型指南 CENTRAL SEMICONDUCTOR - SCHOTTKY DIODES,稳压二极管,低泄漏二极管,HIGH CURRENT, CURRENT LIMITING DIODES,CURRENT LIMITING DIODES,TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES,ULTRA LOW LEAKAGE DIODES,开关二极管,DIODES,肖特基二极管,超低泄漏二极管,高电流、限流二极管,限流二极管,SWITCHING DIODES,STABISTOR DIODES,ZENER DIODES,温度补偿齐纳二极管,LOW LEAKAGE DIODES,二极管,CMDZ10L,CMOZ6L8,CMZ5935B,CMPZDC12V,CTLZ3V9,CMPZDC2V7,CMPZDC36V,CMSZ5252B,CMOZ6L2,CMPZ4614*,CLL4730A,CMLZDA9V1,CMPD7000E,CLL4754A,CMPD2003,CMDZ10V,CMHZ
Central Semiconductor（中央半导体）裸芯片器件（二极管/整流器/晶体管/场效应管/晶闸管/保护器件）选型指南
2019/10/10 - 选型指南 本指南介绍了Central Semiconductor公司提供的裸片产品，包括标准裸片器件和定制服务。指南涵盖了小信号晶体管、MOSFET、双极性功率晶体管、二极管、保护器件、整流器和晶闸管等。指南详细介绍了产品的编号、包装方式、测试能力和定制服务，并提供了在线产品目录和报价请求信息。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - THYRISTORS,SCR,UJT THYRISTORS,达林顿晶体管,RF OSCILLATOR TRANSISTORS,开关二极管,晶闸管,结型场效应管,DARLINGTON TRANSISTORS,LOW VCE(SAT) TRANSISTORS,双向可控硅,SWITCHING DIODES,ESD二极管,RECTIFIERS,ESD PROTECTION DIODES,ESD ARRAYS,保护装置,稳压二极管,PROGRAMMABLE UJT THYRISTORS,TRIAC THYRISTORS,肖特基二极管,晶体管,BARE DIE DEVICES,SCR THYRISTORS,TVS DIODES,可编程UJT晶闸管,TRIAC,UJT晶闸管,TRANSISTORS,低VCE（SAT）晶体管,MOSFETS,ZENER DIODES,SCR晶闸管,JFETS,RF OSCILLATOR,静电放电保护二极管,ESD阵列,射频振荡器,PROTECTION DEVICES,SCHOTTKY DIODES,ESD DIODES,裸片器件,可控硅,DIODES,三端双向可控硅元件,MOSFETS器件,TVS二极管,整流管,二极管,射频振荡器晶体管,CP373-CTLDM303N 30V,CP361X-CEDM7001,CP127-TIP142,CP357X,CP382X-CMPT3820,CPD79-CTLSH2-40,CPD65-BAV45,CPZ19-1N5242B,CP388X-BC847B,CPZ28X-1N5261B,CP101-B
Central Semiconductor（中央半导体）场效应管（MOSFET）选型表
2020/2/27 - 选型指南 CENTRAL SEMICONDUCTOR - MOSFET,P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,N沟道MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N-CHANNEL MOSFETS,P-CHANNEL MOSFETS,CMLDM7120TG,CMLDM7002AJ,CXDM4060N,CMNDM8001,CXDM4060P,CMKDM8005,CMLDM7003TG,CMLDM8002AJ,CMLDM7005,CMPDM7002AE,CMLDM7484,CMLDM7003,7002A,CTLDM7002AM621
Central Semiconductor（中央半导体）双极型功率晶体管选型指南
2016年7月20日 - 选型指南 CENTRAL SEMICONDUCTOR - EXTREMELY HIGH VOLTAGE,BIPOLAR POWER TRANSISTORS,LOW VCE(SAT),AMPLIFIERS/SWITCHES,DARLINGTON,双极功率晶体管,HIGH VOLTAGE,7090L,7120,CZTUX87,47,42C,CZT32C,3120,CMPT491E,350,CJD41C,A44HC,CTLT853-M833S,CZT7090LE,112,CJD340,CZT853,117,953,955,13003,50,5338,44H11,CJD3055,CXT8
Central Semiconductor双极结型晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）双极结型晶体管选型。参数信息如下：最大直流电集电极电流：10mA~50A，集电极-发射极最大电压VCEO：12V~400V，此产品广泛应用于小信号的一般放大和开关等应用
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产品型号
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品类
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最大直流电集电极电流
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集电极-发射极最大电压VCEO
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集电极-基极电压VCBO
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发射极-基极电压VEBO
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集电极-射极饱和电压
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Pd-功率耗散
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增益带宽产品fT
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最小工作温度
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最大工作温度
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2SC1815-GRPBFREE
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双极结型晶体管
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150mA
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50V
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60V
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5V
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250mV
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400mW
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80MHz
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-55℃
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+125℃
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Central Semiconductor双极性晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）双极性晶体管选型。参数信息如下：电流集电极(Ic)（最大值）：50mA~1A，电压集射极击穿（最大值）：25V~160V。此产品广泛应用于工业、消费等领域
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产品型号
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品类
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电流集电极(Ic)（最大值）
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电压集射极击穿（最大值）
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不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）
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电流集电极截止（最大值）
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不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）
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功率最大值
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频率跃迁
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CMKT5087 TR PBFREE
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双极性晶体管
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50mA
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50V
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300mV@1mA，10mA
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50nA（ICBO）
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250@100µA，5V
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350mW
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40MHz
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Central Semiconductor整流器选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）整流器选型。整流器参数如下：电压DC反向(Vr)（最大值）：20V—1300V，电流平均整流(Io)：15mA—16A。此产品广泛应用于工业，消费，医疗和电源等应用
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产品型号
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品类
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电压DC反向(Vr)（最大值）
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电流平均整流(Io)
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不同If时电压正向(Vf)
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速度
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不同Vr时电流反向泄漏
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CMPSH-3AE TR PBFREE
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整流器
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40V
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200mA
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1V@200mA
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小信号=<200mA（Io），任意速度
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500nA@25V
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Central Semiconductor晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）晶体管选型。产品参数如下：漏源电压（Vdss）：20V~800V，25°C时电流连续漏极 (Id)：100mA（Ta）~11A（Ta）。此产品广泛应用于小信号、通用开关等应用
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产品型号
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品类
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漏源电压（Vdss）
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25°C时电流 连续漏极 (Id)
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驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）
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不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
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不同Id时Vgs(th)（最大值）
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不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
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Vgs（最大值）
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不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
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CXDM3069N TR PBFREE
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晶体管
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30V
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6.9A（Ta）
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2.5V，10V
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30毫欧@7A，10V
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1.4V@250µA
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11nC@10V
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12V
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580pF@15V
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Central Semiconductor晶闸管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）晶闸管选型。参数信息如下：电压-断态：60V~600V，电压-栅极触发(Vgt)（最大值）：800mA，电流-栅极触发(Igt)（最大值）：200µA。此产品广泛应用于工业自动化，电力及能源、再生能源，安防监控、楼宇自动化，医疗电子，照明系统，电机控制，电池管理，测试测量，消费电子，可穿戴设备等领域。
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产品型号
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品类
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电压-断态
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电压-栅极触发(Vgt)（最大值）
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电流-栅极触发(Igt)（最大值）
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电压-通态(Vtm)（最大值）
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电流-通态(It (RMS))（最大值）
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电流-保持(Ih)（最大值）
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电流-断态（最大值）
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2N5063 PBFREE
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晶闸管
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150V
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800mV
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200µA
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1.7V
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800mA
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5mA
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1µA
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Central Semiconductor稳压二极管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）稳压二极管选型。参数信息如下：Ir-最大反向漏电流：10nA~100uA，Zz-齐纳阻抗：1Ohms~1.55kOhms。此产品广泛应用于各种类型的商业、工业、娱乐、计算机和汽车领域，具有突出的应用优势
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产品型号
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品类
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电压容差
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Ir-最大反向漏电流
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Zz-齐纳阻抗
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最小工作温度
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最大工作温度
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CMZ5359BTR13PBFREE
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稳压二极管
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0.05
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500nA
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3.5Ohms
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-65℃
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+175℃
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【选型】太阳能光伏发电系统电池板旁路二极管选型设计
2019-06-07 - 器件选型 太阳能电池板需要反向并联旁路二极管，可防止太阳能电池在强光下由于遮挡，造成其中一些因为得不到光照而成为负载产生严重发热受损，能够有效地防止硅电池片因热斑效应而烧毁。Central Semiconductor公司的肖特基二极管具有恢复时间快，正向压降低，低功耗和高效率等优势，可作为太阳能电池板旁路二极管的优先选择。
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