GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
选型表 - GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.
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产品型号
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品类
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Package
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Type
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ESD
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Vds (V)
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Vgs(V)
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Ids(A)
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Pd(W)
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Vgs(th) max (V)
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Qg(nC)
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Qgs(nC)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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Crss (pF)
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Technology
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G06P01E
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Trench Mosfet
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SOT-23
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P
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ESD
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-12
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±10
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-4
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1.8
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-1
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14
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2.3
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3.6
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1087
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253
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TRENCH
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TO-263封装外形图
2025/02/22 - 技术文档 本资料提供了TO-263封装的元器件尺寸规格和推荐焊盘图案。内容包括封装的各个尺寸参数，如A、A1、A2、b、b1、b2、63、C、c1、c2、D、D2、E、E1、E2、e、H、1、L1、L2、13、0等，并给出了最小、标准、最大值。同时，还提供了焊盘图案的推荐尺寸。
GOFORD - TO-263封装,适用于电子元器件的封装设计
证书 CN20/30058 译本
2026年01月08日 - 测试报告 深圳市谷峰电子有限公司管理体系经过审核，符合ISO 9001:2015标准，涉及功率半导体器件的设计与销售。证书有效期为2026年01月08日至2029年01月07日，需定期监督审核以保持有效。证书由SGS United Kingdom Ltd颁发，可在国家认证认可监督管理委员会官方网站查询。
GOFORD - 管理体系认证证书,CN20/30058,功率半导体器件的设计与销售
谷峰电子MOSFET在65W及65W以内功率段的PD快充电源应用中该如何选型？
2024-08-24 - 器件选型 PD快充电源中有3个地方会用到MOSFET，初级主芯片PWM开关（Q1），次级同步整流管SR（U2），次级输出控制开关Vbus（Q3）。初级会用到高压MOS，次级用到低压MOS。本文文章分别来讲讲这三个地方所用MOS管应该注意哪些方面。
SOP-8 封装规格
2025/03/19 - 技术文档 资料详细介绍了SOP-8封装的元器件的包装数量、胶带规格、设备胶带方向、压痕载体胶带规格、尺寸以及包装箱和纸箱的尺寸。内容涵盖了包装数量、胶带宽度、卷盘尺寸、卷盘数量、包装箱数量和纸箱数量等关键信息。
GOFORD - 电子元器件封装,SOP-8
证书 CN20/30058
2026/01/01 - 测试报告 GOFORD SEMICONDUCTOR CO., LTD.的管理体系已通过ISO 9001:2015认证，涵盖功率半导体器件的设计与销售。证书有效期为2026年1月8日至2029年1月7日，需通过满意的监督审核以维持有效性。认证由SGS United Kingdom Ltd授权，证书信息可在中华人民共和国认证认可 Administration网站上验证。
GOFORD - 质量管理体系认证证书,CN20/30058,设计和销售功率半导体设备
GOFORD GT025N06AD5 SGT MOSFET (Low Rds(on) 1.8mΩ, Fast Switching) in DFN5*6-8L
2025-03-13 - 产品 GT025N06AD5 is produced with advanced SGT (Shield Gate Trench MOSFET) technology with extremely low Rsp. It especially lowers the miller capacitor and greatly reduces switching loss. It improves the avalanche while optimizes Rdson and Qg.
包装数量 设备 胶带方向 起始和结束规格 压花载体 胶带规格 尺寸 进箱尺寸 纸箱尺寸 进给方向
2025/08/05 - 数据手册 本资料详细介绍了DFN3X3-8L封装的元器件的包装规格、设备胶带方向规格、压痕载体胶带规格以及尺寸信息。资料中包含了包装数量、胶带宽度、卷盘尺寸、卷盘数量、箱装数量和纸箱数量等详细信息。
GOFORD - 电子元器件,DFN3X3-8L
Ultra-Low Resistance MOSFETs for Advanced Power Systems
2025-10-20 - 产品 Goford Semiconductor‘s advanced N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, rapid switching, and enhanced thermal performance for industrial, automotive, and renewable energy applications.
谷峰GT100P10M 100V P管：大功率大电流应用的高性能MOSFET
2025-08-11 - 产品 在工业自动化、能源存储、音频设备和电动工具等领域，功率器件的性能直接决定系统效率与可靠性。GOFORD 推出的GT100P10M P沟道增强型功率MOSFET，凭借先进SGT技术带来的低导通电阻、高电流承载能力和优异热性能，成为跨领域大功率应用的理想选择。
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