GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.
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产品型号
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品类
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Configuration
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ESD
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VDS(V)
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Id at 25℃(max)(A)
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PD(max)(W)
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Vgs(th)typ(V)
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RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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Crss(pF)
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Package
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G06P01E
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Trench Mosfet
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P channel
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ESD
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-12V
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-4A
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1.8W
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-0.6V
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23mΩ~28mΩ
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14
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1087
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253
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SOT-23
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选型表 - GOFORD 立即选型
谷峰电子MOSFET在65W及65W以内功率段的PD快充电源应用中该如何选型？
PD快充电源中有3个地方会用到MOSFET，初级主芯片PWM开关（Q1），次级同步整流管SR（U2），次级输出控制开关Vbus（Q3）。初级会用到高压MOS，次级用到低压MOS。本文文章分别来讲讲这三个地方所用MOS管应该注意哪些方面。
广告 发布时间 : 2024-12-19
06N06L N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了06N06L N-Channel增强型功率MOSFET，该产品采用先进的沟槽技术，具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于多种应用场景，包括功率开关和DC/DC转换器。
型号- 06N06L
G35N02K N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了G35N02K N-Channel增强型功率MOSFET的特性、规格和应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- G35N02K
谷峰电子授权世强硬创代理SiC/SJ MOSFET、沟槽/平面型MOSFET
所有产品的市场应用覆盖中小功率充电器、适配器、工业电源、LED驱动电源、BMS、电动工具、电机、5G基站、商业显示屏、汽车电子、通讯、能源等领域。
G45P40T P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了G45P40T P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性、规格和应用。它采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- G45P40T
5N60/5N60F 600V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了GOFORD公司生产的5N60/5N60F型号600V N-Channel MOSFET。该器件采用先进的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷和优异的雪崩特性。适用于交流适配器、电池充电器和SMPS等领域。
型号- 5N60,5N60F
G900P15T P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了G900P15T P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- G900P15T
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