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选型替换

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【选型】国产SPI Nor Flash可P2P替代W25Q256JVE、IS25LP256E,参数相近,管脚相同

2021-10-30 -  器件选型 本文重点推荐供货优良、有价格优势的国产厂家:博雅科技。分三个部分重点分析博雅SPI Nor Flash BY25Q256FSEI替代台湾华邦的W25Q256JVE及ISSI的IS25LP256E的可行性。

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【技术】通过蓝牙技术,实现手机来解锁汽车

2022-08-04 -  技术探讨 其实早已存在“无钥匙进入及启动系统(PEPS, Passive Entry Passive Start)”的技术构想。在车上添加一个蓝牙模块,该模块主动发射低频信号寻找车主的手机,通过精准的ISSI算法和加密的通讯过程实现手机靠近自动开锁。

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微通道板,MEMORY,内存,DRAM,MCP,FLASH,SRAM,闪光,4GB LPDDR4,LPDDR4,OCTALRAM,LPDDR2,DDR3 SDRAM W/ ECC,64GB UFS,HYPERFLASH™,8GB EMMC5.1,2GB LPDDR4,8GB LPDDR4,産業機器/医療,民生,車載関連,通信

坚持存储器不停产、不缩die、不改版的厂家:Alliance Memory

2019-01-18 -  原厂动态 Alliance Memory是全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家,产品涵盖SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3。Alliance坚守 “不停产、不缩die、不改版”的“三不”原则。提供Micron美光存储器、CYPRESS赛普拉斯存储器、SAMSUNG三星存储器、ISSI存储器、IDT存储器的高品质替代产品,且不需要任何设计方面的修改。是工业、汽车等领域的理想选择。

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【选型】博雅科技NOR Flash BY25Q128ASSJG(T)替代 IS25LP128-JBLE的可行性分析

2022-05-13 -  器件选型 针对NOR Flash国产替代,本文重点推荐推荐供货优良、有价格优势的国产厂家:博雅科技。并从NOR Flash的主要参数分析博雅BY25Q128ASSJG(T)替代ISSI IS25LP128-JBLE的可行性。

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【选型】工业级NAND Flash GD5F1GQ5UEYIGR可对标ISSI的IS37SML01G1-LLI

2020-09-15 -  器件选型 本文介绍兆易创新的工业级NAND Flash GD5F1GQ5UEYIGR,可以PIN-TO-PIN兼容ISSI的NAND Flash IS37SML01G1-LLI。内存大小、工作电压、工作温度、功耗、封装等参数基本相同,但频率更高。

【产品】通用烧录器AP8000支持ISSI的FLASH存储器IS25WP080D-JN芯片烧录

2023-11-21 -  产品 芯录微半导体近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表,其中ISSI的IS25WP080D系列FLASH存储器IS25WP080D-JN的烧录已经被芯录微的通用烧录平台AP8000所支持。

【选型】车规级serial Flash GD25Q16CSAG替换ISSI的IS25LP016D-JBLA3

2019-08-09 -  器件选型 Flash芯片是应用非常广泛的存储材料,为了减少芯片启动引脚,设计了SPI serial Flash作为启动存储器。其采用SPI的方式进行串行的读取数据,减小引脚消耗。这个只是通信方式的改变,其内部结构不变。本文介绍一款兆易创新车规级serial Flash GD25Q16CSAG,该芯片可以PIN-TO-PIN替换ISSI的serial Flash IS25LP016D-JBLA3。

【选型】Pin to Pin替代芯成ISSI的IS25WP020D 车规级NOR FLASH芯片GD25LQ20CEAG

2019-08-27 -  器件选型 兆易创新作为国内首家成功研发移动高速存储芯片的公司,推出了一款USON 2*3mm封装的2M bit 车规级serial Flash芯片GD25LQ20CEAGR,可以完美替代市场上应用的美系芯成ISSI的的serial Flash产品IS25WP020D。

【选型】可替代ISSI芯成 IS25LP016D的国产车规级Nor flash芯片GD25Q16CEAG,功耗更低1uA

2019-08-31 -  器件选型 兆易创新作为国内首家成功研发移动高速存储芯片的公司,推出了一款USON 2*3mm封装的16M bit serial Flash芯片GD25Q16CEAG,可以完美替代市场上应用的美系芯成ISSI的的serial Flash产品IS25LP016D。

【应用】低成本NAND FLASH GD9FU1G8F2AMGI成功替代S34ML01G100TFI00用于中位机

2020-07-07 -  应用方案 笔者公司实验室检测仪器的中位机需要存储流程代码程序以及重要的数据,所以在中位机板MCU外部设计有1Gbit的NAND FLASH,公司原来采用的是美国ISSI的S34ML01G100TFI00,基于采购周期,难度以及成本的考虑,现在需要进行替代选型,要求pin to pin直接替换。兆易创新GD9FU1G8F2AMGI采购周期短,成本低的优势,可完美替代。

128/64Mb 3V串行闪存,具有133MHZ多I/O SPI和四I/O QPI DTR接口

03/28/2016  - 数据手册

ISSI  -  IS25LP128,IS25LP064

32/16/8Mb 3V四通道串行闪存,带多I/O SPI

06/27/2016  - 数据手册

ISSI  -  IS25LQ032B,IS25LQ016B,IS25LQ080B

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