Lyontek（来扬）异步SRAM/PSRAM/音频放大器选型指南
2022/03 - 选型指南 Lyontek Inc. is a fabless IC design company established in 2003 and located in Hsin-Chu Taiwan.Lyontek is dedicated in Asynchronous SRAM product design, developing and manufacturing for the following targat markets.
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Lyontek SRAM IC&Serial PSRAM选型表
选型表 - Lyontek Lyontek提供以下参数的SRAM IC，Serial PSRAM选型， speed：10ns~55ns，Operating Voltage：1.8V~5.5V
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产品型号
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品类
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speed(ns)
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Operating Voltage(V)
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Operating current(mA)
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LY61L102416ALL-10I
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SRAM IC
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10
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3.3
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90
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带SPI和QPI的LY68L6400 64M位串行伪SRAM
May.23.2023 - 数据手册 本资料介绍了LY68L6400系列64位串行伪静态随机存取存储器（PSRAM），支持SPI和QPI接口。该产品具有低功耗、高速传输等特点，适用于多种电子设备。
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LY6264 Rev. 2.12 8K×8位低功耗CMOS静态随机存取存储器
2026/01/18 - 数据手册 LY6264是一款8K x 8位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能、高可靠性CMOS技术制造。它具有快速访问时间、低功耗、单电源供电、所有输入和输出与TTL兼容等特点，适用于低功耗系统应用，尤其适合电池备份的非易失性存储器应用。
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LY62L204916B 2048K X 16位低功耗CMOS SRAM
Mar.20.2024 - 数据手册 LY62L204916B是一款低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有快速访问时间、低功耗等特点。该产品适用于电池备份的非易失性内存应用，支持单电源供电，工作电压范围为2.7V至3.6V。
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LY6264B Rev. 1.0 8K×8位低功耗CMOS静态随机存取存储器
Oct.6.2024 - 数据手册 LY6264B是一款8K X 8位低功耗CMOS静态随机存取存储器，采用高性能、高可靠性CMOS技术制造。具有快速访问时间、低功耗、单电源供电、全静态操作等特点，适用于低功耗系统和电池备份非易失性存储器应用。
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LY62L409816A 64M位（4Mx16/8Mx8可切换）低功耗CMOS SRAM
Jul.30.2020 - 数据手册 LY62L409816A是一款64兆位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有4Mx16/8Mx8的可切换容量。该产品采用高速、高可靠性的CMOS技术制造，适用于低功耗应用，特别是电池备份的非易失性内存应用。
LYONTEK - 64M BITS (4MX16/8MX8 SWITCHABLE) LOW POWER CMOS SRAM,67108，864位低功耗CMOS静态随机存取存储器,64M位（4MX16/8MX8可切换）低功耗CMOS SRAM,67,108,864-BIT LOW POWER CMOS STATIC RANDOM ACCESS MEMORY,LY62L409816A,LY62L409816ALL-55SLIT,LY62L409816A-55,LY62L409816ALL-55SLT,LY62L409816ALL-55SL,LY62L409816A(I),LY62L409816ALL-55SLI,BATTERY BACK-UP NONVOLATILE MEMORY APPLICATION,电池备份非易失性存储器应用
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LY61L102416A 1024KX 16位高速CMOS SRAM
Mar.22.2017 - 数据手册 该资料介绍了LY61L102416A型1024K X 16位高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的技术规格和应用。内容包括产品特性、功能框图、引脚描述、绝对最大额定值、直流电气特性、电容、交流电气特性、时序波形、数据保持特性和封装尺寸。
LYONTEK - 1024K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM,16M-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RANDOM ACCESS MEMORY,16M位高速CMOS静态随机存储器,1024K X 16位高速CMOS SRAM,LY61L102416ALL-10I,LY61L102416ALL-10IT,LY61L102416ALL-12IT,LY61L102416ALL-12I,LY61L102416AGL-10T,LY61L102416A-12,LY61L102416ALL-12T,LY61L102416A-10,LY
LY62W5128 Rev. 2.1 512K X 8 BIT 低功耗CMOS静态随机存取存储器
Aug.11.2025 - 数据手册 LY62W5128是一款512K X 8位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有快速访问时间、低功耗、单电源供电、全静态操作等特点。适用于低功耗系统应用，尤其适合电池备份的非易失性存储器应用。
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LY61L25616A 256K X 16位高速CMOS SRAM
Feb.13.2017 - 数据手册 该资料介绍了LY61L25616A型256K X 16位高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的技术规格和应用。内容包括产品特性、电气特性、功能框图、引脚描述、绝对最大额定值、真值表、直流电气特性、电容特性、交流测试条件、读写周期时间波形、数据保持特性、封装尺寸和订购信息。
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LY62W2568B 版本 1.2 256K×8 位低功耗CMOS静态随机存取存储器
Aug.11.2025 - 数据手册 LY62W2568B是一款256K X 8位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能、高可靠性CMOS技术制造。具有快速访问时间、低功耗、单电源供电、全静态操作等特点，适用于低功耗系统应用，尤其适合电池备份的非易失性存储器应用。
LYONTEK - 低功耗CMOS SRAM,LY62W2568B,低功耗系统应用,电池备份非易失性存储器应用
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