MASPOWER(麦思浦)超高压MOSFET,IGBT单管及FRD选型指南
2025/5/8 - 选型指南 深圳市麦思浦半导体有限公司是一家专注于超高压MOSFET、IGBT单管及FRD研发设计与方案解决的企业。公司产品应用于工业电源、光伏储能、仪器仪表、医疗电源等行业，致力于解决客户缺芯问题。公司拥有深圳总部和上海研发中心，并在苏州设有分公司，覆盖华东、华北、西南等地区。
MASPOWER - LV MOS,MOSFET,FS-IGBT,FRD模块,交直流,SIC MOS,FRD MODULES,NPT-IGBT,SJ MOS,碳化硅MOS,IGBT,超快恢复二极管,AC-DC反激电源,低压MOS,AC-DC,快恢复二极管,HVMOS,MS28N85FCC,MS601C170XXC0,ESTF75SS120US,MS18N20FD,ESTF80D40U,MS24N80HCE0,ESTF15SS60UC,ESJ75SH120AN,MS28N85FCE,ESTF8SS80RM,EST120BN40SN,MS8N100FS,MS8N10,增程器,PCS,变频器,交流弧焊,高射频电源,焊接设备,电力电源,仪器仪表,直流焊,车载充电器,不间断电源,电动汽车,AED除颤仪,工商业储能,UPS,频加热,光伏储能,国网电力电源,计算机断层扫描,电机驱动,工业机器人,医疗设备,伺服驱动器,充电桩,医疗电源,工业控自动化,新能源,气体保护焊,切割机,CT,工业电源,电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器,数码发电
MASPOWER(麦思浦)IGBT/MOSFET/FRD模块/AC-DC电源转换器/IC选型指南
2024/6/5 - 选型指南 公司专注于电压800V—4700V超高压MOSFET细分领域系列化开发，解决客户缺芯问题， 主要服务工业电源，光伏储能，仪器仪表，医疗电源，国网电力电源等行业。
MASPOWER - MOSFET,AC-DC POWER CONVERTER,OPA,FS-IGBT,FRD模块,SIC MOS,NPT-IGBT,IGBT,低压MOS,超高压MOSFET,FS - IGBT,快恢复二极管、超快恢复二极管,IC,高压MOS,LV MOS,AC - DC反激电源,SJ MOS,集成电路,半导体功率器件芯片,碳化硅MOS,运算放大器,HV MOS,IGBT单管,FRD,FRD MODULES,快恢复二极管,AC-DC电源转换器,ESTF75SS120US,MS18N20FD,ESTF80D40U,MS10N100FB,ESTF15SS60UD,MS24N80HCE0,ESTF15SS60UC,MS10N100FA,ESJ75SH120AN,ESTF8SS80RM,EST120BN40SN,MS8N100FS,MS9N120,增程器,PCS,开关电源,变频器,功率放大器,交流弧焊,焊接设备,电力电源,仪器仪表,直流焊,光伏逆变,车载充电器,电子负载,不间断电源,电动汽车,AED除颤仪,射频电源,工商业储能,UPS,光伏储能,智能电表,国网电力电源,计算机断层扫描,电机驱动,工业机器人,医疗设备,伺服驱动器,充电桩,BMS,医疗电源,工业控自动化,高频加热,新能源,气体保护焊,切割机,CT,工业电源,电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器,数码发电,变频驱动
MASPOWER（麦思浦） IGBT选型表
选型表 - MASPOWER MASPOWER（麦思浦）提供如下IGBT的技术选型，VCE [V]范围：+330~+1200；IC [A]范围：+6~+160;VCE(sat) [V]范围：+1.15~+4.5；Tf [ns]范围：+27~+224;Eon [mJ]范围：+0.13~+140；Eoff [mJ]范围：+0.08~+69，MASPOWER的IGBT拥有TO-220、D2PAK、TO-220F、TO-247等多种封装形式可以广泛用于焊接设备、工业控自动化、新能源、电动汽车、电源、智能物联等领域。
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产品型号
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品类
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PKG
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VCE [V]
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IC [A]
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VCE(sat) [V]
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Tf [ns]
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Eon [mJ]
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Eoff [mJ]
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MSG50N350FH
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IGBT
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TO-247
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330
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50
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1.30
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120
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1.55
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0.95
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MASPOWER（麦思浦）MOSFET选型表
选型表 - MASPOWER MASPOWER（麦思浦）提供如下MOSFET的技术选型，Vds [V]范围：-200~+4700；ld [A]范围：-26~+340;Vgs [V]范围：-12/+12~-30/+30；Rds(on) [Q]范围：+0.0016~+39;Qg [nC]范围：+5.4~+450；Qgs [nC]范围：+0.7~+135；Qgd [nC]范围：+1~+226。MASPOWER的MOSFET拥有SOT-8、SOT223、TO-252、TO-220等多种封装形式可以广泛用于焊接设备、工业控自动化、新能源、电动汽车、电源、智能物联等领域。
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产品型号
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品类
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PKG
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Vds [V]
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ld [A]
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Vgs [V]
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Rds(on) [Q]
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Qg [nC]
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Qgs [nC]
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Qgd [nC]
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MS100N03IDD0
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MOSFET
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TO-252
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30
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120
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-20/+20
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0.0036
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89
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9
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16
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MASPOWER（麦思浦）快恢复二极管模块FRD Modules选型表
选型表 - MASPOWER MASPOWER（麦思浦）提供如下FRD Modules的技术选型，VRRM [V]范围：+120~+1950；IF [A]@100°C范围：+8~+200×2;VF [V]@25°C范围：+0.9~+3.2；trr [ns]@25°C范围：+21~+180;Irrm [mA] @25℃范围：+0.00001~+8.8；MASPOWER的FRD Modules拥有DFN5*6、TO-220F、TO-3PB、TO-247AC等多种封装形式可以广泛用于焊接设备、工业控自动化、新能源、电动汽车、电源、智能物联等领域。
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产品型号
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品类
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PKG
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VRRM [V]
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IF [A]@100°C
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VF [V]@25°C
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trr [ns]@25°C
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Irrm [mA] @25℃
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MSTF30SS12XI
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FRD Modules
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DFN 5*6
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120
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30
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0.92
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麦思浦闪耀西安电力电子技术产业大会
2025-10-25 - 原厂动态 深圳市麦思浦半导体有限公司在西安电力电子技术产业大会上展示其在半导体功率器件领域的创新成果，重点推出覆盖1700V至3500V的超高压IGBT及国内首款3000V超高压MOSFET，产品广泛应用于电动汽车充电设施、串式转换器和UPS等领域，凭借技术实力与品质赢得行业认可。
高性能芯片强烈选择MASPOWER
2026/02/03 - 商品及供应商介绍 Maspower半导体公司是一家专注于高电压MOSFET、IGBT和FRD研发和解决方案的国家级高新技术企业。公司产品涵盖800V至4700V的超高电压MOSFET，主要服务于工业电源、光伏储能、仪表、医疗电源和电网等领域。公司发展历程中推出了多款创新产品，并拥有成熟的技术和广泛的产品线。
MASPOWER - IGBT,超高压MOSFET,FRD,快恢复二极管,MS4N1350,MS5N100S,MS9N120H1,MS6N120FT,MS8N120FT,MS5N170FC,工业电源,电网电源,仪表,医疗电源,光伏储能
【元件】麦思浦首款2500V超高压MOSFET MS1N250HGC0上线，栅极电荷最小化可有效减少开关损耗
2023-11-10 - 产品 MS1N250HGC0是MASPOWER推出的首款2500V超高压MOSFET，进一步扩充超高压系列MOSFET的产品阵容，较之竞品具有电压较高电阻较低的优势；栅极电荷最小化，能够有效减少开关损耗，可应用于新能源、通信、医疗、光伏、和航天航空等领域。
新品发布 | 1A 4500v MOSFET 震撼登场，引领行业新突破
2026-01-13 - 产品 麦思浦半导体推出1A 4500v MOSFET，具备超高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于电力能源、工业控制、新能源及科研特种领域。
实力加冕！麦思浦半导体荣获电源行业重磅奖项
2025-12-09 - 原厂动态 麦思浦半导体荣获‘国产功率器件行业工业级优秀奖’，专注超高压MOSFET、IGBT单管及FRD研发，服务工业电源、光伏储能等领域，拥有80余款成熟产品。
麦思浦新品：MS2N300HGC0 MOSFET，具有强大的3000V额定电压和2A连续电流能力
2024-06-07 - 产品 作为高压电力电子行业的一个重大进步，Maspower的MS2N300HGC0 MOSFET在性能和可靠性方面树立新基准。TO-247封装，强大的3000V额定电压和2A连续电流能力。经过100%雪崩测试。
MS12N100FC/E/T/S
2023/3/22 - 数据手册 该资料介绍了MS12N100FC/E/T/S系列功率MOSFET的特性、绝对额定值、电学特性、热特性和订购信息。这些器件具有低栅极电荷、低导通电阻、快速开关速度和高浪涌电流能力等特点，适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器和LED电源等领域。
MASPOWER - MS12N100FE,MS12N100FT,MS12N100FC,MS12N100FS,HIGH FREQUENCY SWITCHING MODE POWER SUPPLY,基于半桥的电子镇流器,高频开关电源,LED POWER SUPPLIES,ELECTRONIC BALLAST BASED ON HALF BRIDGE,LED电源
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