NCE（新洁能）MOSFET选型表
2022/12/12 - 选型指南 NCE - NCE,MOSFET,NCE3035Q,NCE6080,NCEP050N12GU,NCE0208KA,NCEP060N10,NCE40P05Y,NCE4015S,NCEP025N12LL,NCEP40T15A,NCEP060N10D,NCE2030K,NCEP0160A,NCEP060N10F,NCE90N1K1
NCE（新洁能）IPM（智能功率模块）/PIM（功率集成模块）选型表
2022/12/12 - 选型指南 NCE - NCEM400B65FAH1,MODULE,模组,NCEM75C120FAE6,NCEM15C120PRE4,NCEM75C120FAE4,NCEM75C120PRE6,NCEM75C120PRE7,NCEM40C120PRY2,NCEM450C170HNE2,NCEM50W120HA34,NCEM450C120HNE
NCE（新洁能）IGBT选型表
2022/12/12 - 选型指南 NCE - NCE40TH60BP,IGBT,NCE40TD65BT,NCE75TD120WTP,NCE30TH60BPF,NCE20TH60BF,NCE15TD60BP,NCE15TD60BF,NCE15TD135LT,NCE15TD60BD,NCE15TD135LP,NCE30TH60BP,NCE20TH60BP,N
新洁能第三代 40V SGT-MOS:定义中低压功率器件新标杆
2025/07/16 - 选型指南 新洁能推出第三代SGT-MOSFET，涵盖25-150V电压范围，特别强调40V Gen.3 SGT MOSFET的性能升级。产品采用先进工艺，提升开关和导通特性，降低导通电阻和品质因子，提高电流密度和功率密度。产品系列丰富，包括不同封装形式，适用于多种应用领域，如新能源汽车、AI算力等。
NCE - NCEP0,MOSFET,NCEP008NH40ASL,NCEP022NH40GU,NCEP006NH40ASL,NCEP066NH40AGU,NCEP011NH40ASL,NCEP011NH40SL,NCEP017NH40GU,NCEP020NH40GU,NCEP015NH40GU,NCEP098NH40AGU,AI算力,适配器,不间断电源UPS,锂电池保护,无人机,新能源汽车,电动工具,通信服务器
NCE（新洁能）IGBT 选型表
选型表 - NCE NCE（新洁能）提供如下IGBT 的技术选型，V(BR)CES (V)范围：+600~+1350；IC(A)100℃范围：+7~+100；PD(W)25℃范围：+31~+937；±30 V VGE；VTH(V)Typ范围：+5~5.5；VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Typ范围：+1.5~+1.95；VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Max范围:+1.75~+2.3；1~60KHz Switching Frequency，Tsc(us)范围：+5~+10.....新洁能的IGBT 有TO-263、TO-3P、TO-220、TO-264、TO-247P、TO-3PF等多种Package，通过工艺与器件结构优化，新洁能的IGBT 具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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V(BR)CES (V)
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IC(A)100℃
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PD(W)25℃
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VGE(V)
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VTH(V)Typ
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VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Typ
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VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Max
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Switching
Frequency
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Tsc(us)
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NCE15TD120BT
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Trench FS II Fast IGBT
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TO-247
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1200
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15
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300
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±30
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5.5
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1.55
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1.8
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1~20KHz
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10
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NCE（新洁能）IPM、PIM 选型表
选型表 - NCE NCE（新洁能）提供如下IPM、PIM的技术选型，IC(A) Tj=100℃范围：+15~+820；5.5V VTH-Typ；VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ范围：+1.25~+2；VCE(sat)(V) @VGE=15V Max范围：+1.5~+2.4；1~40KHz Switching Frequency，Tsc(us)范围：+5~+10；Voltage（V)范围：+650~+1700.....新洁能的IGBT Module通过工艺与器件结构优化，以先进的IGBT芯片技术为基础，以保证产品工作效率较好；同时可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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IC(A) Tj=100℃
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VTH-Typ(V)
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ
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VCE(sat)(V) @VGE=15V Max
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Switching Frequency
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Voltage（V)
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NCEM40W120HA34
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IGBT Module
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34mm
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40
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5.5
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2
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2.4
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10~40KHz
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1200
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NCE（新洁能）MOSFET 选型表
选型表 - NCE NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
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-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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【应用】车规级N沟道功率MOSFET NCEAP016N85LL用于汽车48V BMS系统，最大持续电流可达385A
2023-06-29 - 应用方案 NCE（新洁能）车规级N沟道功率MOSFET NCEAP016N85LL，最大持续电流可达385A，可使用在汽车48V BMS系统上。漏源电压85V，可完全覆盖48V BMS系统电压范围，最大持续电流可达385A，更大的电流可减少主回路MOSFET数量，更有利于原理图的设计；导通阻抗1.2mΩ，更低的阻抗可有效减少系统损耗。
金兰功率半导体发布LE3系列三电平光伏、储能应用模块
2025-12-03 - 产品 金兰功率半导体推出LE3系列三电平光伏、储能应用模块，适用于125KW+逆变器，采用第七代IGBT和SiC SBD，提升效率与可靠性。
NCE0117K PcbLib & SchLib & IntLib
2026-02-11 00:00:00 - CAD模型库
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,NCE0117K,N通道增强模式功率MOSFET
MOSFET-零温度系数点ZTC（Zero Temperature Coefficient）
2024-10-12 - 技术探讨 开关电源应用中，功率MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通的饱和区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。本文着重介绍MOSFET开关在线性区的微观动态过程中，容易忽视的一个概念-零温度系数点ZTC，围绕ZTC展开的相关状态讨论。
金兰功率半导体发布LE2系列储能PCS应用模块，具有优异的动静态参数，低压降、低动态损耗
2026-02-11 - 产品 金兰推出LE2系列功率模块，采用先进封装架构与材料工艺，提供125KW-145KW储能PCS解决方案，具备优异动静态参数、高散热性能及高可靠性。
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