SEMI-FUTURE模块选型表
选型表 - SEMI-FUTURE SEMI-FUTURE提供以下参数的模块选型,VCES:650V~1700V,lc:10A~900A
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产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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SS820R08SA6
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模块
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750
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820
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SEMI-FUTURE晶圆选型表
选型表 - SEMI-FUTURE SEMI-FUTURE提供以下参数的晶圆选型,VCES:650V~1700V,lc:15A~300A,VCE(sat):1.4V~6.02V,VGEth:1.67V~6V
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产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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VCE(sat)(V)
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VGEth(V)
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SC193N12TFI8B
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晶圆
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1200
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200
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1.65
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5.8
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SEMI-FUTURE单管选型表
选型表 - SEMI-FUTURE SEMI-FUTURE提供以下参数的单管选型,VCES:650V~1200V,lc:40A~120A
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产品型号
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品类
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VCES(V)
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lc(A)
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Topology
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SD40R12A6
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单管
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1200
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40
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Discrete
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新品推介 | 森未科技125KW储能PCS用IGBT模块:S3L225R08G7U_C20
2025-09-18 - 产品 森未科技发布G系列产品S3L225R08G7U_C20,采用第7代750V/225A IGBT芯片与SiC-SBD混封技术,支持NPC1型三电平拓扑,适用于1000V系统125kW工商业储能,具备高功率密度、低杂散电感等优势。
回顾2024 | 森未科技大事记
2026-03-02 - 原厂动态 本文主要回顾森未科技在2024年的重要事件与进展,包括技术突破、产品发布、战略合作等方面取得的成果。
【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10HA7U_C20,采用Flow2系列封装
2024-09-27 - 产品 森未科技正式发布HA系列首款产品:S3L400R10HA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑,采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20,采用三电平INPC拓扑
2024-09-27 - 产品 森未科技正式发布GA系列首品:S3L400R10GA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,兼容性好。采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
森未科技亮相成都集成电路产业生态大会
2026-01-31 - 原厂动态 森未科技亮相成都集成电路产业生态大会,董事长受聘担任行业专家。现场重点展示了内置自主研发高效功率模块的320kW光伏逆变器,助力光伏产业规模化、高效化转型。
IGBT驱动器短路保护功能的测试方式
2024-10-10 - 设计经验 IGBT驱动器在应用中主要解决的问题就是如何在过流过流、短路和过压的情况下对igbt实行比较完善的保护。短路故障发生发瞬间就会产生极大的电流,很快就会损坏IGBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护,本文SEMI-FUTURE森未科技就详细说说IGBT驱动器短路保护功能的测试方式。
森未科技亮相ICCAD-Expo 2025,创新IGBT技术与先进集成组件成果引关注
2025-12-01 - 应用方案 森未科技亮相ICCAD-Expo 2025,展示创新IGBT技术与先进集成组件成果,推动新能源、工业控制及新能源车领域国产替代进程。
森未科技以功率技术点亮智慧餐饮新场景,加速功率半导体场景化落地
2025-12-17 - 应用方案 森未科技将自主研发的功率半导体器件应用于智能炒菜机器人,推动其在智慧餐饮场景的落地应用。
森未科技亮相 2025 世界清洁能源装备大会,以功率半导体助力可持续发展未来
2025-09-19 - 原厂动态 森未科技在2025世界清洁能源装备大会上展示650V-1700V全系列IGBT/SiC器件,产品覆盖10A-900A电流等级,广泛应用于光伏逆变器、储能变流器等清洁能源领域,凭借高效能、高可靠性及国产化优势获行业认可。
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