Shindengen（新电元）二极管/MOSFET/功率IC/功率模块选型指南
Semiconductor Part number index GENERAL RECTIFYING DIODES BRIDGE DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODES FAST RECOVERY DIODES THYRISTORS/SIDACs/TRIACs/SURGE ABSORBERS TVS POWER MOSFETs/POWER MODULES/POWER Ics PACKAGE LIST & PRODUCTS OUTLINE DIMENSIONS PACKING SPECIFICATION/NOTES
SHINDENGEN - LOW VF BRIDGE DIODES,TRANSIENT SURGE SUPPRESSOR,晶闸管,TVS,双向可控硅,LOW NOISE BRIDGE DIODES,BRAKE MODULES,功率集成电路,CONVERTER,HIGH SIDE DRIVER IC,SQIP (SQUARE IN-LINE PACKAGE) BRIDGE DIODES,VARISTOR,PFC ICS,SINGLE IN-LINE PACKAGE BRIDGE DIODES,瞬态浪涌抑制器,FAST RECOVERY DIODES,通用整流二极管,BRIDGE DIODES,POWER ICS,DIODE IC,DUAL IN-LINE PACKAGE BRIDGE DIODE,HIGH SPEED BRIDGE DIODES,肖特基势垒二极管,SURGE ABSORBERS,THYRISTOR SURGE SUPPRESSORS,快恢复二极管,3 PHASE BRIDGE DIODES,DIODE MODULE,POWER CLAMPERS,桥式二极管,POWER MOSFETS,LOW SIDE DRIVER IC,SBD,THYRISTORS,TRIACS,DIP (DUAL IN-LINE PACKAGE) BRIDGE DIODE,LOW POWER STANDBY QUASI-RESONANT POWER SUPPLY ICS,SMALL BRIDGE DIODES,硅双向触发开关,POWER MODULES,电源模块,SIP (SINGLE IN-LINE PACKAGE) BRIDGE DIODES,浪涌吸收器,SIDACS,POWER IC,INVERTER MODULES,LLC CURRENT RESONANT MODE CONTROLLER ICS,功率MOSFETS,FRD,SQUARE IN-LINE PACKAGE BRIDGE DIODES,SCHOTTKY BARRIER DIODES,GENERAL RECTIFYING DIODES,S2K100,MF2003SV,P98LF6QNK,P50LF10SL,P2B60HP2F,P50LF10SN,D2L40U,D3FK120,D10FR60LA,US20KB80R,P32B12SLK,P5B50HP2F,SG20LC20USM,D3FJ10,P8B10SB,D30FDC4S,P18,发报机,开关电源,OVER VOLTAGE PROTECTION,IC PROTECTION AGAINST ABNORMAL VOLTAGE,电话,NEGATIVE ION GENERATORS,TELEPHONES,ISDN终端,驱动电路,COMMUNICATIONS CIRCUITS,POWER SUPPLY,HOUSEHOLD APPLIANCES,DRIVE CIRCUIT,煤气点火器,HIGH INTENSITY DISCHARGE,VOLTAGE DETECTING CIRCUITS,SWITCHING POWER SUPPLIES,DC LINE SURGE PROTECTION,集成电路保护,通信电路,IC PROTECTION,CAPACITOR RUPTURE PREVENTION,SWITCHBOARDS,OA APPARATUSES,SNUBBER CIRCUIT,配电盘,AC SWITCHING,HID,高强度放电灯驱动电路,TRANSMITTERS,电压检测电路,HID LAMP DRIVE CIRCUIT,LED LIGHTING,ISDN TERMINALS,GAS IGNITERS,AC LINE SURGE PROTECTION,HIGH INTENSITY DISCHARGE LAMP DRIVE CIRCUIT,ISDN TERMINAL SURGE ABSORPTION,交流开关,LAMP DRIVE CIRCUIT,TELEPHONE SET SURGE ABSORPTION,DIGITAL COMMUNICATIONS CIRCUIT SURGE ABSORPTION,LOAD DUMP NOISE PROTECTION DEVICE,高强度放电,BRIDGE CONVERTER,FA APPARATUSES,灯驱动电路
创新解决方案目录
SHINDENGEN - 电机控制器,BODY CONTROL UNIT,CHARGER,充电器,功率MOSFET,逆变器一体化电机,车身控制单元,DC-DC变换器,INVERTOR INTEGRATED MOTOR,EV CHARGERS,POWER CONTROL UNIT,POWER MOSFET,电动汽车充电器,MOTOR CONTROLLER,DC-DC CONVERTER,电源控制单元,P180LF4RNK,P96LF4PQLK,MG055F,P120LF6RNK,P63LF6PQLK,EETMOS 5 SERIES,P166LG15GNK,P120LG20GNK,EETMOS 5,MG055N,P232LG10GNK,EV 2惠勒,2 WHEELERS,EV 2 WHEELER,两轮车
广告 发布时间 : 2024-12-26
SHINDENGEN二极管选型表
SHINDENGEN二极管选型表提供普通整流二极管、桥式整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管选型，
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产品型号
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品类
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VRRM[V]
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IF(AV)[A]
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IFSM[A]
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Tj[℃]
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VF(max.)[V]
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IR(max.)[μA、mA]
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Package(House Name)
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Package(JEDEC Code)
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AEC-Q101
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Automotive
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M1F60
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普通整流二极管
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600
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1
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25
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-55 to 150
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1.1
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10μA
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M1F
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DO-219AA similar
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-
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Automotive
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选型表 - SHINDENGEN 立即选型
【经验】一文读懂I2T参数对大功率整流桥选型的重要性
通常工程师在大功率整流桥选型时只关注到最大峰值电流IFSM而忽略I2T这个参数，这往往会导致器件在开机时出现失效现象。所以本文重点介绍整流桥I2T参数，避免出现失效风险，并推荐Shindengen 抗浪涌冲击的200V级输入电压下的三相桥式整流桥D75JFT80V
【经验】如何计算和设计贴片型功率MOSFET的PCB铺铜散热，防止MOSFET过热损坏？
很多情况下都选用贴片型MOSFET来设计小功率开关电源电路。但是在开关电源功率和电流升高或者环境温度升高时，MOSFET会发热严重，严重者会造成MOSFET热损坏，本文以新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET管P8B30HP2为例，介绍怎么计算和设计PCB的铺铜面积，给MOSFET运行时散热，实现对其的过热保护。
贴装面积减少25%，面向车载设备的新一代功率MOSFET开始发售，兼具小型封装与大电流特性
新电元推出了面向车载设备的新一代功率MOSFET“TOLL封装系列”产品。新产品通过采用新型封装设计，使贴装面积较之前产品减少约25%。同时，通过搭载采用栅极屏蔽结构的新一代芯片，额定电流达到232A，为之前产品的约180%，实现了小型化与大电流性能的有效结合。
【选型】新电元PFC+LLC控制芯片MCZ5209选用于200W电源项目，可实现高压启动，能同时集成PFC+LLC
开关电源超过一定的功率时，为了减小电源谐波对输入电网的影响，需要加入功率因数校正电路（PFC）。同时为了提高电源效率，后级AC-DC部分会采用LLC方案。传统方案会采用分立PFC+LLC方案。本文推荐的Shindengen（新电元）集成PFC+LLC方案可以大大简化设计，同时带来电源效率的显著提升。
Next-Generation Power MOSFETs for Automotive Applications with a 25% Reduction in Mounting Area, Combining a Compact Package with High Current
Shindengen has launched its next-generation power MOSFET “TOLL Package Series” for automotive applications. This product has reduced the mounting area by approximately 25% compared to previous products by adopting a new package.
【产品】电流谐振控制LLC MCZ5207SG、MCZ5208SG，可实现高达100 kHz的输出频率
MCZ5207SG，MCZ5208SG是Shindengen推出的两款用于电流谐振控制LLC芯片，两款产品搭载了新电元先进的高频控制技术，可实现高达100 kHz的输出频率，输出占空比典型值均为45%，可助力电源产品实现高效率和小型化。另外，两款产品具有主动待机功能，且具有极低的待机功耗（内置突发模式功能），可用于多种要求低噪声/小型化/高效率的电源应用领域。
新电元新一代WS系列SiC-SBD样品开始供货，为高电压设备的高效化与小型化做贡献
SHINDENGEN新电元工业面向高电压设备开始SiC肖特基势垒二极管“WS系列”的样品供货。本产品与传统的FRD相比，VF降低了约50%，恢复特性降低了约85%。由此使开关功耗得以显著降低，进而实现了设备的效率提高。同时，本产品预定遵照AEC-Q101（车用分立半导体器件可靠性测试标准）标准，可应用于车载产品。
【经验】交错PFC MH2501SC主控IC，在变频空调PFC应用中的输出电压控制指导
Shindengen（新电元）MH2501SC、MH2511SC是电流临界型交错式 PFC 电路控制 IC。 通过使用主控 IC（MH2501SC），从控 IC（MH2511SC） 进行错相式工作使临界型 PFC 的低噪音，高效率的优点在大功率变频空调PFC项目应用时得以实现 。
【经验】电流谐振控制LLC芯片MCZ5211ST CS端过流保护设计注意事项
新电元电流谐振控制LLC芯片MCZ5211ST具有过流保护功能，本文重点介绍通过CS端进行过流保护设计的注意事项。通过CS端子进行LLC部的过电流检测。通过检测电阻R141改变通入共振电容器C123 的电流电压，通过CS 端子检测R143 与R144 分圧的电压。因100uA 的CS端子电流通入CS 端子，R143建议为10～47Ω。
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