“WAYON”相关结果约2781条,品牌中英文名为WAYON(维安)

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WAYON(维安)电路保护产品选型指南

目录- OVER-VOLTAGE PROTECTION DEVICES    MV & LV MOSFET    POWER MOSFET    IC PRODUCTS   

型号- WE05DUCF,WMS140N06LG2,WMK043N10HGS,WEOS61089-17Q,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMN26N65C4,WMQ30N04TS,WS4.5DPMF-BH,WMO35N06T1,WS6.3DFVH,WE05D5LC-B,SMF10CA,W

选型指南  -  WAYON  - 2023/6/12 PDF 英文 下载

WAYON(维安)TVS/肖特基/稳压管产品选型指南

描述- 公司于1996年由上海材料研究所创建,二十多年来,维安始终致力于成为电路保护与功率控制领域的全球领先品牌,持续推出新产品和新方案,为消费类电子、工业与物联网、汽车、新能源、网络通信等领域提供产品及服务,使全球客户的产品更安全、可靠、高效。

型号- WSR4020D1F,WSXXP6SMAF,WS15P10SMB-B,WZ5C2V4~62VT,WS20P10SMB-BHS,WSR4003BL,WSR15020CT,SMF20CAS,WS1236M,WSRXXXXD1F,5.0SMDJ58CA,WS30P6SMA-BNRH,WSR10005U,W

选型指南  -  WAYON  - 2023/8/11 PDF 中文 下载

SMD CHIP FUSE

型号- 0603WCF400A032V,0603WCF500A032V,1206WCS300A032V,1206WCS400A032V,0603WCF200A032V,0603WCF300A032V,1206S,0603WCF600A024V,0603WCF100A032V,1206WCS500A032V

选型指南  -  WAYON  - 2019/04/09 PDF 英文 下载

WAYON power MOSFET选型表

WAYON(维安半导体)提供 Trench P Channel Power MOSFET(沟槽P沟道功率MOSFET)/SGT P Channel Power MOSFET(SGT P沟道功率MOSFET)/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET(SGT N沟道功率MOSFET)/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型,Type:N/P,ESD:NO/YES,VDS(V):-150~300V,Vgs Max(v):±10~±20V,VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.

产品型号
品类
Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
Vgs Max(V)
Configuration
VGS(th)(V)-Typ.
Rds(on)Vgs=10V
Crss (pF)Typ.
ID at 25℃(A)Max.
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
Type
VDS(V)
ESD
Package
Ciss (pF)Typ.
Coss (pF)Typ.
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
WMB70P02TS
Trench P Channel Power MOSFET
4.1
±12
Single
-0.65
3.1
577
-70
3.5
P
-20
NO
PDFN5*6-8L
4599
668
4.8

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WAYON自恢复保险丝选型表

WAYON(维安半导体)提供自恢复保险丝选型:IH @25℃(A):0.01-14,IT @25℃(A):0.05-23.8,Vmax(V):6-600,Imax(A):1-100,Rmin(Ω):0.0005-70,Pd Typ(W):0.26-4.6.

产品型号
品类
IH @25℃(A)
IT @25℃(A)
Vmax(V)
Imax(A)
Max Time to Trip Current(A)
Max Time to Trip Time (S)
Pd Typ(W)
Rmin(Ω)
R1 max(Ω)
UL
TUV
Package
LP-TSM001/60
自恢复保险丝
0.01
0.05
60
10
0.20
1.00
0.5
15.000
200.000
×
×
0603

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WAYON Zener diode选型表

WAYON 提供Zener diode(齐纳二极管)选型:VZ@IZT Nom(V):2-75,VZ@IZT Min(V):1.9-37.5,IZT(mA):2-20,Current IR(μA):0.05-120,Current VR (V):1-56.

产品型号
品类
VZ@IZT Nom(V)
VZ@IZT Min(V)
VZ@IZT Max(V)
IZT(mA)
ZZT@IZT(Ω)
ZZK@IZK(Ω)
IZK(mA)
Current IR(μA)
Current VR (V)
Package
WZ5C2V4D1
Zener diode
2.4
2.28
2.52
5
100
600
1
50
1
SOD-123

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WAYON晶闸管浪涌保护器选型表

WAYON(维安半导体)提供晶闸管浪涌保护器选型:VDRM(V):-170-750,VBO(V):20-980,10/1000us(A):30-150,IH(mA):10-150

产品型号
品类
VDRM(V)
VBO(V)
10/1000us(A)
10/700us(V)
IH(mA)
Capacitance(pF)
Package
WES306S1
晶闸管浪涌保护器
6
25
30
2000
10
10
SOD-123

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WAYON Super Junction Power MOSFET选型表

WAYON (维安半导体)提供Super Junction Power MOSFET(超级结功率场效应管/超级结功率MOSFET)选型:VDS (V):500-1050,RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.) :0.0205-7,ID (A) @TA=25℃:1.5-99,VGS (V):30.

产品型号
品类
Description
Package
VDS(V)
RDS(on)(Ω)@VGS=10V(max.)
ID(A)@TA=25℃
PD(W)@TA=25℃
VGS(V)
VGS(th)(V)-Typ.
WMK07N60C4
Super Junction Power MOSFET
N-Channel SJ-MOS C4
TO-220
600
1.14
5
42
30
3

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WAYON气体放电管选型表

WAYON提供气体放电管选型:DC spark-over voltage (V):75±20%-3600±20%,Paek pulse current(KA)(8/20μs):0.5-20,Terminals:2-3,多种不同尺寸。

产品型号
品类
Size(mm)
DC spark-over voltage (V)
Paek pulse current(KA)(8/20μs)
Terminals
GDTN2RS2-90
气体放电管
3.2*2.5*2.5
90±30%
1
2

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WAYON SMD CHIP FUSE/SELF CONTROL FUSE选型表

WAYON(维安半导体)提供SMD CHIP FUSE(贴片熔断器)/SELF CONTROL FUSE(自恢复熔断器)选型:Rated Current(A):0.25-60,Rated Voltage (V)DC:24-400,Fuse DCR(mΩ):0.003-3600,Breaking(A):25-500.

产品型号
品类
Rated Current(A)
Rated Voltage(V)
Fuse DCR(mΩ)
Breaking(A)
Operating Voltage(V)
Heater DCR(Ω)
Applicable Cells in sreies(cell)
WPF30A1K
SELF CONTROL FUSE
30
62
1.0-2.5
80
4.0-6.6
0.8-1.2
1

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品牌:WAYON

品类:Power MOSFET

价格:

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品牌:WAYON

品类:晶闸管浪涌保护器

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品牌:WAYON

品类:Power MOSFET

价格:

现货: 30

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价格:

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价格:

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价格:

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品牌:WAYON

品类:贴片保险丝

价格:¥0.1836

现货:64,000

品牌:WAYON

品类:熔断器

价格:¥4.5961

现货:38,322

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