WXDH ELECTRONICS（东海半导体）MOSFET/IGBT/二极管选型指南
IGBT Module IGBT Single HV.MOS LV.MV.MOSFET SiC MOS SiC Diode FRD & SBD Three-Terminal Regulator IC
2023/7/13 - 选型指南 WXDH ELECTRONICS - AUTOMOTIVE ELECTRONICS MANAGEMENT SYSTEM,IGBT模块,SIC二极管,LV.MV.MOSFET,IGBT MODULE,SIC MOS,SIC DIODE,THREE-TERMINAL REGULATOR IC,碳化硅MOS,IGBT,SBD,FRD,快恢复二极管,三端稳压器IC,HV.MOS,MBR60200CT,DCC060M90G2,L7909CV,DHSJ13N65,DHS020NB8E,DC1KM170G1,DCCT50D65G4,DH400P06LB,DH400P06LD,L7812ACV,DHS065N10D,DCCF045M65G2,DHS065N10B,MBR20R80C,DC-DC CONVERTERS,MOTOR DRIVE,ADAPTER,PFC,POWER TOOLS,LED POWER,ELECTRON BALLAST,INVERTER MANAGEMENT SYSTEM,ATX POWER,E-BIKE CONTROL,UPS,ALERTOR,CHARGER,INVERTER,WELDER,BATTERY POWER SYSTEM,SYNCHRONOUS RECTIFIER,SOLAR,CONVERTERS,ADAPTOR,LED,TELECOM,CHARGER,AC-DC CONVERTERS,SMPS,LOAD SWITCHING
WXDH ELECTRONICS Trench MOS选型表
选型表 - WXDH ELECTRONICS WXDH ELECTRONICS（东海半导体）提供Trench MOS全系列选型，涵盖N/P沟功率MOSFET、N+N/N+P/P+P双管及车规级器件。VDS覆盖-150~200 V，Ron10低至0.8 mΩ，ID最高360 A；可选TO-220/220F/247/3PN、TO-252/263、TOLL/DFN56/DFN33、SOT/SOP等封装。产品具低Qg、低Rds(on)、高雪崩能力，已通过AEC-Q101/Industry认证，量产供应。广泛应用于锂电保护板、电动工具、电机驱动、BMS、DC-DC、LED驱动、汽车水泵/油泵及储能逆变等场景，满足两轮车、平衡车、96 V电摩及微逆等需求。
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产品型号
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品类
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Polarity
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Package
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VDS（V）
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Ron10 typ(mΩ)
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Ron10 max(mΩ)
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Ron4.5 typ(mΩ)
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Ron4.5 max(mΩ)
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Vth typ（V）
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ID（A）
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Ciss（pF）
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Coss（pF）
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Qg（nC）
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Qgd（nC）
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Qualification
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状态
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应用
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DH100P70
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Trench MOS
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P
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TO-220
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-100
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18
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21
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20
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28
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-2
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-73
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10656
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334
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187
|
34
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Industry
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量产
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防盗报警器、保护板
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WXDH ELECTRONICS MOSFET选型表
选型表 - WXDH ELECTRONICS WXDH ELECTRONICS提供Ptot(W)：3.7W~384W；ID(A)：-140A~320A；BVGSS (V) :±20V~±30V等参数的MOSFET的选型
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产品型号
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品类
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Ptot(W)
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ID(A)
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BVDSS(V) (Typ)
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BVGSS (V)
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VTH(V) (Min)
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VTH(V) (Max)
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Rdson(mΩ)(Typ)
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EAS(mj)
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Package
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DH012N03P-B35
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MOSFET
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216W
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256A
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35V
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±20V
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1V
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2V
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1.2mΩ
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870mj
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DFN5*6-8
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WXDH ELECTRONICS 二极管选型表
选型表 - WXDH ELECTRONICS WXDH ELECTRONICS 二极管选型表提供肖特基二极管和快恢复二极管的选型，IF(A)：8A~80A，IR(uA)：5uA~100uA
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产品型号
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品类
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IF(A)
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VF(V)(Typ)
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VF(V)(Max)
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IR(uA)
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VBR(V)(Typ)
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VBR(V)(Min)
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Package
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MBR2045CT
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肖特基二极管
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20A
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0.56V
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0.65V
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50uA
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45V
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52V
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TO-220
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WXDH ELECTRONICS SGT MOS选型表
选型表 - WXDH ELECTRONICS WXDH ELECTRONICS （东海半导体）提供覆盖30-250V的SGT MOS功率器件选型，含N/P沟、单/双通道及HB桥式结构，封装涵盖DFN33/56、TOLL、TO-220/263/252/247、TO-3PN等，Ron10低至0.5-70mΩ，Ron4.5 1-260mΩ，ID 5-376A，Qg 7-267nC，Qgd 1-62nC，Ciss 400-20k pF，Coss 70-3k pF，Vth 1.5-3.5V，满足锂电保护、DC-DC、OBC Oring、电机驱动、PD电源、储能/微逆等应用需求，工业与车规级可靠性量产。
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产品型号
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品类
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Polarity
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Package
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VDS（V）
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Ron10 typ(mΩ)
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Ron10 max(mΩ)
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Ron4.5 typ(mΩ)
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Ron4.5 max(mΩ)
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Vth typ（V）
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ID（A）
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Ciss（pF）
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Coss（pF）
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Qg（nC）
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Qgd（nC）
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Qualification
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状态
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应用
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|
DHS010N03P
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SGT MOS
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N
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DFN5*6
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30
|
1.1
|
1.35
|
1.8
|
2.5
|
1.5
|
100
|
7119
|
2425
|
96
|
10
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Industry
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量产
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锂电保护、DC-DC
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东海半导体MOSFET选型表
选型表 - WXDH ELECTRONICS 东海半导体提供以下MOSFET的参数选型，VDS（V）：-150~250，VDS（V）：0.5~86.
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS（V）
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Ron10 typ(mΩ)
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Ron10 max(mΩ)
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Ron4.5 typ(mΩ)
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Ron4.5 max(mΩ)
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Vth typ（V）
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ID（A）
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Ciss（pF）
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Coss（pF）
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Qg（nC）
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Qgd（nC）
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Qualification
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封装
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DHS010N03P
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SGT MOS
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N
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30
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1.1
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1.35
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1.8
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2.5
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1.5
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100
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7119
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2425
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96
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10
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Industry
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DFN5*6
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测试报告编号：SHAEC24020381009 日期：2024年9月12日 第1页，共5页
Sep 12, 2024 - 测试报告 本报告为SHAEC24020381009号测试报告，由SGS-CSTC Standards Technical Services (Shanghai) Co., Ltd.于2024年9月12日出具。报告内容涉及对江苏东海半导体有限公司提供的半导体功率器件样品进行有机锡化合物检测，包括多种有机锡化合物的含量分析。测试方法参照ISO 17353:2004标准，通过GC-MS进行分析。所有检测项目均未检测到有机锡化合物，符合相关标准要求。
WXDH ELECTRONICS - SEMICONDUCTOR POWER,半导体功率,TO-220C,未指定,NOT SPECIFIED
DHS130N06/DHS130N06F/DHS130 N06I/DHS130 N06E/DHS 130N06B/DHS 130N06D 130A 70V N沟道增强型功率MOSFET
2019.09.09 - 数据手册 本资料介绍了DHS130N06系列N沟道增强型功率MOSFET的特性。该系列产品采用先进的分裂栅槽技术设计，具有低导通电阻、低栅极电荷等优点，符合RoHS标准。产品适用于SMPS同步整流、硬开关和高速电路等领域。
WXDH ELECTRONICS - N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DHS130N06F,DHS130N06E,DHS130N06I,DHS130N06D,DHS130N06B,DHSXXXNEXXF,DHS130N06,HIGH SPEED CIRCUIT,电机控制,开关模式电源,HARD SWITCHING CIRCUIT,不间断电源,UPS,SMPS,电动工具,MOTOR CONTROL,POWER TOOLS,高速电路,硬开关电路
130A 40V N沟道增强型功率MOSFET
2020.07.02 - 数据手册 本资料详细介绍了130A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性和应用。该产品采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关、低反向转移电容等特性，适用于电源开关应用、逆变器管理系统、电动工具和汽车电子等领域。
WXDH ELECTRONICS - AUTOMOTIVE ELECTRONICS,POWER MOSFET,功率 MOSFET,DH025N04,DH025N04B,DH025N04I,DH025N04E,DH025N04F,DH025N04D,ELECTRIC TOOLS,ELECTRIC TOOLS,POWER SWITCHING APPLICATIONS,INVERTER MANAGEMENT SYSTEM,电源开关应用,汽车电子,逆变器管理系统
测试报告编号：NGBEC25000139305 日期：2025年1月17日 第1页，共5页
2025年1月17日 - 测试报告 本报告为江苏东海半导体有限公司提供的半导体功率器件样品测试报告。报告编号为NGBEC25000139305，测试日期为2025年1月17日。报告内容包括样品信息、测试要求、测试方法、测试结果和结论。测试项目包括美国加州65号提案中的铅、镉和邻苯二甲酸盐等有害物质含量，所有测试项目均符合要求。
WXDH ELECTRONICS - 半导体功率器件,TO-220C
DSU011N08N3A 85V/0.9mΩ/360A N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
2023/5/8 - 数据手册 DSU011N08N3A是一款由东海半导体生产的N-MOSFET，具有85V的电压额定值、0.9mΩ的导通电阻和360A的电流额定值。该产品符合AEC-Q101标准，适用于汽车、电机控制、电池管理系统和同步整流器等应用。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSU011N08N3A,电机控制,电池管理系统充电/放电,汽车应用,SMPS同步整流器
东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
2023-09-18 - 签约新闻 40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
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