中电国基南方选型帮助

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研讨会2024第三代宽禁带半导体(SiC/GaN)新技术研讨会

描述- 7月18日在线直播，带来2000V SiC MOS、激光雷达低压GaN、IGBT、充电桩、服务器电源、汽车三电、机械臂电机、高端伺服应用方案等新技术新产品，点击了解报名。

议题- 中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC）  |  SiC：SiC MOS，SiC二极管，2000V SiC MOS  |  GaN：GaN FET，集成驱动GaN模块，低压GaN  |  IGBT：IGBT单管，IGBT模块  |  国产化数字隔离，驱动  |  车规、工业级产品  |  新能源：光伏，储能，BMS  |  汽车：激光雷达，汽车三电，汽车PTC，OBC  |  工业：充电桩电源，服务器电源，空气压缩机  |  机器人：机械臂电机，高端伺服  |  国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太（Watech）  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  掌握核心的SiC功率器件设计，独立自主开发世界一流水平的车规级SiC器件公司——NOVUSEM（蓉矽）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  2000V SiC MOS，应用于光伏领域  |  汽车激光雷达的低压GaN方案  |  充电桩、服务器电源、汽车三电应用  |  机械臂电机、高端伺服应用  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction）  |  国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT)  |  业界领先的分立器件制造商——安邦（ANBON）  | 

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

国基南方、55所亮相2024慕尼黑上海电子展，全面展示射频和功率电子、光电显示与探测板块产品

2024年7月8日-10日，2024慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心举行。中电国基南方、55所携系列核心产品参展，全面展示射频电子、功率电子、光电显示与探测板块主要技术产品和产业化应用成果。

国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关，建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线

国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，经过集智攻坚，团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。

【选型】OBC用SiC MOS推荐WM2A075120L， 漏源极电压高达1200V，连续漏极电流33A

11KW的OBC项目需要一款SiC MOS，1200V电压、内阻60mΩ~80mΩ、TO247四角封装。推荐中电国基南方WM2A075120L，漏源极电压1200V，高阻压，适合高压复杂情况；连续漏极电流33A，驱动简单。

中电国基南方可提供650-6500V/17-1000毫欧的SiC MOSFET，适用于辅助电源/电驱

中电国基南方是国内最早实现6英寸SiC MOSFET批产定性的IDM企业，目前可稳定批量生产650V-6500V，导通电阻17-1000毫欧的SiC MOSFET器件，打破国内SiC MOSFET市场长期被进口器件垄断的格局，同时在价格和交期上相较于进口器件更具优势。