华太（Watech）功率器件产品选型指南
目录- 功率器件介绍和产品系列 功率器件
型号- HDW30S120B,HDP06S065A,HDW30S065A,HMZ040S120A,HMZ080S120A,HKW40N120FHEA,HDD04S065A,HMW080S120A,HKW40N120FHRA,HKZ75N65SHRA,HKW75N65SHRA,HMW1KS170A,HDW20
华太 SiC SBD选型表
华太 SiC SBD选型表提供以下参数: 650V，1200V，1700V 接近于零的恢复损耗，可实现高功率密度高效率； 采用MPS结构，具有优良的抗浪涌能力
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产品型号
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品类
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VR max [V]
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IF [A]
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VF max [V]
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IR [μA]
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QC [nc]
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CT [pF]
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Package
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HDD04S065A
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SiC SBD
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650
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4
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1.75
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1
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17
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220
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TO-252-2
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选型表 - 华太 立即选型>>
研讨会2024第三代宽禁带半导体(SiC/GaN)新技术研讨会
描述- 7月18日在线直播，带来2000V SiC MOS、激光雷达低压GaN、IGBT、充电桩、服务器电源、汽车三电、机械臂电机、高端伺服应用方案等新技术新产品，点击了解报名。
议题- 国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太（Watech） | SiC：SiC MOS，SiC二极管，2000V SiC MOS | GaN：GaN FET，集成驱动GaN模块，低压GaN | IGBT：IGBT单管，IGBT模块 | 国产化数字隔离，驱动 | 车规、工业级产品 | 新能源：光伏，储能，BMS | 汽车：激光雷达，汽车三电，汽车PTC，OBC | 工业：充电桩电源，服务器电源，空气压缩机 | 机器人：机械臂电机，高端伺服 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 掌握核心的SiC功率器件设计，独立自主开发世界一流水平的车规级SiC器件公司——NOVUSEM（蓉矽） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 2000V SiC MOS，应用于光伏领域 | 汽车激光雷达的低压GaN方案 | 充电桩、服务器电源、汽车三电应用 | 机械臂电机、高端伺服应用 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | 中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC） | 国内领先的第三代半导体功率器件设计公司：派恩杰（PN Junction） | 国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT) | 业界领先的分立器件制造商——安邦（ANBON） |
活动 发布时间 : 2024-06-07
华太邀您参与2024慕尼黑上海电子展，现场展示射频和功率器件、模拟芯片、SoC芯片以及封装材料等产品
慕尼黑上海电子展（electronicaChina）于2024年7月8日至10日在上海国际博览中心举办。苏州华太电子技术股份有限公司诚邀您参加慕尼黑上海电子展，为您展示射频器件、功率器件、模拟芯片、SoC芯片、封装材料等产品。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-07-10
华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品，已在光伏、储能等领域大批量使用
华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势，可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-04-10
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