合科泰电子（HKT）分立器件（二极管/三极管/MOS管/稳压电路）产品选型指南
目录- 公司简介 分立器件（二极管/三极管/MOS管/稳压电路） 智能仓储
型号- SK22L,US2DF,M7L,US1BF,MB10S,40N15,DS28W,MM1Z6V2L,B0530WS,BZT52B7V5,US2DL,US1BL,MB10F,SD103AW,75N03,MMBT2907A,SS120F,US3GF,MMBT4401,DFLT15A,MM1Z4V7L,11
合科泰宣传册（HOTTECH CORPORATE BROCHURE）
型号- 15MQ040,US2DBF,RS2ABF,US2DF,M7L,DS28W,B0530WS,MM1Z6V2L,2SC4116,BZT52B7V5,US2DL,MJE170,SS120F,MMBT4401,S1DBF,DFLT15A,2SC4102,MM1Z4V7L,KTD1351,RHN1210,M
广告 发布时间 : 2024-09-28
合科泰电子NPN晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V)：12~800V、集电极电流Ic(mA)：20~6000mA、放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~10K、放大倍数（最大）HFE（MAX）：40~3200、耗散功率PD(mW)：100~2000mW等
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
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集电极-发射极电压VCEO(V)
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发射极-基极电压VEBO(V)
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集电极电流Ic(mA)
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放大倍数（最小）HFE（MIN）
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放大倍数（最大）HFE（MAX）
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耗散功率PD(mW)
|
|
2SC1162
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NPN晶体管
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TO-126
|
NPN
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35
|
35
|
5
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2500
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60
|
320
|
750
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子 P沟道MOSFET选型表
合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压-60V~-8V，连续漏极电流-60A~-0.13A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
|
棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
|
耗散功率 PD(mW)
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|
9435
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P沟道MOSFET
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S0P-8
|
p
|
-30
|
-20
|
-5
|
0.053
|
-1
|
-3
|
2500
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子 N沟道 MOSFET选型表
合科泰电子提供N沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压16V~100V，连续漏极电流0.1A~150A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
|
|
2N7002
|
N沟道MOSFET
|
SOT-23
|
N
|
60
|
20
|
0.115
|
5
|
1
|
2.5
|
150
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子PNP晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：-400~-20V，集电极-发射极电压VCEO(V)：-400~-20V，集电极电流Ic(mA)：-6000~50mA，放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~1000，放大倍数（最大）HFE（MAX）：50~1000，耗散功率PD(mW)：150~2000mW等
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
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集电极-发射极电压VCEO(V)
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发射极-基极电压VEBO(V)
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集电极电流Ic(mA)
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放大倍数（最小）HFE（MIN）
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放大倍数（最大）HFE（MAX）
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耗散功率PD(mW)
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2SA1015
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PNP晶体管
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SOT-23
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PNP
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-50
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-50
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-5
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-150
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130
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400
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200
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子肖特基二极管选型表
合科泰电子提供肖特基二极管以下参数选型，直流反向电压20V~220V，正向电流0.07A~8A
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产品型号
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品类
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封装形式
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直流反向电压 VR(V)
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正向电流 IF(A)
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正向浪涌电流 IFSM(A)
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反向电流 IR(μA)
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正向电压 VF(V)
|
|
10MQ100N
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肖特基二极管
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SMA(DO-214AC)
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100
|
2.1
|
30
|
0.5
|
0.85
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子TVS二极管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：工作电压(最高)VRWM(V)：-5~440V，击穿电压(最小)VBR(V)：4~492V，击穿电压(最大)VBR(V)：7~1020V，最大反向浪涌电流IPP(A)：0.56~163.04A等
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产品型号
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品类
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封装形式
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工作电压(最高)VRWM(V)
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击穿电压(最小)VBR(V)
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击穿电压(最大)VBR(V)
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箝位电压(最大)VC(V)
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反向漏电流IR(μA)
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最大反向浪涌电流IPP(A)
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峰值脉冲功率PPPM(W)
|
耗散功率PD(W)
|
|
SMAJ5.0
|
TVS二极管
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SMA(DO-214AC)
|
5
|
6.4
|
7.3
|
9.6
|
800
|
41.67
|
400
|
1
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子开关二极管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：直流反向电压VR(V)：35~250V，正向电流IF(mA)：100~500mA，正向浪涌电流IFSM(A)：1~500A，反向电流IR(μA)：0.005~5μA，正向电压VF(V)：1~1.25V，耗散功率PD(mW)：150~500mW等
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产品型号
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品类
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封装形式
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直流反向电压VR(V)
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正向电流IF(mA)
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正向浪涌电流IFSM(A)
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反向电流IR(μA)
|
正向电压VF(V)
|
耗散功率PD(mW)
|
|
1N4148W
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开关二极管
|
SOD-123
|
100
|
300
|
2
|
1
|
1.25
|
350
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子 混合MOSFET选型表
合科泰电子提供混合MOSFET以下参数选型，漏源电压-40V~75V，连续漏极电流-7A~11A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
|
连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
|
|
8205
|
混合MOSFET
|
TSSOP-8
|
N + N
|
20
|
4.5
|
5
|
0.025
|
0.5
|
1
|
2000
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子整流二极管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：直流反向电压VR(V)：50~1600V，正向电流IF(A)：0.5~5A，正向浪涌电流IFSM(A)：25~100A等
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产品型号
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品类
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封装形式
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直流反向电压VR(V)
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正向电流IF(A)
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正向浪涌电流IFSM(A)
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反向电流IR(μA)
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正向电压VF(V)
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耗散功率PD(W)
|
|
N4001L
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整流二极管
|
SOD-123FL
|
50
|
1
|
30
|
5
|
1.1
|
/
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
合科泰电子特快恢复二极管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：直流反向电压VR(V)：50~1000V，正向浪涌电流IFSM(A)：30~100A，反向恢复时间Trr(nS)：50nS等
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产品型号
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品类
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封装形式
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直流反向电压VR(V)
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正向电流IF(mA)
|
正向浪涌电流IFSM(A)
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反向电流IR(μA)
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正向电压VF(V)
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反向恢复时间Trr(nS)
|
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US1A
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特快恢复二极管
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SMA(DO-214AC)
|
50
|
1
|
30
|
5
|
1
|
50
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
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