嘉兴南电搜索结果-世强硬创平台

“嘉兴南电”相关结果约354条，品牌中英文名为嘉兴南电(JXND)

嘉兴南电（JXND）是一家专业、研发、生产销售一体的半导体分立器件的高新企业，公司主要从事研发、制造、销售各类放电管、防雷管、静电保护元件、二极管等过流过压、浪涌保护元器件，年产销各类半导体分立器件350亿只，产品包括从芯片软件开发到工艺制造、表面贴装和轴向插接系列二极管及其他特种器件等上千余个品种。

二极管瞬态抑制二极管稳压二极管整流二极管肖特基二极管快恢复二极管超快恢复整流二极管高效率整流二极管静电二极管开关二极管高压二极管半导体放电二极管桥堆整流桥可控硅微触发可控硅单向可控硅双向可控硅场效应管小信号MOSFET 低压功率MOSFET 三极管开关三极管通用三极管数字三极管高频晶体三级管功率三级管 IC 线性稳压IC 静电保护元件玻璃气体放电管陶瓷气体放电管自恢复保险丝压敏电阻热敏电阻

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

嘉兴南电选型帮助

请补充您需要选型的产品及参数要求，世强和原厂的技术专家为您推荐功能、价格、供应最优的产品，协助您快速完成设计。两个工作日内技术专家和客服将通过世强硬创平台954668电话、@sekorm邮件与您取得联系，请保持通畅。

服务提供商 - SEKORM 进入>>

嘉兴南电（JXND）二极管/桥堆/可控硅选型指南

描述- 深圳嘉兴南电科技有限公司依托二十余年的专业经验，年产销二极管120亿只，产品包括表面贴装和轴向插接系列二极管及其他特种器件等上千余个品种，同时也对外承接各种分立器件的封装加工业务，可以为客户提供大批量、全系列、多品种、专业化的一揽子解决方案。

型号- 2EZ3. 3D5,MB10M,1N5956,SMBJ,MB10S,RS030,SMB3EZ270D5,MDBM,FR2M,RC820,RC825,MB10F,SS1200,MDBS,2305,2302,2301,2300,RS1A,SMF170A,RT41,RS1M,FR3A,RT008,SMF

选型指南 - 嘉兴南电 - 2019/11/18 PDF 中文下载

嘉兴南电肖特基二极管选型表

JXND提供以下参数选型：VR(V):20V~200V、IF (A)：0.2A~5A、VF(V)Max：0.5V~0.9V、IR(uA)@25℃：30uA~1000uA

产品型号	品类	额定反向耐压VR(V)	额定正向电流IF (A)	最大正向压降VF(V)Max	最大漏电IR(uA)@25℃	最高工作结温Tj (℃)	应用等级	等级认证标准
SS12A	肖特基二极管	20V	1A	0.55V	300uA	150℃	民用级	SGS

选型表 - 嘉兴南电立即选型>>

嘉兴南电瞬变电压抑制二极管选型表

嘉兴南电瞬变电压抑制二极管选型表主要提供以下参数，封装：SMP、SOD-123FL;Peak Power Dissipation 10/1000 μsec(W):5000W;Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V):5~100V;Breakdown oltage BR (Max.V):7~543V;Max Clamping oltage(V):9.2~713V.

产品型号	品类	Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V)	Reverse Leakage IR (μA)	Peak Power Dissipation 10/1000 μsec(W)	Max Clamping Voltage(V)	Test Current IT (mA)	Peak Pulse Current IPP (A)	Breakdown Voltage VBR (Min.V)	Breakdown Voltage VBR (Max.V)	Operating junction and storage temperature range(℃)	封装
SMPJ5.0A	瞬变电压抑制二极管	5V	1000uA	5000W	9.2V	10mA	543.48A	6.4	7V	-55℃ to +150℃	SMP