澜芯半导体搜索结果-世强硬创平台

“澜芯半导体”相关结果约27条，品牌中英文名为澜芯半导体(LXP SEMI)

上海澜芯半导体成立于2022年6月，是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品。

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描述- 上海澜芯半导体有限公司是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品，广泛适用于新能源汽车电驱控制器，车载充电机（OBC），车载直流变换器（DCDC），空压机电控；光伏风电逆变器；充电桩模块；储能变流器；大功率开关电源；通信电源等相关产品。

型号- LX1C160N120Y,LX1C160N120W,LX7G030N075Y,LX7G075N120Y,LX7G075N075Y,LX7G160N075W,LX7G075N120W,LX7G030N075W,LX7G075N075W,LX7G160N075Y,LX7G025N120W,LX7G275

选型指南 - 澜芯半导体 - 2023/8/28 PDF 中文下载

澜芯半导体 SiC MOSFET选型表

澜芯半导体提供 SiC MOSFET选型表：VDS（V）-(Tj=25ºC)：1200V，RDS(mΩ)(on)- max(Tj=25ºC)：12-80，ID(A)-(Tj=25ºC)：36-152，Tj（℃）-max：175ºC。

产品型号	品类	VDS（V）-(Tj=25ºC)	RDS(mΩ)(on)	ID(A)-(Tj=25ºC)	Tj（℃）-max	package	Grade certification standard
LX1C080N120BW	SiC MOSFET	1200V	80mΩ	36A	175ºC	TO-247-3PIN	AEC-Q101

选型表 - 澜芯半导体立即选型>>

澜芯半导体 MOSFET选型表

澜芯半导体提供 MOSFET选型表：VDS（V）-(Tj=25ºC)：650V，RDS(mΩ)(on)- max(Tj=25ºC)：40-80，ID(A)-(Tj=25ºC)：45-70，Qg（Nc）-typic：33-170，Qrr（μC）-typic：1.2-3.3

产品型号	品类	VDS（V）(Tj=25ºC)	RDS(on)（mΩ）-max(Tj=25ºC)	ID（A）(Tj=25ºC)	Tj（℃）-max	Qg（Nc）-typic	Qrr（μC）-typic	trr（ns）-typic	package	等级认证标准
LX1S080N065FBW	MOSFET	650V	80mΩ	45A	150℃	33 Nc	1.2 μC	110 ns	TO-247-3PIN	AEC-Q101