瑶芯微搜索结果-世强硬创平台

“瑶芯微”相关结果约376条，品牌中英文名为瑶芯微(ALKAIDSEMI)

瑶芯微（ALKAIDSEMI）致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售，主营产品为功率器件、MEMS传感器以及匹配的信号处理芯片，提供了自有知识产权的高可靠性和高性价比的产品，作为各种交互入口的提供商，最终实现高中低端产品国产化全覆盖。

功率器件 MOSFET 快恢复二极管碳化硅MOS 碳化硅二极管 MEMS传感器

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ALKAIDSEMI (Yaoxin Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.) is mainly engaged in the design, R＆D and sales of power devices and smart sensors. diodes) and MEMS sensors and matching signal processing chips. As a provider of various interactive portals, it finally achieves full coverage of localization of high, medium and low-end products.

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瑶芯微选型帮助

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瑶芯微（ALKAIDSEMI）功率器件产品选型指南

目录- 公司简介功率器件产品命名规则功率器件产品应用推荐功率器件产品清单

型号- AKT4050K,AKS65N1K8FM,AKT3B165GL,AKCK2M080WAMH-A,AKS60N680LMF,AKG10N077GM,AKCK2M040WAMH-A,AKC65D008PAHH,AKG85N050P,AKT4050G,AKBK2A040WHH,AKG10N077GL,AK

选型指南 - 瑶芯微 - 2022/10/14 PDF 中文下载

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下IGBT产品的技术选型，具有IGBT + FRD两种类型，VCES/VF(V)范围：+650~+1200，ICE/IF(A)范围: +40~+100；VCE sat(V)范围：+1.65~+2；Vth(V)范围：+4~+5.8；VF(V)范围：+1.35~+1.9....瑶芯微的IGBT产品具有TO-247PLUS-3L、TO-247-3L等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号	品类	Package	Type	VCES/VF(V)	ICE/IF(A)	VCE sat(V)	Vth(V)	VF(V)
AKBK2A075WCHM	IGBT	TO-247PLUS-3L	IGBT + FRD	1200	75	2	5.8	1.7

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瑶芯微沟槽MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下沟槽MOSFET产品的技术选型，MP Status；N+P沟槽；VDS(V):-40~+100，Vgs(V):10~25，ID(A): -1.6~3....瑶芯微的沟槽MOSFET产品具有SOT-23、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电池管理系统、电机驱动器、DC-DC转换器等领域。

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瑶芯微分离栅沟槽MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下分离栅沟槽MOSFET产品的技术选型，MP Status、N沟槽，VDS(V)范围：+30~+150，20V-Vgs，ID(A)范围: +11~+203；Vth(V)范围：+1.5~+3.3....瑶芯微的分离栅沟槽MOSFET产品具有TO-263、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电机控制;LED照明; 锂电保护 ; PD快充; 工业电源; 通讯电源等领域。

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瑶芯微Dual-Channel Low-Voltage MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Dual-Channel Low-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：-25A~+60A；BVdss(V)范围：-30V~+100V;Vgs(±V)：+20V；Vth(±V)范围：-1.5V~+2V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+7.5V~+65V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ范围：+8.4V~+95V,瑶芯微的Dual-Channel Low-Voltage MOSFET产品具有N和P两种沟槽，PDFN3.3X3.3Dual、SOP-8 Dual、SOT23-6 Dual等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Max

package

status

AKT3B210GL

Dual-Channel Low-Voltage MOSFET

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瑶芯微Low-Voltage MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Low-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：-110A~+190A；BVdss(V)范围：-100V~+100V;Vgs(±V)范围：+10V~+25V；Vth(±V)范围：-2V~+3V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+1.55V~+1800V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ范围：+1.6V~+2000V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT） 2.5V Typ范围：+2.3V~+157V,瑶芯微的MOSFET产品具有N和P两种沟槽，SOT-23-3L、DFN2*2、PDFN3.3*3.3、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Max

Rds-on(mΩ）Typ.(FT） 2.5V Typ

Rds-on(mΩ）Typ.(FT） 2.5V Max

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瑶芯微High-Voltage MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下High-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：+2A~+100A；BVdss(V)范围：+600V~+700V;Vgs(±V)：+30V；Vth(±V)范围：+3.3V~+4V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+17V~+2000V,瑶芯微的High-Voltage MOSFET产品具有TO-247、DFN8*8、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号	品类	N/P	ESD	ID（A）	BVdss(V)	Vgs(±V)	Vth(±V)	Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ	Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max	package	status
AKS60N220WMF	High-Voltage MOSFET	N	N	100	650	30	3.8	17	22	TO-247	ENG

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瑶芯微Low-Voltage Advanced MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Low-Voltage Advanced MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：+3A~+400A；BVdss(V)范围：+30V~+200V;Vgs(±V)范围：+20~+25V；Vth(±V)范围：+1.5V~+3.3V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+0.54V~+70V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ范围：+0.8V~+100V,瑶芯微的Low-Voltage Advanced MOSFET产品具有PDFN5*6、TO-247、TO-220、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Typ

Rds-on(mΩ）Typ.(FT）4.5V Max

package

status

AKG3N007GL

Low-Voltage Advanced MOSFET

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瑶芯微Fast Recovery Diode选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下Fast Recovery Diode产品的技术选型，V(BR)范围：+650V~+1200V；目标应用电流范围：+8A~+275A;，瑶芯微的Fast Recovery Diode产品具有多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号	品类	V(BR)	Die Size（含 S/L) 单位：um X(mm)	Die Size（含 S/L) 单位：um Y(mm)	Die Size（含 S/L) 单位：um S(mm2)	Die Size（含 S/L) 单位：um S/L(mm)	Gross Die	目标应用电流
AK1K2FR5D2	Fast Recovery Diode	1200V	2.33	2.33	5.43	0.08	5274	8

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瑶芯微超级结MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下超级结MOSFET产品的技术选型，MP Status，VDS(V)范围：+600~+650，30V-Vgs，ID(A)范围: +3~+80；Vth(V)范围：+3.3~+4....瑶芯微的超级结MOSFET产品具有TO-200、TO-247、TO-252等多种封装形式可广泛应用于汽车、电动汽车充电站、充电桩、光伏逆变器、储能系统等领域。