致能氮化镓MOS选型表
致能提供氮化镓MOS（GaN MOSFET）选型：Rdson(mΩ)：35-1000，VDSS(V)：650-900。
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产品型号
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品类
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Rdson(mΩ)
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VDSS(V)
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Package
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ZN65C1R200L
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氮化镓MOS
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200
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650
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DFN8*8
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选型表 - 致能 立即选型>>
基于致能氮化镓的1.2kW的高效率无桥图腾柱PFC+半桥LLC通信电源解决方案
氮化镓凭借低栅极电容(Cgs)、低等效输出电容(Coss)、无体二极管反向恢复问题等优秀特点使得大功率CCM模式无桥图腾柱PFC的设计实现成为可能。致能在本文中提供了一种峰值效率可达97%的1200W GaN无桥图腾柱PFC+LLC通信电源性能与参数介绍，为实现高功率密度和高效率的通信电源提出一种新的解决方案。
应用方案 发布时间 : 2024-06-29
【材料】全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆发布，cp测试良率超过95%，击穿电压轻松突破2000V
在2024武汉九峰山论坛上，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关，首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内，所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压轻松突破2000V。
产品 发布时间 : 2024-04-15
性能达国际水平！致能授权世强硬创代理氮化镓外延片等产品
第一代650V氮化镓器件作为致能（ZIENER）的拳头产品，专门针对氮化镓自主开发DHTOL、ALT、PLBI等设备保障器件一致性及长期可靠性。
签约新闻 发布时间 : 2023-09-08
广东致能科技有限公司国产首发1200V高可靠性氮化镓器件平台，广泛用于工业、新能源、汽车等领域
广东致能科技有限公司完成首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台。在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可广泛用于工业、新能源、以及汽车等领域。
产品 发布时间 : 2024-01-25
致能氮化镓应用于大功率无线充电共享电动自行车，改善系统EMC特性，可将效率提高至93%
致能氮化镓与合作伙伴共同完成了大功率无线充电共享电动自行车方案，实现了电动自行车无线充电桩集中无线充电。整个系统可同时对10台电动自行车进行充电。致能氮化镓主要用于300W充电模块发射端，采用TTPPFC+CLLC方案，极大地提高了效率、降低了发射端尺寸。基于GaN高dv/dt特性，减小开关损耗；发射逆变半桥死区时间小，减少逆变的无功损耗，将系统效率提高到93%。
应用方案 发布时间 : 2024-01-05
氮化镓半导体IDM创新企业
型号- ZN90C1R550,ZN65C1R200,ZN65C1R035,ZN65C1R480,ZN65C1R070,ZN65C1R120,ZN90C1R300,ZN90C1R1100,ZN65C1R022,ZN65C1R1000
广东致能荣获2023年行家说两项大奖，与行业伙伴共谱GaN功率器件未来
近日，第三代半导体年会（碳化硅＆氮化镓产业发展高峰论坛暨行家说极光奖颁奖典礼）在深圳隆重举行。会议中广东致能受邀出席《GaN功率半导体的产业机遇与协同》圆桌论坛，并联合行业知名企业及行家说产业研究中心发布了《2023氮化稼（GaN）产业调研白皮书》，同时荣获2023年行家说“中国GaN器件十强企业”以及“年度优秀产品”。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-12-27
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