芯际探索（XJTS）功率器件选型指南
描述- 公司以元器件可靠性为基础，在该领域纵向发展，自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET及模块和 HVIC 高边开关系列产品。应用市场从以往传统的航空航天、商业航天领域拓展至当下炙手可热的新能源汽车、高铁、舰船、光伏等电子电力装置领域，满足多领域逆变器、UPS、变频器、电机驱动及大功率电源的应用需求。
型号- CSBW50N65EC,CSBW40N120E,CSSY60M190B,CSBP15N60B,CSCX3N65A,CSFP25R12FBF,CSSA70M200CFD,CSSX70M1K5,CSBC15N65B,CSVX13N50B,CSKX6N65AK,CSBA20N60BZ,CSFF150R12
功率半导体器件产品选型手册
型号- CS9N50,CSM4435,CSM055N04,CSG40T120FUH,CSFP25R12FBF,CSG40T120FUK,CSM10N20,CSQG50T65FCK,CSS70R600,CS10N70,CSM12P03,CS11N40,CSFF150R12KB,CS4N80A,CSFS820R
芯际探索IGBT单管选型表
芯际探索提供IGBT单管的以下参数选型，VCES(Max.)（V）：400V，650V和1200V；IC (A) (@ Tc = 100 °C) max：10A~75A等。
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产品型号
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品类
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Qrr(nC)typ
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Eoff(mJ)typ
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IC (A) (@ Tc = 25 °C) max
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Mode
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Qg (nC)typ
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Grade
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IC (A) (@ Tc = 100 °C) max
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VF(V)typ
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VCE(sat)(V)typ
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IF (A)(@ Tc = 25 °C) max
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Type
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VCES(Max.)（V）
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PTOT(Max.)（W）
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Freewheeling diode
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IF(A)(@ Tc = 100°C)max
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Eon(mJ)typ
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Irrm(A)typ
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CSG10T65FUL-D
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IGBT单管
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227nC
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0.14mJ
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20A
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N-Channel
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39nC
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Industrial
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10A
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1.35V
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1.4V
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10A
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IGBT Trench FS
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650V
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83W
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FRD
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5A
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0.17mJ
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4A
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选型表 - 芯际探索 立即选型>>
芯际探索MOS管选型表
芯际探索提供Planar MOSFETs,SGT MOSFETs,SIC MOSFETs,SJ MOSFETs,Trench MOSFETs的以下参数选型，VDS(Max)（V）：-100V~1000V；ID(Max)（A）：-55A~401A等。
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产品型号
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品类
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ID(Max)（A）
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VDS(Max)（V）
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Mode
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RDS(on)(Max)（mΩ/Ω）
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Qg(Typ)（nC）
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CSP012N08-T
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SGT MOSFETs
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413A
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80V
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N-Channel
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1.4mΩ
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230nC
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选型表 - 芯际探索 立即选型>>
芯际探索IGBT模块选型表
芯际探索提供IGBT模块以下参数选型，VCE(V)：650，750，1200和1700；Ic(A)@100℃：50~950等。
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产品型号
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品类
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Eon(mJ)
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VCE(V)
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Ic(A)@100℃
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Eoff(mJ)
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Vcesat(V) @25℃ typ
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CSF3L450R07XNF X1
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IGBT模块
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7.3
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650
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450
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31.6
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1.42
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选型表 - 芯际探索 立即选型>>
芯际探索氮化镓晶体管选型表
芯际探索提供氮化镓晶体管（GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor,GaN Power ICs,PWM Controller,Ultra-Fast 100V/7mΩ Synchronous Rectifier）的以下参数选型，Voltage rating（V）：100 V和650V；RDS(on)(Typ.)（mΩ）：24mΩ~334mΩ等。
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产品型号
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品类
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Voltage rating（V）
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RDS(on)(Typ.)（mΩ）
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RDS(on)(Max.)（mΩ）
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Application
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CS65480DBA
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GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor
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650 V
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330 mΩ
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480 mΩ
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Adapter
PD Charger
Power Module
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选型表 - 芯际探索 立即选型>>
储能逆变器和光伏逆变器的工作原理及区别
作为光伏发电和储能系统的核心部件，逆变器大名鼎鼎在外。很多人看见它们名字相同、作用领域相同，就认为这两个是同一类产品，其实并不然。光伏、储能逆变器，二者既是“最佳拍档”，也在功能、使用率、收益等实际应用上有所区别。本文对其介绍。
技术探讨 发布时间 : 2024-01-16
一文搞懂如何测量功耗并计算二极管和IGBT芯片的温升
与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT芯片的温升。
设计经验 发布时间 : 2023-12-31
芯际探索获评2024年第一批贵州省“专精特新”中小企业称号
6月17日，贵州省工业和信息化厅发布了《省工业和信息化厅关于公布2024年贵州省专精特新中小企业（第一批）名单的通告》。贵州芯际探索科技有限公司凭借技术能力、产品质量等方面的卓越表现，成功获得“贵州省专精特新中小企业（第一批）”称号。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-06-27
光伏逆变器的IGBT保护技术
IGBT在光伏逆变器的核心利用体现在驱动保护、过电流/短路保护、过温保护、机械故障保护等四个方面。本文中芯际探索将与大家分享光伏逆变器的IGBT保护技术
技术探讨 发布时间 : 2024-01-12
解析SiC MOSFET器件五大特性
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和IGBT相比具有显著优势。开关超过1,000V的高压电源轨以数百kHz运行并非易事，即使是最好的超结硅MOSFET也难以胜任。本文将为您介绍SiC MOSFET器件五大特性。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-24
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