萨瑞微电子（SALLTECH）ESD保护器件选型表
描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2
萨瑞微电子（SALLTECH）MOS选型表
描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- SR2300K,SR150PE2PH,SR2300B,SR3139KDS6,SR3139KDS3,SR2N7002KDS3,SR250P03,SR3134KPD,SR2301DSC,SR340N06,SR2SK3018,SR46N06T5,SR2SK3019,SR270P03T4,SR3437KS3
萨瑞微电子（SALLTECH）TSS选型表
描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- P0080SC,P2000TB,P2000TA,P0080SB,P0080SA,P3100SB-MC,P3500SB-MC,P0900SC-MC,P0720SA,P0720SC,P0720SB,P0080SC-MC,P2000SC,P2000SB,P2000SA,P1100SC-MC,P0080TA
萨瑞微电子（SALLTECH）TVS选型表
描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- 5.0SMDJ33CA,5.0SMDJ75CA,5.0SMDJ15A,5KP6.0A,5.0SMDJ43A,5.0SMDJ18CA,5KP110CA,5.0SMDJ14CA,5KP200A,5KP12A,5KP40CA,5KP36A,5KP24A,5.0SMDJ90CA,5KP48A,5KP48CA
萨瑞微电子MOS选型表
N型或P型低Rds(ON)阻抗选择，开关电压转换低功耗，符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3，UL 易燃性等级 94V-0，Leadless Chip设计降低了结电容，6针或8针选择适合多功能产品应用，表贴封装，先进的沟槽电池设计，极低的阈值电压，ESD保护，低 RDS(ON) 和 FOM，具备优异的稳定性和均匀性。
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产品型号
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品类
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PD （W）
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Vds（V）
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VGS(th) Max（V）
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Vgs（V）
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Dynamic.Coss（pf）
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Dynamic.Crss（pf）
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Dynamic.Ciss（pf）
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Marking
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Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
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VGS(th) Min（V）
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Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
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封装
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Dynamic.Rg（Ω）
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Type
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ID （A）
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ESD
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Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
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SR3406
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MOSFET
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1.25
|
30
|
3
|
20
|
57
|
39
|
288
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R6
|
95
|
1
|
82
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SOT23
|
3
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SN
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3.6
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No
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65
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75
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子Zener diode选型表
萨瑞微电子齐纳二极管/Zener diode选型，Ptot (W)：0.2W、0.5W；IR (uA)：0.045uA-100uA；VF (V)：0.9V。
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产品型号
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品类
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Ptot (W)
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VZ Min (V)
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VZ Nom (V)
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VZ Max (V)
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Vz@ IZT (mA)
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ZZT (Ω)
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ZZK (Ω)
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ZZK @ IZK (mA)
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IR (uA)
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IR @ VR (V)
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VF (V)
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VF @ IF (mA)
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Marking
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Package
|
|
BZT52B43P1
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Zener diode
|
0.2
|
41.16
|
43
|
43.84
|
5
|
100
|
700
|
1
|
0.1
|
32
|
0.9
|
10
|
WU
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DFN1006
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode)，先进的单片硅技术，保护电压敏感的数据和电源线；符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准（±30kV空气和±30kV接触）放电电压；符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准；超小尺寸DFN封装；主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
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产品型号
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品类
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Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
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Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
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Max Breakdown Voltage(V)
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Junction Capacitance Cj(pF)
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Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
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极性
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Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
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Max Peak Pulse Power PPP(W)
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Marking
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Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
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Min Breakdown Voltage VBR(V)
|
|
SEL0201P0
|
ESD Diode
|
0.2
|
4.2
|
4.5
|
20
|
2.5
|
双向
|
7
|
55
|
C02
|
8
|
3.1
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子LDO选型表
低温系数;高纹波抑制;低压差;低静态电流：3μA~50μA;输出电压高精度：±2%（典型值）;低输出噪声：40μVRMS（10Hz~100kHz）;优异的线路和负载瞬态响应; 内置限流器;短路保护;符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3 级标准
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产品型号
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品类
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Vin（V）
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Vout（V）
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lout（mA）
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Static power Typ（uA）
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Static power Max（uA）
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Psrr(dB)
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Vdrop(mV)
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Package
|
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SR75XXH
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LDO
|
1~40
|
1.8~5
|
100
|
4.2
|
/
|
60
|
600
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SOT-23-3L
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子锂电IC选型表
内置 60 mΩ MOSFET;超小型超薄DFN1x1-4封装;内置过温保护;三重过放电电流检测保护;超小静态电流（1.3uA）和睡眠电流（0.3uA）;符合 ROHS 标准
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产品型号
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品类
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OVP Voltage (V)
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Discharge Voltage (V)
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Over release Voltage (V)
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Discharge Current (A)
|
Working Current (uA)
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Rds ON(mΩ)
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Marking
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Package
|
|
SRIC3701A
|
锂电IC
|
4.3
|
2.8
|
3
|
0.8
|
1.4
|
55
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R01 XX
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DFN1X1-4
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子TVS选型表
萨瑞微电子TVS/瞬态抑制二极管选型，IT(mA)：1mA或5mA或10mA；VR(V)：5V-467V；PPP（W）：200-6600W。
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产品型号
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品类
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VCH(V)>VRWM标准值
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IR(μA)≤IR标准值
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IPP(A)≥Ipp标准值
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Making
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VBL(V)≥VBR(MIN)标准值
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PACKAGE
|
VBH(V)≤VBR(MAX)标准值
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极性
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PPP（W）Power标准值
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IT(mA)
|
VR(V)
|
|
5.0SMDJ11A
|
TVS
|
18.2
|
800
|
275
|
5.0SMDJ11A
|
12.20
|
SMC/DO-214AB
|
13.50
|
单向
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5000
|
1
|
11
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子整流器选型表
玻璃钝化芯片;低正向压降;低漏电流;高正向浪涌能力;高温焊接：端子260°C / 10S;组件符合 ROHS 2002/95/1 和 WEEE 2002/96/EC
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产品型号
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品类
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PPK Voltage PRv VPK
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Resistive Load 60Hz lo@T AAV
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Resistive Load 60Hz lo@T ℃
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Surperimposed @8.3ms lFM(Surge) APK
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@PRV@25°CT IR uAdc
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@25°CT IFM APK
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@25°CT VFM VPK
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PACKAGE
|
|
GBP410
|
Rectifier
|
1000
|
4
|
25
|
150
|
10
|
1
|
1.1
|
GBP
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
萨瑞微电子Switching Diode选型表
萨瑞微电子开关二极管/Switching Diode选型，Ptot(W)：0.15W-0.5W；IO(mA)：100mA-300mA；VF(V)：0.715V-1.2V；IR(uA)：0.005uA-5uA。
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产品型号
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品类
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Ptot(W)
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IO(mA)
|
VR Min(V)
|
VR @ IR(uA)
|
VF(V)
|
VF @ IF(mA)
|
IR(uA)
|
IR @ VR(V)
|
trr(ns)
|
Marking
|
Package
|
|
BAV21W
|
Switching Diode
|
0.5
|
200
|
250
|
100
|
1
|
100
|
0.1
|
200
|
50
|
T3
|
SOD-123
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型>>
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电子商城
