虹美功率半导体选型帮助
请补充您需要选型的产品及参数要求，世强和原厂的技术专家为您推荐功能、价格、供应最优的产品，协助您快速完成设计。 两个工作日内技术专家和客服将通过世强硬创平台954668电话、@sekorm邮件与您取得联系，请保持通畅。
服务提供商 - SEKORM 进入>>
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/IGBT单管/Sic(碳化硅)二极管/GaN(氮化镓)FET产品参数选型表
描述- 虹美功率半导体新一代IGBT系列产品， 基于沟槽电场截止型IGBT技术理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程，从而大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。相比上一代IGBT，新一代IGBT芯片面积更小，芯片厚度更薄；导通压降（VCEsat）降低约0.3V，开关损耗降低20%以上；器件可耐工作温度更高，使用寿命更长；且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性；综合性能达到业内领先水平。
型号- HM2N60F,HMS320N04D,HM4822B,HM20P02D,HM8N02MR,HMS310N85,HM3N40R,HMS320N04G,HMS60N10DA,HM3205,HMS150N04D,HM3207,HM2N60K,HM9435B,HM15N50D,HM15N50F,HM80N0
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/IGBT单管/Sic(碳化硅)二极管/GaN(氮化镓)FET选型指南
描述- Hongkong Meitek Technology Co, . Ltd / Shenzhen Hongmei Power Semiconductor Co., Ltd. is a leading design and sales enterprise for power semiconductor devices in China, specializing in the design, production, and sales of various power semiconductor devices.
型号- HM2N60F,HMS320N04D,HM2N60I,HM4822B,HM20P02D,HM8N02MR,HMS310N85,HM3N40R,HMS320N04G,HMS60N10DA,HM3205,HMS150N04D,HM3207,HM2N60K,HM9435B,HM15N50D,HM15N50
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/IGBT单管/Sic(碳化硅)二极管/GaN(氮化镓)FET选型表（产品说明）
描述- 深圳市虹美功率半导体有限公司是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。虹美功率半导体自公司成立以来，飞速发展，产品已涵盖了MOS管(低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS)、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类上百个型号。
型号- HM2N60F,HM2N60I,HM4822B,HM20P02D,HM8N02MR,HM3N40R,HM3205,HMS60N10DA,HMS150N04D,HM2N60K,HM3207,HM9435B,HM2N20PR,HM80N06KA,HM90N04D,HM17N10K,HMG40N65FT
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表（国内独创特色产品）
目录- 小功率低压P/N沟道场效应管 中功率低压P/N沟道场效应管 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 大功率高压N沟道场效应管 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 大功率中压大电流N+P沟道场效应管 大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管 高压超结N沟道场效应管 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 GaN(氮化镓) FET管
型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HMS11N70Q,HM10DN06Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET选型表（量大价格优）
目录- 小功率低压P/N沟道场效应管 中功率低压P/N沟道场效应管 锂电保护板用MOS管
型号- HM2301E,HM9435B,HM2302D,HM2301D,HM2302E,HM2302B,HM4410B,HM2301B,HM7002K,HM2N10C,HM4606D,HM8205A,HM3401C,HM3400C,HM3401E,HM3400E,HM9926B
虹美功率半导体P沟道低压MOS选型表
P沟道 低压MOS，VDS(Max) (BVDSS(V))：-12~-300，ID(Max) (A)：-0.2~-25，IDM (A)：-0.6~-80，VTH (Typ) (V)：-0.45~-2.6，VGS (V)：-6~-20，RDS(ON) @-10VTyp (mΩ)：5.2~2500，RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)：5.8~3000，RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)：7.2~440
|
产品型号
|
品类
|
沟道(Polarity)
|
VDS(Max) (BVDSS(V))
|
ID(Max) (A)
|
IDM (A)
|
VTH (Typ) (V)
|
VGS (V)
|
RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)
|
RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)
|
|
HM2301
|
P沟道 低压MOS
|
P沟道
|
-20V
|
-3.0A
|
-10A
|
-0.65V
|
-12V
|
64mΩ
|
89mΩ
|
选型表 - 虹美功率半导体 立即选型>>
虹美功率半导体N沟道低压MOS选型表
N沟道低压MOS，VDS(Max) (BVDSS(V))：15~200，ID(Max) (A)：0.17~37，IDM (A)：0.68~110，VTH (Typ) (V)：0.45~3.4，VGS (V)：6~30，RDS(ON) @10VTyp (mΩ)：2.9~5000，RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)：3.9~3000，RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)：5.5~370
|
产品型号
|
品类
|
沟道(Polarity)
|
VDS(Max) (BVDSS(V))
|
ID(Max) (A)
|
IDM (A)
|
VTH (Typ) (V)
|
VGS (V)
|
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)
|
RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)
|
|
HM2302
|
N沟道 低压MOS
|
N沟道
|
20V
|
3A
|
10A
|
0.7V
|
10V
|
30mΩ
|
37mΩ
|
选型表 - 虹美功率半导体 立即选型>>
虹美功率半导体MOS选型表
虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS，主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
|
产品型号
|
品类
|
沟道(Polarity)
|
VDS(Max) (BVDSS(V))
|
ID(Max) (A)
|
IDM (A)
|
VTH (Typ) (V)
|
VGS (V)
|
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
|
RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ/Ω)
|
|
HM4806D
|
低压MOS
|
双N沟道
|
20V
|
15A
|
45A
|
1.0V
|
12V
|
5.0mΩ
|
5.5mΩ
|
选型表 - 虹美功率半导体 立即选型>>
虹美功率半导体双P沟道低压MOS选型表
双P沟道 低压MOS，VDS(Max) (BVDSS(V))：-12~-100，ID(Max) (A)：-0.3~-20，IDM (A)：-0.9~-60，VTH (Typ) (V)：-0.45~-2.9，VGS (V)：-6~-20，RDS(ON) @-10VTyp (mΩ)：11.5~4400，RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)：5.8~3200，RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)：7.2~780
|
产品型号
|
品类
|
沟道(Polarity)
|
VDS(Max) (BVDSS(V))
|
ID(Max) (A)
|
IDM (A)
|
VTH (Typ) (V)
|
VGS (V)
|
RDS(ON) @-10VTyp (mΩ)
|
RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)
|
|
HM4953
|
双P沟道 低压MOS
|
双P沟道
|
-30V
|
-5.1A
|
-20A
|
-1.6V
|
-20V
|
48mΩ
|
73mΩ
|
选型表 - 虹美功率半导体 立即选型>>
虹美功率半导体N+P沟道低压MOS选型表
N+P沟道 低压MOS，VDS(Max) (BVDSS(V))：20V/-20V~ 100V/-100V，ID(Max) (N/P) (A)：0.9A/-0.8A~ 18A/-12A，IDM(N/P) (A)：5.0A/-4.0A~60A/-40A，VTH (Typ)(N/P) (V)：0.45V/-0.45V~ 3.3V/-1.9V，VGS(N/P) (V)：8V/-8V~ 20V/-20V，RDS(ON) @+/- 10VTyp (mΩ) (N/P)：5.5mΩ/11,5mΩ~ 220mΩ/350mΩ，RDS(ON) @+/- 4.5VTyp (mΩ)(N/P)：7.5mΩ/18mΩ~260mΩ/550mΩ，RDS(ON) @+/- 2.5VTyp (mΩ)(N/P)：33mΩ/58mΩ~330mΩ/780mΩ
|
产品型号
|
品类
|
沟道(Polarity)
|
VDS(Max)(N/P) (BVDSS(V)
|
ID(Max) (N/P) (A)
|
IDM(N/P) (A)
|
VTH (Typ)(N/P) (V)
|
VGS(N/P) (V)
|
RDS(ON) @+/- 4.5VTyp (mΩ)(N/P)
|
RDS(ON) @+/- 2.5VTyp (mΩ)(N/P)
|
|
HM4622
|
N+P沟道 低压MOS
|
N+P沟道
|
20V/-20V
|
5.0A/-5.0A
|
20A/-20A
|
0.65V/-0.7V
|
12V/-12V
|
22mΩ/39mΩ
|
33mΩ/58mΩ
|
选型表 - 虹美功率半导体 立即选型>>
虹美功率 重点型号 对应 竞品型号
型号- GK8205,AP9435,AON2405,CEP640,HM4616D,AON2403,MEM2311,AON3611,AON2401,MEM2310,MEM2313,IRLML6302,IRFR15N20D,APM4503,MEM2317,APM4501,AOD4184,JCS12N65,NP6
【经验】MOSFET驱动电阻计算方法
本文介绍了MOSFET驱动电阻计算方法，帮助各位工程师解决疑惑。其中，Rg为驱动电阻；LK是驱动回路的感抗，一般在几十nH；Rpd的作用是给MOSFET栅极积累的电荷提供泄放贿赂，一般取值在10K~几十K；Cgd、Cgs、Cds是MOSFET的三个寄生电容。
设计经验 发布时间 : 2023-03-19
|
|
|
电子商城
