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誉鸿锦-氮化镓晶体管选型表

誉鸿锦提供关于氮化镓晶体管的以下参数选型:电压量程:650V~800V,电流量程:5A~105A,RDS:80mΩ~240mΩ,Vgs:-10V~20V,包含多种封装形式。

产品型号
品类
RDS
电压量程
Vgs
电流量程
Package
YHJ-65P150AMC
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
150mΩ
650V~800V
-20V~+20V
12A~21A
DFN 8×8mm

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自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频

江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-04-26

数据手册  -  誉鸿锦  - 2024/7/10 PDF 英文 下载

什么是二极管?

二极管,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。

技术探讨    发布时间 : 2024-04-26

氮化镓器件在射频领域中的应用,具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

应用方案    发布时间 : 2024-05-23

数据手册  -  誉鸿锦  - 2024/7/10 PDF 英文 下载

氮化镓材料产业概况

随着半导体化合物持续发展,相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体,第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。本文对氮化镓材料产业进行概况。

行业资讯    发布时间 : 2024-05-24

誉鸿锦与世强先进的代理协议

描述- 2024年3月,江西誉鸿锦材料科技有限公司与世强先进(深圳)科技股份有限公司签署了代理协议。

代理协议/证明  -  誉鸿锦  - 2024年3月1日 PDF 中文 下载

国内月产能Top,氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线

誉鸿锦氮化镓产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。

签约新闻    发布时间 : 2024-07-01

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会,携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持,首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式,带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体,多个地方政府招商团、数十个行业投资机构,几十个上下游企业代表参与了该发布会。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-04-29

数据手册  -  誉鸿锦  - Version 0.1  - 2023/09/01 PDF 英文 下载

誉鸿锦半导体举办媒体开放日活动,现场见证Super IDM产业效率革命

誉鸿锦半导体举办“媒体开放日”活动,就行业发布会上提出的”Super IDM“做了现场产线展示和上下游产业链企业详解。多家半导体行业资深媒体来到抚州,近距离参观和了解誉鸿锦“材料外延-芯片制程-封装测试”的全流程生产工序以及自研和国产扶持的半导体设备,并就发布会上介绍的全产业集群中的“上游设备材料集群、终端产品应用生态链”内容做了详细讲解和业务分享。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-04-27

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品牌:誉鸿锦

品类:MOSFET

价格:¥4.0000

现货: 2,492

品牌:誉鸿锦

品类:氮化镓场效应管

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品类:氮化镓场效应管

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