里阳半导体(Liown)汽车行业保护器件选型指南
描述- 里阳半导体成立于2018年8月,是集功率半导体设计与制造于一体的IDM企业,公司的技术与产品涵盖:瞬态电压抑制二极管(TVS)、可控硅(Thyristor)、整流二极管(Rectifier)、静电抑制二极管(ESD)、半导体放电管(TSS)、气体放电管(GDT)、压敏电阻(MOV)、自恢复保险丝(PPTC)、玻璃放电管(SPG)等,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如多层叠片技术、高结温低漏流技术、多层钝化工艺、超强抗干扰可控硅技术等。同时利用公司多名核心技术人员在设计、制造领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品设计和系统性的应用解决方案。
型号- SMBJ5.0A,SM6S24A,SMCJ440A-Q,2R090MM-8,30KP-Q,SM8S33A,SMBJ6.5A,15KP36A-Q,5KP-Q,SM6S,SMCJ75A-Q,5KP36A-Q,SMBJ6.5CA,15KP-Q,SM8S30A,2R075ML-8,5.0SMDJ36A-Q
里阳半导体(Liown)电路保护元器件选型指南
描述- 本手册概述了关键的电路保护考虑因素,里阳半导体提供的技术描述和产品选择表。它旨在帮助您快速找到适合您的应用保护解决方案。
型号- P6SMAJ30CA-Q,P6SMB,SMBJ,10KP33CA-Q,LY23EA03,LY23EA05,P6SMB-Q,SM8S36CA,2R-G,P0080SB,1.0SMBJ,LY523BA05,2R-E,LC40,2R-4,LY323DC36,LY236CA05UL,LTH4 3Q,LTH1
里阳半导体单向可控硅选型表
可控硅也称晶闸管,具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。VDRM/VRRM(V):600/800V
产品型号
|
品类
|
Peak repetitive off-state voltage-Vᴅʀᴍ/
Vʀʀᴍ(V)
|
On-state RMS current (full sine wave)(A)
|
IGT3(mA)
|
Package
|
LC08H-06BS
|
TRIACs
|
600V
|
0.8A
|
0.1mA
|
TO-92
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体正温度系数热敏电阻贴片PPTC选型表
里阳半导体正温度系数热敏电阻贴片PPTC选型表,保持电流:0.05A~4A,最大电压:6V~60V,工作温度:-40℃~85℃。Hold Current: 0.05A~4A,Maximum Voltage: 6V~60V,Operating temperature: -40℃~85℃
产品型号
|
品类
|
Iʜᴏʟᴅ(A)
|
Iᴛʀɪᴘ(A)
|
Vᴍᴀx(Vᴅᴄ)
|
Iᴍᴀx(A)
|
Pᴅ ᴛʏᴘ
|
Maximum time to trip(Current(A)-Time(Sec))
|
Resistenct-Riᴍɪɴ(Ω)
|
Resistenct-R1ᴍɪɴ(Ω)
|
Package
|
S0603H005
|
PPTC
|
0.05A
|
0.15A
|
24Vᴅᴄ
|
20A
|
0.5W
|
0.2A-1s
|
3Ω
|
35Ω
|
0603
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体气体放电管GDT选型表
里阳半导体气体放电管GDT(Gas Discharge Tube)选型表,击穿电压稳定,绝缘电阻高,额定电流大,电容低(≤1pF)。Stable breakdown voltage,High insulation resistance,High current rating,Low capacitance (≤1pF)
产品型号
|
品类
|
Type
|
DC Spark-over Voltage(V)-100V/s
|
Maximum Impulse Spark-over Voltage(V)-1000V/μs
|
Nominal Impulse Discharge Current(A)-8/20μs, 10 ti
|
Minimum Insulation Resistance(GΩ)
|
Maximum Capacitance(pF)-1MHz
|
Size(mm)
|
2R150SM-E
|
GDT
|
SMD
|
150V±30%
|
750V
|
500A
|
1GΩ(Test Voltage 50VDC)
|
0.5pF
|
3.2*1.6*1.6
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体瞬态电压抑制二极管(非车规级)选型表
里阳半导体瞬态电压抑制二极管(非车规级)选型表,反向隔离电压:5~600V,击穿电压@IT:6.4~741V。Reverse Stand-Off Voltage:5~600V,Breakdown Voltage @IT:6.4~741V
产品型号
|
品类
|
Reverse Stand-Off Voltage Vʀ(V)
|
Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍɪɴ(V)
|
Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍᴀx(V)
|
Test Current(mA)
|
Maximum Clamping Voltage @Iᴘᴘ(V)
|
Peak Pulse Current(A)
|
Reverse Leakage @Vʀ(μA)
|
Package
|
SMF5.0A
|
TVS Diodes
|
5V
|
6.4V
|
7V
|
10mA
|
9.2V
|
21.8A
|
500μA
|
SOD-123FL
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体正温度系数热敏电阻插片PPTC选型表
里阳半导体热敏电阻插片PPTC选型表,保持电流:0.02A~9A,最高电压:600V,工作温度:-40℃~85℃。Hold Current: 0.02A~9A,Maximum Voltage: 600V,Operating temperature: -40℃~85℃
产品型号
|
品类
|
Iʜᴏʟᴅ(A)
|
Iᴛʀɪᴘ(A)
|
Iᴍᴀx(A)
|
Pᴅ ᴛʏᴘ
|
Maximum time to trip(Current(A)-Time(Sec))
|
Resistenct-Riᴍɪɴ(Ω)
|
Resistenct-R1ᴍɪɴ(Ω)
|
Vᴍᴀx(Vᴅᴄ/Vᴀᴄ)
|
LY16-010
|
PPTC
|
0.1A
|
0.3A
|
100A
|
0.38W
|
0.5A-5s
|
1.5Ω
|
7.5Ω
|
16Vᴅᴄ/Vᴀᴄ
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体瞬态电压抑制二极管(车规级)选型表
里阳半导体瞬态电压抑制二极管(车规级)选型表,反向隔离电压:5~600V,击穿电压@IT:6.4~741V。Reverse Stand-Off Voltage:5~600V,Breakdown Voltage @IT:6.4~741V
产品型号
|
品类
|
Reverse Stand-Off Voltage Vʀ(V)
|
Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍɪɴ(V)
|
Breakdown Voltage @Iᴛ-Vʙ ᴍᴀx(V)
|
Test Current(mA)
|
Maximum Clamping Voltage @Iᴘᴘ(V)
|
Peak Pulse Current(A)
|
Reverse Leakage @Vʀ(μA)
|
Package
|
SMAJ5.0A-Q
|
TVS Diodes
|
5V
|
6.4V
|
7V
|
10mA
|
9.2V
|
43.5A
|
800μA
|
SMA
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体双向可控硅选型表
也称晶闸管,具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。VDRM/VRRM(V):1000/800V
产品型号
|
品类
|
Peak repetitive off-state voltage-Vᴅʀᴍ/
Vʀʀᴍ(V)
|
On-state RMS current (full sine wave)(A)
|
IGT3(mA)
|
Package
|
LTH1H-08GW
|
TRIACs
|
800V
|
1A
|
5mA/10mA
|
TO-92
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体常规压敏电阻MOV选型表
里阳半导体常规压敏电阻MOV选型表。Wide operating voltage (V1mA) range from 18V to 1800V
产品型号
|
品类
|
Varistor Voltage-V₁ᴍᴀ(V)
|
Maximum Allowable Voltage-Vᴀᴄ(V)
|
Maximum Allowable Voltage-Vᴅᴄ(V)
|
Maximum Clamping Voltage-Iᴘ(A)
|
Maximum Clamping Voltage-Vᴄ(V)
|
Surge Current-I(A)
|
Maximum Energy(10/1000μs)-E(J)
|
Maximum Leakage Current@83% of V1mA-Iʀ(μA)
|
Rated Power-P(W)
|
Typical Capacitance(Reference)-@1KHz (pF)
|
Size(mm)
|
180KD05
|
MOV
|
18(15~21.6)V
|
11V
|
14V
|
1A
|
40V
|
100A
|
0.4J
|
50μA
|
0.01W
|
1400pF
|
Φ5mm
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体单路静电抑制二极管ESD选型表
里阳半导体单路静电抑制二极管ESD选型表,VRWM(V):3.3~36V,PPP(W):45~1875W
产品型号
|
品类
|
Vʀᴠᴍ(V)
|
Pᴘᴘ(W)
|
Iᴘᴘ(A)
|
Cᴊ(pF)
|
Air(kV)
|
Contact(kV)
|
Package
|
LY02AC03L
|
TVS Diode Arrays
|
3.3V
|
80W
|
8A
|
25pF
|
30kV
|
30kV
|
DFN0603-2
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
里阳半导体热保护压敏电阻TMOV选型表
里阳半导体热保护压敏电阻TMOV选型表,TMOV是一种集成保险丝和变阻器的热保护装置,工作电压(V1mA)范围从18V到1200V。TMOV is a thermal protection device with integrated fuse and varistor,Wide operating voltage (V1mA) range from 18V to 1200V
产品型号
|
品类
|
Varistor Voltage-V₁ᴍᴀ(V)
|
Maximum Allowable Voltage-Vᴀᴄ(V)
|
Maximum Allowable Voltage-Vᴅᴄ(V)
|
Maximum Clamping Voltage-Iᴘ(A)
|
Maximum Clamping Voltage-Vᴄ(V)
|
Surge Current-I(A)
|
Maximum Energy(10/1000μs)-E(J)
|
Maximum Leakage Current@83% of V1mA-Iʀ(μA)
|
Rated Power-P(W)
|
Typical Capacitance(Reference)-@1KHz (pF)
|
Size(mm)
|
820KN(M,E)14
|
TMOV
|
82(74~90)V
|
50V
|
65V
|
50A
|
155V
|
4500A
|
27J
|
35μA
|
0.6W
|
2400pF
|
Φ14mm
|
选型表 - 里阳半导体 立即选型>>
电子商城