铨力半导体（All Power）功率MOSFET选型指南
目录- MOS/IGBT
型号- AP2302B,AP9435,APG060N85,AP90N03Q,AP3415E,AP10N10S,AP90N04G,AP2055K,AP4008QD,AP20N06T,AP90N04K,AP150N03Q,APG078N07K,APG011N04G,AP1310K,AP2003,AP150N03
铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术，出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20，多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
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ID(A) Tc=25℃
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ID(A) Tc=100℃
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AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
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N
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20
|
±8
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0.5-1.2
|
-
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45/52
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52/67
|
-
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2
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-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型>>
铨力半导体SGT MOS选型表
铨力半导体提铨力半导体提供如下参数的SGT MOS选型:多种封装形式SOP-8/SOT-89等，先进的沟槽技术，RDS(on)低至2Ω，低栅极电荷，高雪崩能力
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
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ID(A) Tc=25℃
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ID(A) Tc=100℃
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AP5N10M
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SGT Mos
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SOT-89
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Single
|
N
|
100
|
±20
|
1-3
|
115/145
|
130/160
|
-
|
-
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5
|
-
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深圳铨力半导体有限公司公司简介
型号- APG045N01,AP6683,AP3722AT,AP6685,AP10N10K,AP06N03,AP6680,AP90N03Q,AP40N40K,AP90N04G,AP4032G,AP90N04K,AP85N04K,AP6888,AP60N06B,AP150N03G,AP2318A,APG050
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