阿基米德半导体选型帮助
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阿基米德半导体（Archimedes）IGBT分立器件/功率模块选型指南
型号- AMGO75B65FPH3RB,ADH040N12HT5,AMG006L12P2C3RB,ADG075N65CT5,AMG006L12P2C3RA,ADG040N65HT5,AMG225L12L1H3RB,ADH075N12MT7,AMG375L65L1S5RC,AMG150L70P2H3RA,AM
阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品，涵盖650V~1700V电压等级，产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
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产品型号
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品类
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VCE(V)
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IC(A)
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Package
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AMG200L12L1H3RB
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IGBT功率模块
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1200
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200
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ACL
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选型表 - 阿基米德半导体 立即选型>>
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-11
IGBT的短路测试
在我们设计产品进行IGBT选型的时候，我们在关注电流、电压、损耗等等性能参数中，短路耐量一直是备受关注的一点。而这时的关注也仅仅是“人群中多看你一眼”的节奏，有没有后续还得看实际测试，这也是众多规格书中基本存在的一句话“仅作参考”。所以，切实有效的测试才是下决定前最重要的一环，不同的工况有着不一样的需求，只有切实地验证之后才能较为放心大胆的使用。
技术探讨 发布时间 : 2023-10-26
纳米银焊膏焊点可靠性和失效机制
在烧结银焊点成形过程中，除纳米银颗粒自身烧结外，纳米银与焊盘间的烧结互连也极大地影响了焊点的力学性能。尤其在银颗粒与异质金属焊盘键合时，焊点失效位置往往位于焊点界面处。因此深入理解纳米银与金属焊盘的连接过程与冶金机制将帮有助于更好的调控焊点性能并提升焊点可靠性。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-10
车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理，助力碳中和
阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%；1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。
签约新闻 发布时间 : 2024-01-04
功率器件功率循环测试技术的挑战与分析
功率半导体器件，尤其是绝缘栅双极型晶体，一直是新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等应用的核心部件。硅基 IGBT 器件由于驱动功率小和饱和压降低，而且具有电压等级高和电流范围广的优势，成为各个领域的中流砥柱。可靠性成为继器件特性表征外最重要的质量评估手段和发展目标，也是近几年国内研究机构和应用方最为关注的研究领域。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-10
阿基米德半导体首席科学家刘胜院士一行拜访重点客户！
2024年2月27至3月1日，阿基米德半导体公司首席科学家刘胜院士、CEO、CTO等核心团队拜访公司重点客户深圳麦格米特电气股份有限公司（SZ:002851）、深圳市盛弘电气股份有限公司（SZ:300693）、深圳市英威腾电气股份有限公司（SZ:002334），并前往广州拜访新能源汽车领先厂商广汽集团（SZ:601238）和小鹏汽车（HK：09868）并与上述企业主要负责人进行深入交流。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-03-07
【视频】面向光储市场应用，阿基米德提供效率更优的功率产品解决方案
型号- AMG300L12P4H3RA,AMG300L65P4S5RC,AMG225L65F2S5RA,AMG500L12P4H7TA,AMG450L65P4S5FC,AMG600H12S1H3RA,AMG300L65F2S5RC,AMG400L12P4H3RA,AMG300L65F2S5RA,AMG375
成功举办 | 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满闭幕！
2024年6月5日-7日，2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京·亦庄格兰云天国际酒店盛大召开。本次会议以“凝芯聚力，降本增效”为主题，深度聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能装备、核心器件等产业链，涵盖晶体及外延生长、材料应用、集成封装、功率器件应用、系统解决方案等产业化内容。
厂牌及品类 发布时间 : 2024-07-10
【产品】阻断电压BV＞770V的ACP-2 I型高效三电平功率模块，助力储能产品实现更高功率密度和效率
阿基米德半导体推出了系列化三电平IGBT功率模块助力工商业储能产品实现更高的功率密度，更高的充放电效率。目前在静态性能上该产品阻断电压BV ＞770V， VCEsat值低至1.35V，而行业一般在1.7v, 优化后导通损耗降低近21%。
产品 发布时间 : 2023-09-24
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