龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南
描述- 福建龙夏电子科技有限公司是一家功率器件设计公司，公司成立于 2017 年 3 月。产品包含中低压 MOSFET 和 SBD 的晶圆和成品，核心竞争力是 BMS 大电流 SGT MOS 和光伏组件接线盒大电流 LOW VF 沟槽 SBD（TMBS）。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压 VDMOS、IGBT 和 SICMO、SIC JBS 二极管。
型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D14N45I,D10N45IG,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,L
龙夏电子（Long-Tek）MOSFET（成品）选型表
型号- LM90N03T4,LM90N03T8,LR012N04T10,120N95S3,LR037N10S10,120N95S2,LR072N10SL4,LR055N95S3,LR052N10S2,LM150N03T4,LR016N95S10,80N95S4,LM150N03T8,LR046N08SA2
广告 发布时间 : 2024-09-28
龙夏电子MOSFET选型表
龙夏电子提供以下参数的MOSFET：Polarity：N,N+P；Configuration：Single，Dual；Package：TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装；VDS(V)：20V~800V；VGS(±V)：12V~30V；ID(A)@25°C：4A~372A；RDS(ON)(mΩ)TYP@10V：0.37mΩ~780mΩ；EAS(mj)：13mj~7482.25mj；Rg(Ω)：0.37Ω~20Ω；Ciss(pF)：6pF~16974pF；Coss(pF)：41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
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产品型号
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品类
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VDS(V)
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Configuration
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EAS(mj)
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ID(A)@25°C
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VGS(±V)
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Polarity
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Package
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LR038N02T9
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MOSFET
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20V
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Single
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182.25mj
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80A
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12V
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N
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PDFN3*3
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选型表 - 龙夏电子 立即选型
龙夏电子SGT MOSFET选型表
龙夏电子提供如下参数的100V-SGT：BVDSS：100；ID：80-320A；Rontyp：1.55-6.7mΩ；VTH:2.3-3；EAS：462.25-2070.25mj；Rg：0.33-3；Ciss：3647.563-15016；Coss：387.9836-2700；Crss：16.7671-1738
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产品型号
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品类
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状态
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BVDSS(V)
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ID（A）
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Rontyp(mΩ)
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VTH(V)
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EAS(L=0.5mH VD=48V VG=10V)(mj)
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Rg(Ω)
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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LR016N08S10
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MOSFET
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MP
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80
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360
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1.27
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3
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2704
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1.8
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14140
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2259
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61
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选型表 - 龙夏电子 立即选型
一文介绍封装工艺
本文龙夏电子介绍封装工艺，封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
技术探讨 发布时间 : 2023-10-25
探讨SGT MOSFET击穿电压BV
反向击穿电压是功率器件最重要的电学参数之一，限制了器件正常工作状态下能承受的最大反向电压。与传统VDMOS相比，同等反向耐压下SGT MOSFET的外延层掺杂浓度更高，导通损耗更小。
技术探讨 发布时间 : 2023-10-18
中国MOSFET市场研究报告2022
本文章主要介绍了芯谋电子对于中国2022年MOSFET市场研究报告，分别不同产品针对市场占比，产品应用，产品类型和目前痛点与发展建议进行了分析
行业资讯 发布时间 : 2024-08-31
SGT电容的组成部分介绍
SGT和普通MOSFET一样，其寄生电容分为三大部分：栅源电容CGS，栅漏电容CGD以及漏源电容CDS（也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss）。栅源电容CGS分为四部分，主要由栅极与源电极之间的电容CGS1，栅极与N+源区之间的电容CGS2，栅极与P型体区之间的电容CGS3，以及栅极与屏蔽栅（与源极共端）之间的电容CGS4。
技术探讨 发布时间 : 2023-11-30
中国功率半导体的进击之路
芯片供应链紧张引发汽车厂商焦虑，推动国产替代浪潮，功率半导体在新能源车中关键作用凸显。华润微作为国内功率半导体IDM大厂，在技术和产能上取得进步，积极布局车规半导体和第三代半导体材料。公司通过IDM模式整合资源，降低成本，提高产品竞争力，为国产功率半导体发展做出贡献。
行业资讯 发布时间 : 2024-07-26
一文详解欧姆接触技术
集成电路中电子器件为了降低电极和半导体的接触阻抗均会采用欧姆接触。本文分享了理想的欧姆接触是怎么形成的以及实际半导体工艺中又是怎么实现欧姆接触。
技术探讨 发布时间 : 2023-11-02
中国发展功率半导体，动了谁的蛋糕？
中国功率半导体的火从2020年开始烧起，在全球芯片短缺的需求缺口和中国扩大功率半导体产能的政策双重助力下，中国功率半导体的发展已经初见成效。这把功率半导体的火，是否还将越来越旺？
行业资讯 发布时间 : 2024-07-24
【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势，导通电阻低至2.35mr
随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V,导通电阻Ron2.35mr.。
产品 发布时间 : 2023-09-27
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