【方案】100KW电动汽车电机驱动优选元器件方案
世强独家打造,脱胎于龙头企业的成功案例,选取高性价比、库存充足、供货稳定的型号,有效缩短研发时间,降低总体供应链成本。
概述
为应对全球气候变暖,减少汽车二氧化碳排放量,电动汽车的普及范围越来广,尤其是大功率电机驱动的电动巴士和物流车的应用普及。本方案采用Vincotech的E3系列IGBT模块、Power Integrations的隔离驱动、Melexis的电流传感器和Littelfuse的SIC MOSFET等器件组成的电机驱动电路,同时配备蓄电池备用辅助电源,实现大功率电机驱动安全高效、节能环保的目的。
器件优势:
• Vincotech半桥E3系列IGBT模块A0-VS122PA600M7-L759F70,基于新型SLC(固体覆层)和IMB(绝缘金属基板)封装技术,延长了模块使用寿命;采用最新M7晶圆,超薄晶圆工艺,导通损耗更低,具有更高的能量密度。
• Power Integrations隔离驱动芯片SID1182KQ,具备优异电气绝缘性能,输出峰值电流最大8A,最大可驱动600A功率模块,可带有外置推挽电路;开关频率最高可达250KHz,高集成度,外围器件少,驱动侧单电源供电;保护功能完善,短路保护通过Vcesat监测,高级软关断,原副边电源欠压保护。
• Melexis电流传感器MLX91208LDC-CAL-000-SP符合车规级认证,用户可编程高速电流传感器,以补偿应用模块中的机械/磁性组件影响,响应时间快<3us,快速模拟输出,可检测最高±1000A电流,适用于电驱输出电流检测。
• Littelfuse的SIC MOSFET器件LSIC1MO170E1000具有极低的栅极电荷和输出电容,专为高频率、高效率等优化应用,Vds为1700V,反压高,减小回路杂散电感带来的叠加电压超压风险,器件结温范围-55至155℃,能承受更高的环境应用温度。
下载附件可获取更多优选核心器件、型号推荐、实用电路框图!
VINCOTECH、LITTELFUSE、SGMICRO、RENESAS、MELEXIS、PI、SILICON LABS、Nippon Chemi-Con、LAIRD |
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A0-VS122PA600M7-L759F70、LSIC1MO170E1000、SGM2036-3.3YN5G/TR、R7F701271EAFP#YK1、MLX91208LDC-CAL-000-SP、SID1182KQ、Si8621BD-B-ISR、L50QS200.V、SMCJ24CA、EKXJ451ELL470ML25S、Tpcm780、Tflex HD300 |
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IGBT模块、SiC场效应晶体管、LDO、单片机、电流传感器、驱动IC、隔离芯片、保险丝、TVS、铝电解电容、导热材料、导热垫片 |
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[ 电机驱动 ][ 水冷式电驱系统 ][ 电动汽车电机驱动 ][ 汽车电机驱动 ][ 电动巴士电驱系统 ][ 100KW电动汽车电机驱动 ] |
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优选器件方案 |
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详见资料 |
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王晓 Lv6. 高级专家 2021-08-25学习
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电动汽车电机驱动控制器主要由功率系统和控制系统两部分组成:功率系统接收电池的直流电能,逆变成三相交流电供给汽车电机;控制系统接收电机转速等信号并反馈到仪表盘,控制器控制功率系统的频率,从而达到加/减速的目的。由于应用领域的特殊性,要求控制器具有高效率、高适应性、高可靠性,以保证车辆稳定、安全运行。
RENESAS,LITTELFUSE,PI,ROGERS,SILICON LABS,MELEXIS - FUSE,IGBT,TVS二极管阵列,电流传感器,数字隔离,门极驱动芯片(IGBT DRIVER),MCU,覆铜板,保险丝,单片机,SI86XX,RJP65,MLX91208,SM24CANA,92ML,RH850/C1M,SMAJ,SID1182K,L70QS,电机驱动控制器,高效率电动汽车电机驱动控制器,电动汽车电机驱动控制器
【产品】圣邦微双路型LDO SGM2027,单颗LDO完成两路LDO的电压转换
在一个模块电路中,前端DCDC输出的电压通常为5V,后级就需要LDO来完成5V至3.3V,3.3V至1.8V的转换。如果有多个低压需求,那么就需要使用多颗LDO,而现在单颗MCU体积都做的很小了,如果一个主控就配一个LDO,就会大大增加电路的体积。这里介绍一款圣邦微的双路型LDO SGM2027,单颗IC完成两路LDO的电压转换。
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IGBT模块在特定的工作点开关时,可能会在栅极电压、集-射极电压或集电极电流中产生高频振荡。会造成多种危害。从发生振荡的来源可分为三种模式的振荡,本文以Vincotech模块A0-VS122PA600M7-L759F70(1200V/600A)Half-Bridge拓扑为例,做一些分析我们常见的振荡分析。
Littelfuse SiC MOSFET(LFPTN250123SXC)产品终止通知
Littelfuse发布产品终止通知,宣布因生产晶圆停产和新技术世代引入,将终止生产一系列SiC MOSFET产品。包括多个型号的半桥MOSFET和单开关MOSFET,并提供替代型号。最后一批购买截止至2025年2月28日,具体交货时间将与项目进度个案商定。
LITTELFUSE - SIC MOSFETS,单开关,SINGLE SWITCH,SIC MOSFET,HALF BRIDGE MOSFET,半桥MOSFET,MCB60P1200TLB-TUB,MCB30P1200LB-TUB,MCB20P1200LB-TUB,MCB6011200TZ-TUB,MCB40P1200LB-TUB,IXFN50N120SK,MCB60I1200TZ-TUB,IXFN70N120SK,IXFN75N120SK,IXFN50N120SIC,MCB40P1200LB-TRR,IXFN55N120SK,IXFN30N120SK,MCB60P1200TLB-TRR,MCB20P1200LB-TRR,MCB30P1200LB-TRR,IXFN27N120SK
VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型,VOLTAGEIN:600-1800V,CURRENTIN:4-1800A
产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN(V)
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN(mm)
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ISOLATION
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V23990-K429-A40-PM
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IGBT功率模块
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CIB-KE-NTC
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MiniSKiiP® PIM 3
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1200
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75
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IGBT4
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MiniSKiiP® 3
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16
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Al2O3
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
LSIC1MO170E1000 1700 V N沟道增强型SIC MOSFET
该资料详细介绍了LSIC1MO170E1000型碳化硅(SiC) MOSFET二极管的规格、特性及应用。该器件具有1700伏耐压、1000毫欧姆导通电阻,适用于高频、高效率应用。
LITTELFUSE - N-CHANNEL, ENHANCEMENT-MODE SIC MOSFET,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,N沟道增强型SIC MOSFET,LSIC1MO170E1000,INDUCTION HEATING,BATTERY CHARGERS,电动机驱动,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,MOTOR DRIVES,感应加热,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,UPS,蓄电池充电器,太阳能逆变器,模式电源开关
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【应用】国产LDO SGM2225-ADJ可用于POCT(即使监测),提供800mA输出电流
某客户在设计POCT过程中,需要找一颗LDO,给MCU供电,POCT设备由市电供电,由电源模块转至24V,经DCDC降至5V,再由LDO输出3.3V给MCU供电,结合客户实际情况,给客户推荐SGM2225-ADJ系列型号。
【技术】力特浅谈电流传感器
电流传感器的小电流精度才是真正考验传感器的地方,因此为了满足不同电流的精度需求,目前市面上有双量程输出的电流传感器,以及霍尔电流传感器与分流器组合方式,其中霍尔负责大电流,分流器负责小电流。磁阻技术的引入也增加了高精度需求的可选项。
【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计,可实现300KHz开关频率
本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160,耐压1200V,导通电阻160mΩ,助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率,设计时可减小变压器体积,实现OBC小型化需求,此外产品本身具有高可靠性。
IGBT模块应用时,死区时间怎么预留?
IGBT模块应用时,通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间,例如20KHz驱动频率的电源行业,INV采用半桥架构,上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型,可参考Vincotech的选型资料:https://www.sekorm.com/doc/65932.html
请问目前有哪些厂家有SIC MOSFET IPM产品
SIC MOSFET有派恩杰,新洁能等,IPM有格力新元、ROHM、Vincotech。
【应用】圣邦微LDO SGM2210-ADJXN5G/TR助力传感器模块设计,静态电流低至36μA
国内一厂商在设计传感器模块时,需要考虑对基准源和MCU进行供电,预计使用两颗LDO分别输出5.5V和3.3V,考虑模块体积与散热问题,需要LDO静态电流尽量小,于是选用圣邦微SGM2210-ADJXN5G/TR。
【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块
IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理,关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)为例,验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>

可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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