YJD20N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

2019-05-31
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●沟道功率MV MOSFET技术

●优秀的散热封装

●低RDS（ON）的高密度单元设计

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产品型号
品类
Package
Status
ESD
Configuration
Type
VDSS(V)
ID(A)
PD(W)
VGS(V)
Tj(℃）
Vth_Typ(V)
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
Ciss_Typ(pF)
Coss_Typ(pF)
Crss_Typ(pF)
Qg_Typ(nC)
Grade
2N7002
MOSFET
SOT-23
Active
No
Single
N
60
0.34
0.35
±20
150
1.5
1200
2500
1300
3000
27.5
2.75
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