AQ1026 Series 15pF 30kV Bidirectional Discrete TVS

SP05系列30pF 30kV单向TVS阵列TVS二极管阵列规格书

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SP1001系列8pF 15kV单向TVS阵列规格书

本资料为Littelfuse公司SP1001系列单向TVS二极管阵列的数据手册。该产品采用专有的硅雪崩技术制造，旨在保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）的影响。这些二极管具有低负载电容和低漏电流的特点，适用于高速信号引脚的保护。

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SM24CANB系列TVS二极管阵列规格书

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SP3002系列低电容ESD保护TVS二极管阵列规格书

该资料介绍了SP3002系列低电容TVS二极管阵列，这是一种用于保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）的高效解决方案。这些二极管具有超低的电容和多种封装选项，适用于高速信号引脚的保护，如HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394。

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PCN#ESU270-77–TVS二极管阵列器件停产

Littelfuse公司宣布，由于供应链不稳定，将停产TVS二极管阵列（SPA®二极管）产品。停产生效日期为2022年3月24日，最后购买日期为2022年6月30日，最终产品发货日期为2022年12月31日。受影响的零件编号包括RF3918-000、RF3917-000、SP1007-01WTG等，并提供相应的替代产品。Littelfuse承诺协助客户过渡现有设计。

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AQ1026 Series 15pF 30kV Bidirectional Discrete TVS

该资料介绍了SP1026 AQ1026系列的TVS二极管阵列（SPA®二极管），这是一种用于通用静电放电保护的高效器件。这些二极管采用专有的硅雪崩技术制造，旨在为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高水平的保护。它们能够在±30kV的电击下安全吸收重复的ESD冲击，同时具有低漏电流和高浪涌电流承受能力。

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SP1007系列5pF 8kV双向分立式TVS TVS二极管阵列规格书

该资料为Littelfuse公司SP1007系列5pF 8kV双向离散瞬态电压抑制二极管（TVS）的数据手册。介绍了产品的技术规格、特性、应用领域和订购信息。

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AQ1003-01ETG系列-30pF 30kV单向TVS二极管阵列

该资料介绍了AQ1003-01ETG系列的TVS二极管阵列（SPA®二极管），这是一种通用型静电放电保护器件。它采用专有的硅雪崩技术，为电子设备提供高水平的ESD保护，可安全吸收重复的±30kV ESD冲击而不降低性能。此外，该TVS二极管可以安全地耗散7A的8/20µs浪涌电流，具有非常低的钳位电压。

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AQ3041系列低电容ESD保护TVS二极管阵列规格书

该资料为AQ3041系列低电容TVS二极管阵列的数据手册。介绍了其功能、特性、电气特性、封装尺寸和应用示例，适用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害。

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SP1006系列25pF 30kV单向分立TVS

本资料为Littelfuse公司生产的SP1006系列单向离散瞬态电压抑制二极管（TVS）的数据手册。该系列产品采用专有的硅雪崩技术制造，旨在保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）的影响。这些二极管能够在±30kV的接触放电下安全吸收重复的ESD冲击，同时具有低漏电流和高效能的特点。

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Littelfuse（力特）TVS Diode Arrays (SPA® Diodes) General Purpose ESD Protection - SP1015 Series SP1015 Series 5pF, 20kV Bidirectional TVS Array 数据手册

该资料介绍了SP1015系列双向TVS二极管阵列（SPA®二极管），这是一种用于保护数据线路免受破坏性静电放电（ESD）的小型四通道器件。这些二极管能够在不降低性能的情况下安全吸收超过IEC 61000-4-2国际标准最大水平的重复ESD冲击。该系列具有高密度设计，适用于多种电子设备。

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SRV05-4HTG-D 6V 10A TVS二极管阵列规格书

本资料为SRV05-4HTG-D型6V 10A TVS二极管阵列的数据手册。该器件集成了低电容轨到轨二极管和额外的齐纳二极管，用于保护每个I/O引脚免受静电放电（ESD）和高浪涌事件的影响。它能够安全吸收IEC 61000-4-5第2版规定的10A浪涌电流，且在±30kV ESD下保持最小值。

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SP3022-01ETG-NM 0.35 PF，20 kV，SOD882，双向非磁性TVS，低电容ESD保护TVS二极管阵列（SPA®二极管）规格书

该资料为Littelfuse公司生产的SP3022-01ETG-NM双向非磁性TVS二极管阵列（SPA®二极管）的数据手册。该产品提供低电容、双向和非磁保护，用于可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备。其典型电容为0.35 pF，有助于确保在最具挑战性的消费电子产品接口上的优秀信号完整性。

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