SSCD052H THRU SSCD056H Schottky Barrier Diode
■特点
●无卤型
●符合RoHS产品
●无铅芯片形式,无铅损伤
●低功耗,高效率
●高电流能力,低VF
●塑料封装具有美国保险商实验室可燃性分类94V-0
SSCD052H至SSCD056H肖特基势垒二极管 |
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数据手册,数据表,Data Sheet |
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详见资料 |
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SOD-123 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2018/03 |
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REV. 3 |
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产品型号
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品类
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Repetitive peak reverse voltage(V)
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Average forward current(mA/A)
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Peak forward surge current(A)
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Operating junction temperature Range(℃)
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A3GPS1045UCH
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高热性能肖特基势垒二极管
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10A
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