The Growing Ecosystem for eGaN® FET Power Conversion

时间： 2019-06-11

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基于氮化镓场效应晶体管的功率转换系统比基于硅的替代品提供更高的效率、更高的功率密度和更低的系统总成本。这些有利的特性刺激了功率电子元件（如栅极驱动器、控制器和无源元件）生态系统的存在，这些元件特别增强了氮化镓场效应晶体管的性能。
氮化镓场效应晶体管生态系统可以分为三大类：1）门驱动器，2）控制器，3）无源元件。一个典型的同步buck转换器，如图2所示，突出显示了这些不同的组件。对这些元件的要求是由氮化镓场效应晶体管的特性决定的，如占地面积小、开关速度快、栅电压要求高、频率高。
结论：随着氮化镓场效应晶体管不断渗透到应用设计中，实现氮化镓场效应晶体管优越性能所需的支撑组件的周围生态系统也将增长。如今，这种生态系统已不再是氮化镓设计中的限制因素，设计师有越来越多的门驱动器、控制器和无源元件可供选择

中文标题（翻译）:	成长中的氮化镓FET功率转换生态系统
厂牌:	EPC
型号:	EPC2036、EPC8010、EPC2045、EPC2001、EPC2012、EPC2047、EPC2050、EPC9081、LM5114、UCC27611、LMG1020、uP1964、IXD_604、EPC9078、EPC9204、LM5113-Q1(NRND)、LMG1205、uP1966B、PE29101、PE29102、LMG1210、Si8274GB1-IM、Si8275GB-IM、ADuM4120ARIZ、ADuM4121ARIZ、TEA1993TS、TEA1995T、TEA1998TS、NCP4305A、NCP4308A、LTC7800、MIC2127A、MIC2103/4、LM5140-Q1、TPS40400、TPS53632G、ISL8117A、uP1966A 查看更多 Part#
品类:	氮化镓场效应晶体管查看更多
应用:	查看更多
资料类型:	Application Note,应用笔记,应用笔记或设计指南查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2019/05/05
过期日期:
版本号:
文档编码:	How2AppNote 005
文件大小:	544 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
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针对eGaN®FET功率转换的生态系统的持续发展和完善

本文介绍了针对eGaN®FET功率转换的生态系统的发展和完善。文章重点阐述了eGaN FET的优势，包括高效率、低成本和更高的功率密度。此外，文章详细介绍了eGaN FET生态系统的三个主要部分：栅极驱动器、控制器和无源元件。文中还提供了相关产品的范例和制造商信息，旨在帮助设计师更好地利用eGaN FET技术。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2036,TEA1998TS,UP1964,TEA1993TS,LM5114,EPC2050,TEA1995T,EPC9204,IXD_604,ADUM4121ARIZ,EPC2012,EPC8010,EPC9081,TPS53632G,ISL8117A,LMG1210,ADUM4120ARIZ,EPC2047,LTC7800,MIC2103/4,UCC27611,NCP4308A,TPS40400,EPC9078,EPC2045,EPC2001,SI8275GB-IM,LMG1205,SI8274GB1-IM,LM5140-Q1,UP1966A,UP1966B,NCP4305A,LM5113-Q1(NRND),PE29101,PE29102,MIC2127A,LMG1020

2019/05/05 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的安全工作区域应用笔记

本文探讨了功率器件的安全工作区（SOA）及其在高效功率转换中的应用。文章指出，传统功率MOSFET在高温下可能因负温度系数导致电流集中，引发热失控。而EPC的氮化镓（GaN）FET则具有正温度系数，可在整个工作范围内安全运行。文章通过实验数据和理论计算对比了EPC GaN FET与传统MOSFET的SOA性能，强调了GaN FET在提高功率转换效率和安全性方面的优势。

EPC - EGAN FET,电力电子功率器件,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率模块,EPC2010C,EPC2001C,EPC2012C,EPC2015,EPC2014C,EPC2019,EPC2007C,EPC8004,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备

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EPC eGaN®FET/晶体管选型表

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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

2022-08-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC2057氮化镓场效应晶体管材料成分声明

本资料为EPC2057元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年7月8日发布。声明中详细列出了该元器件的各组成部分及其所含物质，包括硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺等，并提供了每种物质的CAS编号、重量百分比和总重量。声明强调，所提供的数据为估算值，可能因技术要求和开发而变化，EPC可能随时更新此文件，且声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2057

7/8/2024 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计

在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上。

2020-04-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计

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2020-06-24 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC2934C氮化镓场效应晶体管材料成分声明

本资料为EPC2934C元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年5月6日发布。声明中详细列出了该元器件的各组成部分及其所含物质，包括硅、氮化镓、铝、钛、铜、钨、聚酰亚胺等，并提供了每种物质的CAS编号、重量百分比和总重量。声明强调，所提供的数据为估算值，可能因技术要求和开发而变化，EPC可能随时更新此文件，且声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2934C

5/6/2024 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【应用】采用eGaN FET EPC2045实现低成本高性能的DCDC设计

EPC2045是一款100V/7mΩ、电流能力高达16A的增强型氮化镓场效应晶体管。目前采用EPC2045的EPC9130的功率密度做到了1250W/in³，在成本上可以实现¥0.5/W以内的低成本设计。EPC2045相比于Si MOSFET，在损耗上优势也比较明显。在48V输入、12V/10A输出、驱动频率为500KHz的条件下，EPC2045可提供1.5%的更高效率。

2020-08-01 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南

一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例，分别从LGA和BGA封装来完成介绍。

2020-09-23 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

EPC 29215_55氮化镓场效应晶体管材料成分声明

本资料为EPC29215\_55型号元器件的材料成分声明。声明中详细列出了芯片的构成元素、相应物质、CAS编号、重量百分比和总重量。声明指出，所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改。EPC可能不通知即更新此文件。声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC29215_55

4/24/2024 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍

EPC推出新型200V eGaN FETs（氮化镓增强型功率晶体管），相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半，栅电极和源电极之间的距离有所减小，金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。

2020-11-04 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【应用】基于eGaN FET与 GaN IC的低成本ToF激光雷达方案

用于激光雷达系统的典型脉冲激光驱动器通常使用与激光器和电源串联的半导体功率开关器件，其性能受寄生电感和半导体功率器件的速度所限制。GaN技术则能够支持短距离和远距离激光雷达传感器的设计。EPC公司的EPC9126和EPC9126HC是针对远距离直接飞行时间应用的大电流激光二极管驱动器的演示系统，EPC9144激光驱动器演示系统针对间接飞行时间应用进行了优化。

2020-03-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC2215氮化镓场效应晶体管材料成分声明

本资料为EPC2215元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年4月24日发布。声明中详细列出了该元器件的各个构造元素及其对应的物质、CAS编号、重量百分比和总重量百分比。声明中提到的物质包括硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、钛金属、镍、锡和银等。声明强调，所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括关于最终产品中包含的电气设备中掺杂剂和金属材料的微量信息。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2215

4/24/2024 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

EPC Launches 40V EPC2055 eGaN FET Ideal for High Power Density Solutions for USB-C Battery Chargers and Ultra-thin Point-of-Load Converters

December 2020 — Efficient Power Conversion (EPC) Corporation advances the performance capability of low voltage, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2055 (3mΩ, 40V) eGaN FET. This device is ideal for applications with demanding requirements for performance in space-constrained form factors including USB-C batter chargers and ultra-thin point-of-load (POL) converters.

2021-01-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务