eGaN® FETs and ICs for Networking Point of Load Converters
用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络 |
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EPC2100、EPC2023、EPC2014C、EPC2015C、EPC2030、EPC2024、EPC2101、EPC2031、EPC2020、EPC2105、EPC2029、EPC2021、EPC2053、EPC2045、EPC2001C、EPC9036、EPC9031、EPC9005C、EPC9001C、EPC9060、EPC9032、EPC9037、EPC9061、EPC9033、EPC9041、EPC9046、EPC9034、EPC9093、EPC9078、EPC9002C |
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[ 负载转换器的网络点 ] |
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APPLICATION BRIEF,应用笔记或设计指南,申请简介 |
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详见资料 |
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LGA;BGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2019/05/05 |
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AB006 |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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eGaN FETs Are Low EMI Solutions!
GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.
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