EPC2202 - Automotive 80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor DATA SHEET
EPC2202 egallium氮化物®FET仅以带焊锡条的钝化模具形式提供。模具尺寸:2.1 mm x 1.6 mm
EPC2202-汽车80 V(D-S)增强型功率晶体管数据表 |
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[ 高功率密度DC-DC变换器 ][ D类音频 ][ 激光雷达/脉冲功率应用 ][ 高强度前照灯 ] |
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DATA SHEET,数据手册,数据表 |
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Halogen-Free、Pb-free、RoHS |
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详见资料 |
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汽车级/Automotive(E级) |
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AEC-Q101 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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May, 2019 |
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1.1 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
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EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
|
品类
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最大耐压(V)
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
|
导通电荷(nC)
|
峰值电流(A)
|
封装(mm)
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
15V
|
3.4A
|
30mΩ
|
0.745nC
|
28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
|
宜普电源转换公司第十二阶段 eGaN® 器件可靠性测试报告
本报告详细介绍了宜普电源转换公司(EPC)针对eGaN®器件进行的第十二阶段可靠性测试。报告涵盖了多种应力条件下的器件失效机理,包括电压、电流、温度、湿度和机械应力等。通过对器件进行反复测试,分析了器件的固有失效模式和寿命预测模型。此外,报告还探讨了eGaN器件的安全工作区域(SOA)、短路鲁棒性以及可焊性等方面,为设计工程师和学者提供了宝贵的数据和分析。
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与硅MOSFET相比,GaN具有明显优势的几个大型应用已经出现 - LiDAR,雷达,48V - 12V DC-DC转换,高强度车大灯和电动汽车车载充电设备。EPC将提供首批符合AEC-Q101标准认证的汽车级eGaN FET—— EPC2202、EPC2203等。
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